新型n型可掺杂ABXZintl锌热电材料的发现,对半导体有何重大意义

事实上,供体BiSn缺陷的低形成能保证了KSnBi是简并掺杂的n型,即使没有引入外部掺杂剂。因此,KSnBi是一种不错的候选Zintl相,在富碱生长条件下,由于n型自掺杂,预计具有高TE性能和高自由电子浓度,RbSnBi的固有缺陷能量学与KSnBi相似。最低能量的天然受体缺陷是SnBi;SnBi高形成能创造了一个较大的n型可掺杂性窗...

类似传统半导体-铅卤素钙钛矿实现有效电学掺杂 | NSR

目前一般认为铅卤素钙钛矿是双极性半导体,难以利用本征缺陷进行有效的电学掺杂;且由于钙钛矿的载流子扩散长度较大,普遍认为内建电场对于其中的载流子收集并非必要;此外,目前实验测得的钙钛矿载流子浓度一般在~1013量级,也不足以形成有效的电场用于载流子提取。针对上述问题,上海科技大学宁志军团队、纪清清团队、郑帆团队、中...

江南北大剑桥,一作连发2篇Nature之后,90后工科女孩,再次以一作+...

重点发展低缺陷浓度的高质量材料、开发可靠的掺杂策略以及优化半导体/金属和半导体/电介质界面至关重要。CAFM和拉曼光谱等表征技术的进步将通过提供对材料特性和器件性能的详细见解来帮助实现这些目标。总之,虽然基于2DTMD的电子器件的开发取得了实质性进展,但解决高密度缺陷和优化接口对于实现更广泛的实用价值仍然至...

江南→北大→剑桥,一作连发2篇Nature之后,90后工科女孩,再次以一...

除了电气测量之外,还建议使用拉曼光谱和X射线光电子能谱(XPS)等补充技术来准确评估掺杂水平。这些方法提供了对载流子浓度变化和与掺杂相关的化学位移的深入了解。半导体/金属触点在2DTMD半导体和金属之间形成低电阻、稳定的接触是一个重大挑战。TMD中的高密度缺陷,尤其是硫族空位,通过引入界面态和无意的掺杂而...

如何建一个200亿美元的晶圆厂?

MOSFET中的p型和n型半导体早期,在半导体制造中掺入杂质的主要方法是扩散:通过在气体存在下加热晶圆,气体原子会扩散到晶圆表面。但如今,掺杂主要通过离子注入来完成:一束离子(具有过量或缺乏电子的原子,赋予它们电荷)被发射到晶圆上,将原子沉积在表面下方。

2021 年度中国半导体十大研究进展发布,北大、浙大、复旦等多所...

9、超宽禁带氮化物半导体材料高效p型掺杂中科院长春光学精密机械与物理研究所黎大兵研究团队与中科院半导体研究所邓惠雄研究员合作,围绕宽禁带氮化物材料p型掺杂的国际难题,针对超高受主激活能的根本物理限制,提出了量子工程非平衡掺杂调控价带顶能级位置从而大幅降低激活能的方法,实现了高空穴浓度p型超宽禁带氮化物...

国产化率还不到10%!一文看懂国产半导体材料

根据掺杂程度不同,半导体硅片可分为轻掺和重掺。重掺硅片的掺杂元素掺入量大,电阻率低,一般用于功率器件等领域产品;轻掺硅片掺杂浓度低,一般用于集成电路领域,技术难度和产品质量要求更高。由于集成电路在全球半导体市场中占比超过80%,全球对轻掺硅片需求更大。根据工艺,半导体硅片可分为研磨片、抛光片及基于抛光...

半导体设备发展趋势与前景分析

离子注入:通过等离子体轰击向硅晶格中注入所需离子,达成所需物理特性;6.退火:离子注入有可能破坏晶格,造成芯片缺芯,需要高温退火,使得晶格结构得以恢复;7.清洗:大部分步骤都会造成一定的杂质残留,需要及时清洗干净,才能进入下一步骤;8.量测:每一步骤的处理都需要硅片已经满足一定的性质和条件,这就要求必须准确测量...

半导体原材料行业深度剖析:国产半导体材料的新机遇

尽管如此,由于半导体工艺对材料的严格要求,就单一半导体化学品而言,仅有少数几家供应商可以提供产品。以半导体硅片市场为例,全球半导体硅片市场集中度较高,产品主要集中在日本、韩国、德国和中国台湾等发达国家和地区,中国大陆厂商的生产规模普遍偏小。

深度揭秘硅片产业,巨大潜力成就半导体材料之王【附下载】| 智东西...

半导体硅片在纯度和电学特性方面较新能源硅片有更高要求,所以在制造过程中需要更多的纯化步骤和供应原料,造成制造原料的种类更加多样化。所以硅料成本占比相对减少,但是制造费用占比会相对增加。对于半导体硅片来说,原材料成本是主要成本,约占主营业务成本的47%。其次是制造费用,约占38.6%,与半导体制造业类似,硅片行业...