100个基本知识,助您轻松掌握模拟电路入门!
33、晶体管工作在饱和区时,发射结正偏,集电结正偏;工作在放大区时,集电结反偏,发射结正偏。34、在共射、共集和共基三种放大电路组态中,希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相,可选用共射组态;希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相,可选用共集组态。35、场效应管同双极型三极管相比,其输入电阻大,...
三极管的奥秘:如何用小电流控制大电流
放大区:当发射结电压大于导通电压,发射结正偏,集电结反偏,三极管的基极电流控制着集电极电流,集电极电流与基极电流近似于线性关系,三极管起到电流放大作用,相当于一个可调的电阻。饱和区:当集电极电流增大到一定程度时,再增大基极电流,集电极电流也不会增大,集电结也正偏,三极管的电流放大系数变小,相当于一个闭合的...
几张动图搞懂三极管
下图是个NPN型的三极管:当发射结正偏时,电荷分布会发生变化,发射结宽度会变窄;相当于给电子打开了一扇e到b的大门集电结反偏时,电荷分布会也发生变化,集电结宽度会变宽。相当于打开了阻碍电子从c级跑出去的大门,如下方动画所示:b级会接一个大电阻RB限制电流Ib的大小,跑到b极的那些多余的电子就只好穿越集电...
晶体管分类有哪些?收藏这一张图就够了!
发射结正偏,集电结反偏,Ube>0,Ubc<0;β=△ic/△ib;c、饱和区集电极电流Ic基本不随基极电流Ib而变化;三极管压降很小,一般有Uce<Ube;发射结,集电结都正偏,Ube>0,Ubc>0;β>Ic/Ib;d、倒置状态集电极和发射极接反的情况;一般不会烧掉,但是β会下降严重;发射结反偏,集电结正偏;三种组态...
科学家首次制备出硅-石墨烯-锗高速晶体管
a-d.使用轻掺杂Ge衬底时的硅-石墨烯发射结和石墨烯-锗集电结IV曲线、输入(Ie-Ve)和转移(Ic-Ve)特性曲线、共基极增益α、输出特性(Ic-Vc)曲线。e-h.使用重掺杂Ge衬底时的相应曲线。图4考虑石墨烯量子电容效应时晶体管的能带示意图。a.无偏压。b.发射结正偏。c.集电结反偏。相关物理现象及...
全球首次,中国科学家制成高速晶体管,有望终结半导体硅晶片时代
发射结正偏(www.e993.com)2024年8月16日。c.集电结反偏。相关物理现象及应用研究介绍详见论文补充材料。可以说,这一研究工作提升了石墨烯基区晶体管的性能,未来将有望在太赫兹领域的高速器件中应用,为最终实现超高速晶体管奠定了基础。不过,这仅仅是第一步,未来还有许多工作要做,但是既然取得了第一步的突破,我们就有希望将终结硅晶片时代...
双极晶体管基础知识解析
这是共发射极组态的击穿电压,即基极开路时、集电极与发射极之间的击穿电压。由于在基极开路时,集电结是反偏、发射结是正偏的,即BJT处于放大状态。温度对的影响:是集电结加反向电压时平衡少子的漂移运动形成的,当温度升高时,热运动加剧,更多的价电子有足够的能量挣脱共价键的束缚,从而使少子的浓度明显增大,增...
晶体管的工作状态判断和工作条件
二、晶体管工作状态的判断晶体三极管工作在放大区时,其发射结(b、e极之间)为正偏,集电结(b、c极之间)为反偏。对于小功率的NPN型硅,呈现为Vbe≈0.7V,Vbc《0V(具体数值视电源电压Ec与有关元件的数值而定):对于NPN型锗管,Vbe≈0.2V,Vbc《0V;对于PNP型的晶体三极管,上述电压值的符号相反,即小功率PNP...
这篇把三极管工作原理分析透彻了!
这就导致了以上我们所说的结论:反偏时少数载流子反向通过PN结是很容易的,甚至比正偏时多数载流子正向通过PN结还要容易。这个结论可以很好解释前面提到的“问题2”,也就是教材后续内容要讲到的三极管的饱和状态。三极管在饱和状态下,集电极电位很低甚至会接近或稍低于基极电位,集电结处于零偏置,但仍然会有较大的集电...
10个问题,让你真正学懂三极管
当发射结正偏且集电结反偏时,三极管处于放大工作状态。发射结正偏,发射结导通,由于发射区自由电子浓度较高,所以进入基区P型半导体的自由电子也多,基区电场增大。此时,虽然集电结反偏,但由于基区电场大于集电区,所以基区部分电子突破集电结耗尽层,产生漂移运动,进入集电极,使得集电结导通,产生Ic。