三星计划2026年实现400层NAND闪存,2030年将超过1000层

三星在2013年推出了第一款量产的3DNAND存储器,称为V-NAND,并因此领先于竞争对手。三星是从24层V-NAND开始,逐渐积累了丰富的经验,目前最新量产的是第9代V-NAND,层数达到了290层。据TrendForce报道,随着人工智能(AI)的蓬勃发展,市场除了HBM这类高带宽存储器,也需要更多层数的NAND闪存,这是大型数据中心大容量SSD...

韩媒:中国在CPU、GPU、NAND、DRAM领域全面追赶

NAND与DRAM的领先地位在NAND闪存方面，长存科技曾是全球首家推出232层3DNAND闪存的厂商，尽管经历了多次打压，但其技术水平依然处于全球领先地位，已不亚于三星和SK海力士等企业。近期，长存更是积极推动国产替代，合作国产设备，逐步缩小与国际巨头的差距。而在DRAM领域，长鑫的产品已发展到第六代LPDDR5，与三星的LPD...

闪存颗粒到底是何物?浅析闪存及制程

利用新的技术(即3DNAND技术)使得颗粒能够进行立体式的堆叠,从而解决了由于晶圆物理极限而无法进一步扩大单die可用容量的限制,在同样体积大小的情况下,极大的提升了闪存颗粒单die的容量体积,进一步推动了存储颗粒总体容量的飙升。同时,在业界,根据在垂直方向堆叠的颗粒层数不同,和选用的颗粒种类不同,3DNAND颗粒又可以...

国产NAND闪存突围,美国封锁下力压美光、三星!

三星和SK海力士等竞争对手迅速抓住机会，加速推出232层3DNAND闪存产品，甚至跨越到300层的水平，比如美光推出的296层G93DNAND。这一系列行动直指长存，似乎希望其在这股强大压力之下止步不前。然而，长存并不会轻言放弃，任凭外部环境再艰难，它依然铆足了劲，面对挑战，寻求突破。长江存储知难而退，开始联手国...

全球NAND闪存行业下游需求扩大 3D、4D NAND为技术主流发展趋势

根据观研报告网发布的《中国NAND闪存行业发展趋势研究与投资前景分析报告(2023-2030年)》显示,长期来看,目前,2DNAND已经接近其缩放极限,很难实现进一步扩展。3DNAND主要通过在垂直堆栈中将多组存储单元进行相互层叠,以实现存储容量增加的目的,堆叠层数越高则意味着容量就越高,3DNAND技术可支持在更小的空间内容纳更...

铠侠雄心壮志,目标 2027 年 3D NAND 闪存实现 1000 层堆叠

IT之家6月28日消息,铠侠(Kioxia)结束为期20个月的NAND闪存减产计划,日本两座工厂生产线开工率提升至100%之后,上周披露了其3DNAND路线图计划(www.e993.com)2024年11月22日。根据PCWatch和Blocks&Files的报道,铠侠目标在2027年达到1000层的水平。

存储器巨头正聚焦于NAND闪存堆叠层的突破,以及DRAM先进制程节点和...

存储器巨头正聚焦于NAND闪存堆叠层的突破,以及DRAM先进制程节点和3DDRAM技术。受人工智能和大数据驱动,数据存储的需求激增,对存储技术的先进性提出了更高要求。在此背景下,存储器巨头之间的技术竞争日趋白热化。NAND闪存主要厂商正聚焦于堆叠层的突破。

三星首款3D垂直NAND闪存面世 闪存容量将提升

对生产存储容量更大的闪存片来说,最关键的挑战在于它的尺寸。因为随着密度的增加,晶体间互相干扰和闪存故障的几率也相应增加,所以想制作一款容量大尺寸小的闪存,还是存在一定的难度。不过近日,制造商三星在这点上有了新的突破,它正大批生产首款3D垂直NAND闪存,也可称其为V-NAND。

3D NAND,只能堆叠?

最终,3DNAND技术成为了新的发展方向,传统NANDFlash采用平面设计,而3DNAND是以则由原本平铺的存储单元所堆叠而成,由传统单层存储提升至高达上百层的堆叠,让其存储容量相较于传统2DNANDFlash有了大幅提升。直到今天,3DNAND也在持续推动着整个存储市场的发展,但行业内的对NAND未来发展方向的争议却似乎从未...

3D NAND,1000层

增加3DNAND器件中的有源层数量是当今提高闪存记录密度的最佳方法,因此所有3DNAND制造商都努力每1.5到2年就推出新的工艺节点来实现这一目标。每个新节点都会带来一些挑战,因为3DNAND制造商必须增加层数并横向和纵向缩小NAND单元。这个过程要求制造商在每个新节点都采用新材料,这是一项重大的研发挑战...