SiC MOSFET在电动汽车中的应用问题

阈值电压的正向漂移会增加SiCMOSFET的通态损耗，导致过热。器件过热易造成器件热损坏和使用寿命的降低。而阈值电压的负向漂移会导致器件进入不可预测的开启状态，也可能会导致器件损坏，从而导致主驱失去控制，影响汽车电机的运行。3、SiCMOSFET的体二极管退化由于SiC晶体上存在的基面位错（BPD），SiCMOSFET的体二极...

详解大功率电源中MOSFET功耗的计算

脱离某个给定的条件对MOSFET的尺寸作更精细的调整是不大可能的,因为器件的选择范围是有限的。选择的底线是MOSFET在最坏情况下的功耗必须能够被耗散掉。热阻下一步是要计算每个MOSFET周围的环境温度,在这个温度下,MOSFET结温将达到我们的假定值(按照前面图1所示的迭代过程,确定合适的MOSFET来作为同步整流器和开关MOS...

艾为电子推出笔电端口保护MOSFET

1、由于回路寄生电感的存在,关断瞬间可能有较大的尖峰电压,瞬态电压超过了MOSFET的耐压值会损坏器件,所以建议MOSFET的耐压值至少为电池包稳态最高电压的2倍。2、MOSFET关断的能量损耗较大,器件也会因为过热而损坏,需要根据实际应用场景在驱动能力和能量损耗之间折衷选择。

MOSFET基本原理、参数及米勒效应全解

d红色:MOS管所能承受的uDS最大电压,也就是上面参数中的V(BR)DSS,如果uDS电压过高,PN结会发生反偏雪崩击穿,造成MOS管损坏。需要特别注意的是,在实际的应用中,必须确保MOS管工作在SOA区域以内,超出限制区域会造成电子元器件的损坏。而且上图中的SOA安全区域是在一定的特定条件下测得的,实际应用的时候随着环境温度...

第三代电力电子半导体SiC MOSFET:聚焦高效驱动方案

过电流故障指的是SiCMOSFET因为控制信号与负载端异常，器件漏极电流大于额定值，使得器件损坏现象。根据SiCMOSFET的过电流故障时，其电流值对额定电流的倍数。可以将过电流故障分为过载故障与短路故障。a、过载故障指SiCMOSFET在实际应用场景下，其所在电子装置的输出值大于负载额定值，而发生的故障，此时SiC...

保护电源路径的十一个途径(五)第四章:阻断反向电流

反向电流可能会损坏内部电路和电源(www.e993.com)2024年11月10日。根据从输出到输入的路径,反向电流峰值也会损坏电缆和连接器。如果您使用MOSFET进行负载开关应用,反向电流可以通过其体二极管向前偏置,因为FET输出电压大于输入电压。这导致整个体二极管的功率耗散呈线性上升,由式1表示:其中

吃透MOS管,看这篇就够了

而晶体三极管的耐压VCEO随管温度升高是逐步下降,这就形成了管温继续上升、耐压继续下降最终导致晶体三极管的击穿,这是一种导致电视机开关电源管和行输出管损坏率占95%的破环性的热电击穿现象,也称为二次击穿现象。MOS管具有和普通晶体三极管相反的温度～电流特性,即当管温度(或环境温度)上升时,沟道电流IDS反而下降。

为什么D类放大器需要反并联二极管

由于本体二极管,电压开关D类放大器的MOSFET实现可以在不使用外部反并联二极管的情况下工作。虽然MOSFET通过反向电流而没有损坏的风险,然而,我们有时仍然使用外部二极管来优化放大器的性能。装置导通顺序的重要性正如我们在本文前面所讨论的那样,放大器的四个半导体器件按以下顺序开启:...

什么是 D 类放大器?D 类放大器原理讲解

从上图中可以看出,我们有MOSFET输出级,它也是主要的输出驱动器,因为我们正在处理高频和电感,所以总是涉及瞬态,所以我们使用一些UF4007作为反激防止MOSFET损坏的二极管。6、LC低通滤波器:LC低通滤波器MOSFET驱动级的输出是高频方波,这种信号绝对不适合驱动扬声器等负载。

大功率电机驱动器应用的系统设计注意事项

3.1.1栅极电流为何会导致损坏遗憾的是,在大功率系统中存在高压摆率的不利影响。随着更多电流流经FET和VDS电压以更快的速度进行转换,MOSFET的固有电容耦合以及寄生LC谐振的影响会增加。图3-1.MOSFET导通引起的电感尖峰和耦合如图3-1所示,栅极信号上升沿的高频分量(更重要的是,穿过米勒区域的上升...