IGBT窄脉冲现象解读
2022年5月24日 - 电子工程世界
以左右图为坐标对比,ton在当Vce和电流Ic越高时对关断过程影响越大,更容易出现电流突变现象。从测试看这个例子FF1000R17IE4,最小脉冲ton最为合理时间不要小于3us。大电流模块和小电流模块在这个问题上表现有差异吗?以FF450R12ME3中等功率模块为例,下图为不同测试电流Ic在ton变化时候的电压过冲。类似结果,小电...
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以左右图为坐标对比,ton在当Vce和电流Ic越高时对关断过程影响越大,更容易出现电流突变现象。从测试看这个例子FF1000R17IE4,最小脉冲ton最为合理时间不要小于3us。大电流模块和小电流模块在这个问题上表现有差异吗?以FF450R12ME3中等功率模块为例,下图为不同测试电流Ic在ton变化时候的电压过冲。类似结果,小电...