...巨头正聚焦于NAND闪存堆叠层的突破,以及DRAM先进制程节点和3D...

存储器巨头正聚焦于NAND闪存堆叠层的突破,以及DRAM先进制程节点和3DDRAM技术。受人工智能和大数据驱动,数据存储的需求激增,对存储技术的先进性提出了更高要求。在此背景下,存储器巨头之间的技术竞争日趋白热化。NAND闪存主要厂商正聚焦于堆叠层的突破。近期,《韩国经济日报》报道称,三星预计将于本月晚些时候量...

三星将在IEEE-SSCC上展示280层3D QLC NAND闪存和32Gb DDR5-8000内存

首先,该公司将展示新型280层3DQLCNAND闪存,密度为1Tb,可用于下一代主流固态硬盘和智能手机存储。该芯片的磁区密度为28.5Gb/mm??,速度为3.2GB/s。目前为旗舰NVMeSSD提供动力的最快3DNAND闪存类型的I/O数据传输速率大约为2.4GB/s。即将到来的2024年ISSCC日程表概述了...

全球NAND闪存行业下游需求扩大 3D、4D NAND为技术主流发展趋势

根据观研报告网发布的《中国NAND闪存行业发展趋势研究与投资前景分析报告（2023-2030年）》显示，长期来看，目前，2DNAND已经接近其缩放极限，很难实现进一步扩展。3DNAND主要通过在垂直堆栈中将多组存储单元进行相互层叠，以实现存储容量增加的目的，堆叠层数越高则意味着容量就越高，3DNAND技术可支持在更小的空间内...

3D闪存哪家强:姜还是三星的辣 长江仅次之

3D闪存哪家强:姜还是三星的辣长江仅次之近日,市场研究机构Techinsights对于三星、SK海力士/Solidigm、美光、铠侠(西部数据)、YMTC的200层以上的3DNANDFlash进行了对比分析,发现三星的垂直单元效率(VCE,verticalcellefficiency)是最高的。传统的NAND闪存单元采用平面晶体管结构,包括控制栅极(ControlGate)和浮...

紫光闪存UNIS SSD S2 Ultra:3D TLC颗粒,新玩家也有成熟表现

闪存颗粒方面，UNISSSDS2Ultra采用了原厂3DTLC晶圆，自主封装，单颗颗粒256GB，4颗共组成1TB。我们手里这款1TB容量版本，官方宣称可实现6300MB/s顺序读取速度以及5200MB/s顺序写入速度，并且拥有600TBW写入寿命，平均无故障时间高达150万小时，提供5年质保。包装盒内除了SSD本体，还附赠了一块厚度为1mm的石墨烯...

3D NAND,1000层

3D-NAND的层数有限制吗?回顾2DNAND,它采用平面架构,浮动栅极(FG)和外围电路彼此相邻(www.e993.com)2024年11月22日。2007年,随着2DNAND的尺寸达到极限,东芝提出了3DNAND结构。三星于2013年率先向市场推出了所谓的“V-NAND”。3D设计引入了多晶硅和二氧化硅的交替层,并将浮动栅极替换为电荷陷阱闪存(CTF)。这些区别既有技术上的...

三星将量产290层闪存,明年430层

SKHynix使用1Tb3DTLC器件展示其321层3DNAND工艺技术的实力可能是一个好兆头,该公司打算在此节点上构建高容量3D器件。与现有工艺节点相比,这种潜力意味着每比特成本降低。这为更高容量SSD和其他基于3DNAND闪存的存储设备奠定了基础。

300层之后,3D NAND的技术路线图

一个代表性的例子是“多值”。平面（2D）NAND闪存中开始引入的多级存储一直以2位/单元（MLC）方法为主，而3位/单元（TLC）方法仍然处于边缘地位。除了3DNAND闪存的第一个原型是MLC之外，TLC从一开始就成为主流。与平面NAND闪存相比，存储密度提高了1.5倍。3DNAND闪存进一步发展了多级存储技术，并将4bit/cell（...

3D Nor Flash,即将到来

从实际角度看,这一切意味着什么?这里的想法是提供2D和3DNOR闪存之间的成本效益比较。当前2DNOR闪存的1x是标准化的。无论您谈论的是哪个供应商(Macronix、Micron、Infineon),都没有关系。如果您想要使用现有的2D技术获得1GbNOR闪存,则必须堆叠两个512Mb2D芯片,这意味着成本增加2倍。

3D NAND,如何发展?

一个代表性的例子是“多值”。平面(2D)NAND闪存中开始引入的多级存储一直以2位/单元(MLC)方法为主,而3位/单元(TLC)方法仍然处于边缘地位。除了3DNAND闪存的第一个原型是MLC之外,TLC从一开始就成为主流。与平面NAND闪存相比,存储密度提高了1.5倍。