基础知识之晶体管

一般功率晶体管的功率超过1W。相比小信号晶体管拥有更大的最大集电极电流、最大集电极功率,对于散热而言,它本身形状就很大,有的功率晶体管上还覆盖着金属散热片。晶体管“一词由Transfer(传送信号)和Resistor(电阻器)组成。构成晶体管的硅是形成地球的岩石中大量含有的物质。因此,晶体管也俗称”石“,设计者常用”...

2023(春季)亚洲充电展新品推介 | 功率器件

电压有650V丶900V和1200V三种选择,电流规格范围为5~20A。该产品具有耐高温高压丶更好的电子迁移率、更低的功率损耗丶在高频高温的环境下工作不影响可靠性的优势。适用于众多应用环境如:逆变器丶不间断电源丶HID照明丶电机驱动器丶大功率器件等。Q-SSC1565-TF详细资料。产品型号:SKGI8020时科推出QFN8*8封装...

小功率电源中的最流行的PSR控制原理

从IC资料上可以看出Td/T=0.5CS脚限制电压Vth_oc为0.91VFB基准为2V,占空比D取0.45Vin取90V整流管VF取0.9最高开关频率取50KHZ变压器用EE16,AE=19.3mm^2VCC供电绕组电压取22V(考虑到不同串数LED的兼容性VCC绕组电压取得较高,但通常根据经验,取芯片最大值减去2v)1、计算次级峰值电流Ipks:Io=(T...

SiC行业深度报告:SiC全产业链拆解,新能源行业下一代浪潮之基(下)

SiC功率模块:国内SiC功率模块量产产品电压等级650V-1700V,其中比亚迪产品已经开始实现上车应用,目前正在推进布局的企业包括华微电子、士兰微、江苏宏微、斯达半导体、中恒微、基本半导体等。正迎国产替代黄金期。在输出相同电流的前提之下,比导通电阻越低,需要的器件数越少,器件的芯片面积可以越小,成本也...

碳化硅SiC行业研究:把握碳中和背景下的投资机会

2)高压下性能优势更加明显:在400V左右的直流母线电压下,需要最大工作电压在650V左右的IGBT模块或单管。在800V的系统电压下,功率器件耐压需要提高到1200V以上。英飞凌、赛美控、罗姆、富士电机等均推出了1200V的车规级IGBT,但对比之下,SiC器件在高压下性能更好。根据ST的数据,在400V电...