全球最高级别321层闪存量产 读取性能提升13%

SK海力士公司近日宣布开始量产全球最高级别的321层1Tb(太字节)TLC(TripleLevelCell)4DNAND闪存。与上一代产品相比,这款新型闪存的数据传输速度和读取性能分别提升了12%和13%,同时数据读取的能效也提高了超过10%。SK海力士表示,他们从2023年6月起开始供应目前市场上的最高级别的上一代238层NAND闪存产品,并计划...

SK海力士:将进一步完善321层NAND闪存,拟2025年量产

当地时间8月8日,SK海力士在美国加利福尼亚州圣克拉拉举办的“2023闪存峰会”上,公布了321层1TbTLC(TripleLevelCell)4DNAND闪存开发的进展,并展示了现阶段开发的样品。SK海力士宣布,将进一步完善321层NAND闪存,并计划于2025年上半期开始量产。

SK海力士宣布开发16层HBM芯片,预计明年上半年开始出货

SK海力士从今年3月开始向英伟达供应8层HBM3E，9月开始量产最新的12层HBM3E产品。该公司预计将在明年上半年开始出货16层的HBM3E芯片，并在下半年推出下一代HBM4芯片。郭鲁正表示，SK海力士计划在生产16层HBM3E芯片时，采用以前用于12层产品的先进的大规模回流模压下填充（MR-MUF）工艺。MR-MUF是该公司于2019年首...

消息指 SK 海力士加速 NAND 研发,400+ 层闪存明年末量产就绪

IT之家8月1日消息,韩媒ETNews报道称,SK海力士将加速下一代NAND闪存的开发,计划2025年末完成400+层堆叠NAND的量产准备,2026年二季度正式启动大规模生产。SK海力士此前在2023年展示了321层堆叠NAND闪存的样品,并称这一颗粒计划于2025上半年实现量产。▲SK海力士321层NA...

SK海力士准备通过混合键合技术生产400层NAND 321层工艺已投产

SKHynix的目标是在2025年底开始量产400层NAND,而321层NAND则在2025年上半年投产。通过400层NAND实现更高的存储容量是SKHynix的新目标,继2025年上半年投产321层NAND之后,将于2025年底投产400层NAND。对更高存储容量的需求永无止境,SK海力士的新计划是为未来的存储驱...

SK海力士将展示 AI 内存新品:12 层 HBM3E、321-high NAND等

SK海力士去年在FMS活动中宣布开发出业界最高的321层NAND，今年也将展示诸多AI领域的新产品，包括12层HBM3E（预计在第三季度量产）和321-highNAND（明年上半年开始出货）(www.e993.com)2024年11月21日。IT之家附上SK海力士即将展示的新产品如下：从左上开始，顺时针依次为321层NAND闪存、ZUFS4.0、PS1010和...

SK 海力士 8 月 6 日将展示 AI 相关新品:12 层 HBM3E、321-high...

SK海力士去年在FMS活动中宣布开发出业界最高的321层NAND,今年也将展示诸多AI领域的新产品,包括12层HBM3E(预计在第三季度量产)和321-highNAND(明年上半年开始出货)。IT之家附上SK海力士即将展示的新产品如下:从左上开始,顺时针依次为321层NAND闪存、ZUFS4.0、PS1010和PCB01...

SK 海力士率先展示 UFS 4.1 通用闪存,基于 V9 TLC NAND 颗粒

SK海力士此次展示了两款UFS4.1通用闪存,容量分别为512GB和1TB,均基于321层堆叠的V91TbTLCNAND闪存。而在V9NAND闪存上,SK海力士不仅有展示已公布的1Tb容量、2.4Gbps速率TLC,还首度展出了容量业界领先的3.2GbpsV92TbQLC以及3.6Gbps高速V9H1TbTLC颗粒。

SK海力士将在2025年底量产400层NAND

8月3日消息,据etnews报道,SK海力士计划在2025年上半年量产321层NANDFlash之后,在2025年底开始量产400层NANDFlash,并希望在2026年上半年过渡到大规模生产。然而,要想量产高达400层的NANDFlash并不容易,生产过程中需要用到多种键合技术。SK海力士已经在审查用于键合的新材料,并研究各种技术,这些技术将允许通过抛光...

SK海力士展示旗下新一代存储产品,包括UFS 4.1和V9 TLC/QLC NAND等

值得注意的是,这次SK海力士首度展出了接口速率达到3.2Gbps的V92TbQLCNAND闪存,以及3.6Gbps的V9H1TbTLCNAND闪存。目前SK海力士的NAND闪存堆叠层数已达到321层,为业界最高水平。