NAND闪存价格下跌,存储厂商考虑减产
由于IT需求低于预期,NAND闪存的价格已经开始下滑。据报道,主要存储公司正计划调整其利用率,未来可能将投资重点转向DRAM。三星电子、SK海力士、美光和铠侠等主要企业正在考虑降低NAND利用率和削减投资的计划。据报道,主要NAND生产线的利用率在2023年下降到20%~30%之后,在2024年初短暂恢复到80%~90%。然而,除大容量NA...
三星计划2026年实现400层NAND闪存,2030年将超过1000层
三星是从24层V-NAND开始,逐渐积累了丰富的经验,目前最新量产的是第9代V-NAND,层数达到了290层。据TrendForce报道,随着人工智能(AI)的蓬勃发展,市场除了HBM这类高带宽存储器,也需要更多层数的NAND闪存,这是大型数据中心大容量SSD的理想选择,而三星的目标是2026年推出400层垂直堆叠的NAND闪存,以便在激烈的市场竞争中...
全球NAND需求增三倍 SSD或将再次涨价
全球NAND需求增三倍SSD或将再次涨价据Kioxia（铠侠）预计，由于人工智能对数据存储的旺盛需求，到2028年，NAND闪存的需求将增长2.7倍。为了应对未来需求，铠侠将在未来几年引入新的工艺技术并进一步扩张产能，以满足即将到来的NAND需求井喷。据外媒消息，铠侠正扩大其在日本的生产能力以支持未来增长。特别是铠侠正推...
闪存颗粒到底是何物?浅析闪存及制程
利用新的技术(即3DNAND技术)使得颗粒能够进行立体式的堆叠,从而解决了由于晶圆物理极限而无法进一步扩大单die可用容量的限制,在同样体积大小的情况下,极大的提升了闪存颗粒单die的容量体积,进一步推动了存储颗粒总体容量的飙升。同时,在业界,根据在垂直方向堆叠的颗粒层数不同,和选用的颗粒种类不同,3DNAND颗粒又可以...
三星宣布启动首批第九代V-NAND闪存量产
环球网科技综合报道4月23日消息,三星半导体今日宣布,其第九代1TbTLCV-NAND闪存已开始量产。三星电子闪存产品与技术主管SungHoiHur表示:“我们很高兴推出三星首款第九代V-NAND产品,这将为未来应用的飞速发展提供新的可能性。为了满足持续演进的NAND闪存解决方案需求,三星在新型闪存的单元架构和操作方案上...
国产NAND闪存突围,美国封锁下力压美光、三星!
国产NAND闪存突围，美国封锁下力压美光、三星！国产存储的腾飞在2022年，中国的长江存储（YMTC）凭借其创新的Xtacking3.0技术，在NAND闪存领域掀起了不小的波澜(www.e993.com)2024年11月22日。长存成功推出了232层堆叠的TLC3DNAND，这一成就可谓是石破天惊。回想2016年，长江存储刚刚起步，与三星、美光、SK海力士等巨头相比，简直沧海一粟。...
NAND闪存二季度涨价15% 三季度还要涨!但卖不动了
快科技9月10日消息，根据集邦咨询的最新数据，2024年第二季度全球NAND闪存的平均售价上涨了15％，主要源于服务器终端库存调整基本完成，加之AI推动大容量存储需求。但因为PC、智能手机厂商库存仍然偏高，NAND闪存的出货量增长放缓，二季度环比减少了1％，总营收达167.96亿美元，环比增长14.2％。第二季度起，所有的...
TrendForce:2024年Q2NAND 闪存市场总营收达到167.96亿美元 环比跃...
根据TrendForce集邦咨询的最新报告,2024年第二季度NANDFlash市场出货量环比增长14.2%。尽管出货量较上一季度轻微下降1%,但平均销售单价上涨15%,总营收达到167.96亿美元,环比增长14.2%。报告指出,尽管PC和智能手机市场库存较高,影响了NANDFlash的出货量,但服务器终端库存调整结束以及AI应用的增长为市场带来了积极影响...
中国NAND闪存行业发展趋势研究与投资前景分析报告(2023-2030)
1、NAND闪存概述NAND闪存是一种通过在氮化硅的内部补集点捕获电子或空穴来存储信息的设备。在这种设备中,工作区和栅极间会留有通道供电流通过硅晶片表面,而根据浮置栅极中存储的电荷类型,便可进行存储编程(“1”)和擦除(“0”)信息的操作。同时,在一个单元内存储1个比特的操作被称为单层单元(SLC)。氮化硅内部...
海力士抢先展示UFS 4.1闪存:基于V9 TLC NAND颗粒打造
海力士抢先展示UFS4.1闪存:基于V9TLCNAND颗粒打造快科技8月9日消息,在FMS2024峰会上,SK海力士展示了其最新的存储产品,包括尚未正式发布规范的UFS4.1通用闪存。据JEDEC固态技术协会官网信息,目前公布的最新UFS规范是2022年8月的UFS4.0,其理论接口速度高达46.4Gbps,预计UFS4.1将在传输速率上实现进一步的提升...