闪存颗粒到底是何物?浅析闪存及制程

由此,2DNAND真实的含义其实就是一种颗粒在单die内部的排列方式,是按照传统二维平面模式进行排列闪存颗粒的。相对应的,3DNAND则是在二维平面基础上,在垂直方向也进行颗粒的排列,即将原本平面的堆叠方式,进行了创新。利用新的技术(即3DNAND技术)使得颗粒能够进行立体式的堆叠,从而解决了由于晶圆物理极限而无法进一步...

国产NAND闪存突围,美国封锁下力压美光、三星!

在2022年，中国的长江存储（YMTC）凭借其创新的Xtacking3.0技术，在NAND闪存领域掀起了不小的波澜。长存成功推出了232层堆叠的TLC3DNAND，这一成就可谓是石破天惊。回想2016年，长江存储刚刚起步，与三星、美光、SK海力士等巨头相比，简直沧海一粟。就在那时，竞争对手们尚未实现232层技术的量产，连产品都仅停留...

全球NAND闪存行业下游需求扩大 3D、4D NAND为技术主流发展趋势

而在国内方面，长江存储在NAND领域取得不断突破，2020年成功研发128层3DNAND闪存产品，持续缩短与海外巨头之间的差距。为进一步提高存储容量，SK海力士推出4DNAND技术，并且在2022年宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层4DNAND闪存。4DNAND技术主要通过在3DNAND中利用单元下外围（PUC）技术，在单元下方形成外围...

存储器巨头正聚焦于NAND闪存堆叠层的突破,以及DRAM先进制程节点和...

业界预测,三星未来的第10代V-NAND预计将达到430层,届时将转向3层堆叠结构。展望未来,三星和铠侠(Kioxia)均已公布其研发1000层NAND闪存的计划。三星的目标是在2030年之前研发1000层NAND闪存,铠侠则计划在2031年之前量产超过1000层的3DNAND闪存芯片。DRAM存储器巨头们正聚焦于先进制程节点和3DDRAM技术。2024年3...

5年时间,三星要将3D NAND闪存,堆叠到1000+层

5年时间,三星要将3DNAND闪存,堆叠到1000+层众所周知,逻辑芯片技术前进方向是工艺越来越小,所以我们看到台积电等厂商,将芯片工艺不断的前进,从28nm,到22nm,14nm,再10nm、7nm……3nm。目前有两大晶圆厂商已经实现了3nm,那么接下来就是2nm、1.4nm、1nm……...

选择TLC B47R NAND颗粒,7300MB/s——希捷酷玩530 2TB使用评测

颗粒型号为IA7BG94AYA,即美光的B47R闪存颗粒,采用176层堆叠的3DTLCB47RNAND技术,读写延迟相比上代降低35%,采用了ONFI总线技术带宽提升了33%,单通道就可提供最高1600MT/s的速度(www.e993.com)2024年11月22日。读取速度最高可达7300MB/s,写入速度最高达6900MB/s,接近PCIe4.0接口的性能上限。

AI内存瓶颈(上):3D NAND路线图

也就是说,一个浮栅内电荷的变化都会引起别的浮栅电荷的变化,随着闪存制程减小,彼此间影响就越来越大(电容大小和距离成反比)。电荷俘获层由于使用绝缘层存储电荷,在根本上解决了串扰的问题。伴随着3DNAND技术兴起,电荷俘获技术逐渐成为主流,不过在性能上却不如浮栅技术。

忆联带你读懂闪存原理与颗粒类型

3DNAND发展趋势伴随着存储密度的持续提升,NAND闪存设计制造也正在经历从平面到立体、从2D到3D的演进。2DNAND的容量取决于单Die上容纳的单元数量以及每个单元可以存储的比特,其发展很容易遇到瓶颈。而相较于2DNAND的水平堆叠,3DNAND更像摩天大楼,利用纵向维度,把闪存颗粒在立体空间内进行多层垂直堆叠。

3D NAND,1000层

增加3DNAND器件中的有源层数量是当今提高闪存记录密度的最佳方法,因此所有3DNAND制造商都努力每1.5到2年就推出新的工艺节点来实现这一目标。每个新节点都会带来一些挑战,因为3DNAND制造商必须增加层数并横向和纵向缩小NAND单元。这个过程要求制造商在每个新节点都采用新材料,这是一项重大的研发挑战...

4 倍标称容量 TLC 闪存实现 60DWPD 耐久,技嘉 AI TOP 100E 固态...

在此基础上,该系列固态硬盘又再将1/4的闪存颗粒作为额外预留空间(即额外OP区域),进一步缓解NAND闪存的磨损,提升固态硬盘的耐久性。这种超出常规的NAND闪存容量配置,也解释了为何技嘉AITOP100E的最大读写功耗均可达到10W以上。此外,该固态硬盘搭载群联PS5018-E18主控,按常见的1:1000...