...器件的自对准的制备方法专利,进一步缩小了接触孔沿沟道方向尺寸

金融界2024年2月27日消息,据国家知识产权局公告,上海芯导电子科技股份有限公司申请一项名为“TrenchMOSFET器件的自对准的制备方法“,公开号CN117612942A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示,本发明提供了一种TrenchMOSFET器件的自对准的制备方法,包括:提供一衬底,包括若干接触孔区域;在所述衬底上形成若干栅极沟槽、...

【复材资讯】陶瓷基复合材料构件内嵌孔加工工艺研究进展

CMCs构件内嵌孔主要包括热管理微孔和铆接孔,热管理微孔直径较小,一般在0.1~2.0mm,铆接孔直径范围在2.0~5.0mm,上述孔具有数量多、精度要求高等特点。SiC/SiC复合材料具有脆性和超硬性的特性,要求内嵌孔加工中没有热影响或热影响区域尽可能小,避免对材料和构件的性能造成不利的影响。这对加工设备的功能、附件、刀具...

电子行业深度报告:先进封装助力产业升级,材料端多品类受益

芯片铜互连的制造工艺是在晶圆的沟槽上采用电镀的方法沉积、填充铜金属的工艺,铜互连工艺具有更低的电阻率、抗电迁移性,能够满足芯片尺寸更小、功能更强大、能耗更低的技术性能要求。先进封装方面,凸块电镀、再分布线、硅通孔(TSV)电镀等是超越摩尔定律的关键。为了进一步提高集成电路性能,需要缩短晶圆间、晶...

晶圆级封装(WLP),五项基本工艺

由于正性光刻胶(PositivePR)在曝光后会软化,因此使用正性光刻胶时,需在掩模去除区开孔。负性光刻胶(NegativePR)在曝光后则会硬化,所以需在掩模保留区开孔。晶圆级封装通常采用掩模对准曝光机(MaskAligner)或步进式光刻机(Stepper)作为光刻工艺设备。显影(Development)是一种利用显影液来溶解因光刻工艺而软化...

O型圈密封知识大全(下)|螺纹|沟槽|管接头|o型圈|橡胶密封圈_网易...

(四)配合沟槽与密封圈尺寸参数密封用沟槽尺寸及压缩量(五)O型圈的使用安装与泄漏5.1O型圈的使用O型圈在多种液压、气动件的管接头、圆筒面以及法兰面等结合处得到了广泛应用。针对在运动过程中使用的O型圈,倘若作压力超过9.8Mpa,若单向受压,就要在O型圈受压力方向的另一侧配置一个挡圈;若...

青原区智慧停车场新能源汽车充电桩建设项目技术方案征集公告

3.其他按设计及规范要求执行m??1.008电源及充电器1.名称:充电桩主机2.型号、规格:一体式直流充电机160KW台6.009设备基础1.名称:充电桩基础2.含基础开挖、素土夯实、C15垫层、C25压顶、抹面:1:2.5水泥砂浆、进线孔预留、预埋铁件、余方弃置等...

道滘镇智慧城市监测平台及配套建设项目-机房搬迁结果公告

一、项目编号:441900031-2024-00230二、项目名称:道滘镇智慧城市监测平台及配套建设项目-机房搬迁三、采购结果合同包1(道滘镇智慧城市监测平台及配套建设项目-机房搬迁):四、主要标的信息合同包1(道滘镇智慧城市监测平台及配套建设项目-机房搬迁):

建筑one丨经典结构加固改造施工方案(文末附下载方式)

c、钻孔前,作业人员应熟知对应孔位钻孔直径尺寸、深度,钻孔中若出现偏位情况应及时调整,尽量保证按设计位置进入规定深度,若经检查孔深不够必须重新钻孔直至符合规定要求。d、钻孔实际进程中若碰到砼体内钢筋应将位置避开,在不影响砼强度的前提下移开距离过大时,应与设计协调进行补植加筋补强。

锦州神工半导体股份有限公司 2023 年年度报告

尺寸主要为14-22英寸,主要销售给半导体等离子刻蚀设备硅零部件制造商,经一系列精密的机械加工制作成为集成电路制造刻蚀环节所需的核心硅零部件.公司生产并销售的集成电路刻蚀用大直径硅材料纯度为10到11个9,产品质量核心指标达到国际先进水平,可满足7nm及以下先进制程芯片刻蚀环节对硅材料的工艺要求....

锦州神工半导体股份有限公司 2023 年年度报告

尺寸主要为14-22英寸,主要销售给半导体等离子刻蚀设备硅零部件制造商,经一系列精密的机械加工制作成为集成电路制造刻蚀环节所需的核心硅零部件.公司生产并销售的集成电路刻蚀用大直径硅材料纯度为10到11个9,产品质量核心指标达到国际先进水平,可满足7nm及以下先进制程芯片刻蚀环节对硅材料的工艺要求....