生成式AI引爆存储成长,3D NAND“千层时代”到来
这种架构创新方式还有一些其他的优势,比如,存储单元、外围电路分别在两片晶圆上并行加工,缩短生产周期;外围电路可以单独加工,与存储单元可以互相独立设计、生产,消除二者之间的设计、工艺牵制,实现更高性能。但其实际意义还在于,外围电路面积与存储单元面积几乎相等,远超过现有主流3DNAND架构的外围电路面积。相对来说,外...
我们离不开的缓存,是怎么改变电脑速度的?
3.磁盘缓存:磁盘缓存通过将最近访问的数据存储在RAM中,提高了磁盘的读写性能。最常见的就是SSD上的DRAM硬件缓存。4.网络缓存:网络缓存,如代理服务器和CDN(内容分发网络),通过在不同的网络上的服务器上存储热门内容的副本,来减少网络流量和提高访问速度。5.Web浏览器缓存:浏览器缓存通过存储网页和资源的副本,...
集邦咨询:预计2025年存储器产业营收将创新高 价格上涨和HBM、QLC...
QLC大容量EnterpriseSSD、UFS助益2025年NANDFlash营收创纪录TrendForce集邦咨询估计,2024年NANDFlash营收将达662亿美元、年增77%;2025年在大容量QLC(四层式存储单元)EnterpriseSSD(企业级固态硬盘)崛起、智能手机采用QLCUFS(通用闪存存储)、原厂资本支出限缩供给和服务器需求复苏等4项因素带动下,NANDFlash营收...
存储,怎么看?
他们也同时指出,随着每个节点的进步,DRAM单元尺寸缩放变得越来越复杂;因此,三星通过采用EUV光刻技术来缩小DRAM单元的尺寸,同时减少图案化步骤,从而使其制造工艺与众不同。与美光和SK海力士的LPDDR5内存相比,三星使用的LPDDR51Dz单元设计具有很强的竞争力,因为三星生产的内存单元比其竞争对手相对较小。较小的...
光迅科技获得发明专利授权:“日志存储方法、日志存储装置、存储...
基于获取的每一日志存储单元中存储的第一条日志信息的第一起始编号和最后一条日志信息的第一终止编号,确定待写入的新的日志信息的写指针位置;获取与存储设备关联的终端设备在运行过程中生成的带有编号的新的日志信息;若多个日志存储单元的剩余存储空间能够存放新的日志信息,将新的日志信息存储至写指针位置对应的存储...
亿铸科技熊大鹏:大模型时代,AI大算力芯片急需破除“存储墙”
但是要真正解决这个问题,我们认为根本的解决方案是存算一体(www.e993.com)2024年7月27日。存算一体相当于在存储单元的基础上,把计算的部分加上去,模型的参数搬运环节基本上就免掉了。比方说1750亿参数的GPT-3模型,每一次推理计算的时候都要把350Gbyte的数据搬到芯片上,才能做一次推理、算一次Token。如果是训练,这个数据量会更大。但如果这个...
存储芯片行业深度报告:存储市场柳暗花明
(5)按存储单元密度来分,NANDFlash可分为SLC、MLC、TLC、QLC四种。SLC为单级单元,每单元可存储1比特数据,产品性能好、耐久度高,提供高达10万个P/E周期,但容量低、成本高,常应用于对读写耐久度要求很高的行业,如服务器、军工等。MLC属于多级单元,每单元可存储2比特数据,数据密度比SLC...
亿铸科技熊大鹏:大模型时代,AI大算力芯片急需破除“存储墙”丨G...
但是要真正解决这个问题,我们认为根本的解决方案是存算一体。存算一体相当于在存储单元的基础上,把计算的部分加上去,模型的参数搬运环节基本上就免掉了。比方说1750亿参数的GPT-3模型,每一次推理计算的时候都要把350Gbyte的数据搬到芯片上,才能做一次推理、算一次Token。如果是训练,这个数据量会更大。但如果这个...
天风电子:AI PC元年有望开启,领航存储市场步入“价值”长景气新周期
1)AI增量,单机硅含量提升:新增NPU单元,存储容量提升,散热要求更高,AI专用其他组件(如微软一键Copilot按键)等;2)促进换机潮进而带动产业链:PC产业链在疫情期间居家办公带来的的换机潮后,24年进入新的换机周期,根据Canalys预测,2024年出货量预计到2.67亿台,较2023年增长8%,AIPC渗透率在24年预计18%,25年将达...
算力新星LPU带火SRAM 业内人士如何看存算芯片未来?
SRAM基本单元是由6个Transistor组成的锁存结构,密度相对来说较低。存储单元在做存算的时候,需要更多Transistor进行控制,比如使用8T、10T或更多Transistor的架构,导致了面积大、单位密度受限。同时,SRAM算力的提升主要靠工艺制程的升级,器件本身在密度上难以实现大规模突破。相比之下,ReRAM的微缩性有着天然的优势,...