郝跃院士:功率密度与辐照问题是氮化物半导体的两大挑战
氧化物半导体的禁带宽度更宽,相比氮化镓和碳化硅,它可以实现更低的损耗。但氧化物也有弱点,就是散热问题,不解决它的散热问题,就不可能实现产业化。目前,微系统所和西电采用smartcut转移了wafer级氧化镓薄膜于高热导率衬底,部分解决了氧化镓衬底低热导率的问题,实现了4英寸氧化镓材料的转移。郝跃院士演讲最后指出...
详解第三代半导体材料:碳化硅和氮化镓
禁带宽度(eV)1.121.41.33.23.39相对介电常数11.713.112.59.79.8击穿场强(mV/cm)0.30.40.52.23.3电子飘逸饱和速度(10^7cm/s)12122.5热导率(W/cm-K)1.50.50.74.52~3电子迁移率(cm^2/Ns)1350850054009001000功率密度(W/mm)0.20.51.8~101、禁...
第三代半导体争夺战开启,国内外供应商竞争正烈
从物理特性来看,SiC与硅材料的电子迁移率相差不大,但其禁带宽度、击穿电压、热导率和电子迁移速度分别是硅材料的3倍、8倍、4倍和2倍。同时,高达9.5的莫氏硬度也高出硅材料50%。这意味着基于碳化硅材料的功率半导体具有高耐压、低导通电阻、寄生参数小等优异特性,非常适合制造很多大功率汽车电子器件,例如车载充电器(...
第四代半导体氧化镓蓄势待发!
资料显示,氧化镓作为第四代半导体材料代表,具备禁带宽度大、临界击穿场强高、导通特性好(几乎是碳化硅的10倍)、材料生长成本低等优势,这些特性使得氧化镓特别适用于电动汽车、电网系统、航空航天等高功率应用场景。鸿海认为,氧化镓将有望成为具有竞争力的电力电子元件,能直接与碳化硅竞争。展望未来,鸿海研究院表示,随着...
晶盛机电:碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表,具有高禁带宽度...
碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表,具有高禁带宽度、高电导率、高热导率等优越物理特征,在新能源汽车、新能源发电、轨道交通、航天航空、国防军工等领域的应用有着不可替代的优势。2023年11月4日,公司举行了“年产25万片6英寸、5万片8英寸碳化硅衬底片项目”签约暨启动仪式,旨在加快半导体材料端的关键核心技术...
...禁带宽度(Eg)大于或等于2.3电子伏特(eV),又被称为宽禁带半导体...
公司回答表示,您好,GaN是第三代半导体材料及器件的一个类别,因其禁带宽度(Eg)大于或等于2.3电子伏特(eV),又被称为宽禁带半导体材料,与第一、二代半导体材料硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,第三代半导体材料及器件具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子速率等优点,可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗...
悦安新材:与中科院赣江创新院开展深度合作开发第三代半导体高频率...
公司回答表示:公司与中国科学院赣江创新研究院开展长期、深度的产学研合作,重点开发配套第三代半导体工作的高频率软磁材料。与第一代和第二代半导体材料相比,第三代半导体材料的禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率及抗辐射能力均有较大的提升,更适合用于制作高温、高频、大功率及抗辐射器件。目前,公司相关软磁粉...
攻关“卡脖子”问题,南大教授在半导体材料领域深耕“一块地”
他研发出了当时世界上电学特性最好的InN薄膜材料,“在当时,领先世界平均水平5-6年”,该研究为世界各地许多实验室提供了参照标准,有很强的指导性作用,推动了相关半导体材料领域的发展。此外,陆海及其合作者联合纠正了InN的禁带宽度,单篇论文引用率高达千篇次以上。陆海的科研成果和理论发现,大大拓宽了III族...
中国化合物半导体行业发展驱动因素、市场运行格局分析报告—智研...
宽禁带半导体,以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等为代表,具有高禁带宽度、耐高压和大功率等特点,在通信、新能源汽车等领域前景广阔,但目前成本较高。(注:本文主要讨论的化合物半导体为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体)半导体材料的对比情况二、行业政策近年来,国家不断提升半导体行业的战略地位,通过各种政策持续大力扶持...
石墨烯,半导体的“野心家”
直接产生禁带方面,研究表明,当构造的石墨烯纳米带宽度小于10nm时,可利用纳米石墨烯的量子效应和边缘效应来有效地打开能带带隙,从而使其产生半导体性质。2008年,英国研究人员制备出仅一个原子厚几纳米宽的石墨烯量子点器件。在这种尺度下,石墨烯存在约0.5eV的禁带宽度,且器件仍然能保持较好的导电性。