基础知识之晶体管
当晶体管的基极引脚被施加电压(约0.7V以上)并流过微小电流时,晶体管会导通,电流会在集电极和发射极之间流动。反之,当施加到基极引脚的电压较低(约0.7V以下)时,集电极和发射极处于关断状态,电流不流动。晶体管的开关工作就像使用基极作为开关来打开和关闭从集电极流向发射极的电流。开关导通示意图作为放大器...
了解这些 就可以搞懂 IGBT
通过弥补这两种器件各自的缺点,IGBT成为一种具有高输入阻抗、开关速度快(IGBT开关速度比MOSFET慢,但仍比双极晶体管快。),即使在高电压条件下也能实现低导通电阻的晶体管。02IGBT的工作原理当向发射极施加正的集电极电压VCE,同时向发射极施加正的栅极电压VGE时,IGBT便能导通,集电极和发射极导通,集电极电流IC流...
双极晶体管基础知识解析
同场效应晶体管相比,双极型晶体管开关速度慢,输入阻抗小,功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高,已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域,起放大、振荡、开关等作用。晶体管:用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域,并形成两个PN结,就...
电力晶体管GTR的开关特性详解
但由于电力晶体管的功率损耗大、工作电流大,因此它存在着诸如基区大注入效应、基区扩展效应和发射极电流集边效应等特点和问题。基区大注入效应是指基区中的少数载流子浓度达到或超过掺杂浓度时,器件的注入效率降低,少数载流子扩散系数变大,体内少数载流子寿命下降,以致严重影响GTR的电流增益的现象。基区扩展效应是指...
晶体管的基础知识详细解析
Shockley在双极型晶体管的基础上,于1952年进一步提出了单极结型晶体管的概念,即今天所说的结型晶体管。其结构与pnp或npn双极型晶体管类似,但在p_n材料的界面存在一个耗尽层,以使栅极与源漏导电沟道之间形成一个整流接触。同时两端的半导体作为栅极。通过栅极调节源漏之间电流的大小。
常用半导体中英对照表(建议收藏)
Base-widthmodulation基区宽度调制Basisvector基矢Bias偏置Bilateralswitch双向开关Binarycode二进制代码Binarycompoundsemiconductor二元化合物半导体Bipolar双极性的BipolarJunctionTransistor(BJT)双极晶体管Bloch布洛赫Blockingband阻挡能带...