打破技术天花板!揭秘沟槽型碳化硅MOSFET芯片的创新突破
沟槽型碳化硅MOSFET芯片的核心挑战在于制造工艺的突破。由于碳化硅材料的高硬度,传统的平面结构工艺无法适用于沟槽结构的制造。要在硬度极高的碳化硅材料上“挖坑”,且保证“坑”壁的平整度和精度,对刻蚀工艺提出了极高的要求。制造沟槽型碳化硅MOSFET芯片的过程可以说是一次“挖坑”的革命。与传统的平面型结构不同,...
沟槽边坡未支护,两名作业工人被埋,1死1伤
韦*将,西乡塘产业园区双定镇坛立工业园坛立路扩建涉及电力线路迁改工程顶管线路施工实施人,违章指挥挖掘机操作人员垂直开挖沟槽,未按规定放坡和支护、弃土紧贴沟槽边堆放,安全意识淡薄,冒险下沟作业,基坑突然塌方被土块掩埋身亡,涉嫌重大责任事故罪,对事故发生负有直接责任,鉴于其在事故中死亡,建议免于追究责...
华微电子取得沟槽肖特基器件专利,极大程度地缓解漏电现象
沟槽肖特基器件形成贯穿金属硅化物层以及贯穿部分单晶层的沟槽,沟槽包括宽径区、窄径区和变径区,变径区为由窄径区过渡到宽径区的区域,宽径区和部分变径区位于单晶层内,解决势垒金属溅射困难的问题,进而极大程度地缓解漏电现象。
...形成方法专利,有助于减少晶体管中的短沟道效应,减少电极漏电现象
所述半导体结构的形成方法,包括如下步骤:形成衬底,所述衬底内具有沟槽;选择性沉积高K介质材料于所述沟槽的内壁,形成仅覆盖所述沟槽的内壁的第一介质层;于所述沟槽内形成覆盖于所述第一介质层表面的填充材料。本公开有助于减少晶体管中的短沟道效应,减少电极漏电现象,而且还能够减少介质层的量子隧穿效应,且简化了半...
沟槽式管接件产品知识科普及消费提示
1.查。查沟槽式管接件包装箱内是否有合格证、消防产品身份信息明码、检验报告等资料,并通过中国消防信息网(cccf)确认企业、自愿性证书和消防产品身份信息明码的真实性。2.看。看沟槽式管接件表面应平整光洁,应无加工缺陷及磕碰损伤,应无裂纹缩孔、冷隔、夹渣、气孔、疤痕等现象;涂层均匀牢固,应无气...
国家队加持,芯片制造关键技术首次突破
目前,罗姆在还在开发第五代沟槽技术(www.e993.com)2024年9月16日。图片来源:罗姆据罗姆官方表示,沟槽MOS结构是在外延层中形成沟槽(沟槽MOS)并用多晶硅填充的结构,这种结构可以缓和电场集中,从而可以降低外延层的电阻率,在正向施加时VF更低。另外,当反向施加时,可以缓和电场集中现象,从而实现更低的IR。英飞凌英飞凌并没有选择进入平面结构市场...
全球芯片关键技术研究最新进展
这款芯片基于可重构的集成光学微环阵列,在仅11mm×7mm的面积内集成了2712个元件,首次成功实现了完全可编程的光学人造原子晶格。同时研究人员在单一芯片平台上实现了包括动态拓扑相变、多晶格拓扑绝缘体、统计相关拓扑鲁棒性以及安德森拓扑绝缘体等多种拓扑现象的实验验证。
韩泰轮胎运用创新力量,解决出行难题与挑战
在胎面沟槽上,拥有四条纵向沟槽,宽度设计得相当均匀,从左到右分别为7.5mm、7.8mm、7.7mm、7.6mm,不仅有助于提高轮胎的排水性能,减少水滑现象的发生,同时也为轮胎提供了更加稳定的操控性能。除了沟槽设计,韩泰轮胎在花纹块设计上也展现了满满黑科技,通过噪声模拟和刚度分析技术,优化花纹块角度来降低噪音,花纹块上...
暖通施工工艺与现场|法兰|支架|风机_新浪新闻
空调风管道按要求保温,材质一般选用橡塑或玻璃棉,厚度按设计要求做,如采用橡塑保温,应首先使风管表面干净,采用专用橡塑胶水粘接即可,法兰处单独做一层保温,检查接口处,不能有任何开胶现象和气鼓现象为合格。如采用玻璃棉保温,应首先粘接保温钉,尽量选用保温钉比较粗的,按要求粘接保温钉,放保温板时尽量都穿透保温层,...
增强型M1H CoolSiC?? MOSFET的技术解析及可靠性考量
增强型M1HCoolSiC??MOSFET的技术解析及可靠性考量《增强型M1HCoolSiC??MOSFET的技术解析及可靠性考量》的演讲,深入剖析了CoolSiC??MOSFET的器件结构,以及M1H芯片在可靠性方面的卓越表现。点击视频可观看回放。1碳化硅的材料特性