2023年中国功率半导体(IGBT)供应量占全球29%
IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有(MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(GTR)的低导通压降两方面的优点。IGBT优点1、具有更高的电压和电流处理能力。2、极高的输入阻抗。3、可以使用非常低的电压切...
IGBT背后的男人,彻底改变了新能源汽车,获巨额奖金
Baliga在现有的功率MOSFET生产线上完美地开发了IGBT产品,并在掩模和制造工艺设计方面一丝不苟地关注细节,这对其成功至关重要。成功抑制了IGBT中的寄生晶闸管闩锁问题,并为MOS门控器件创建了电子辐照寿命控制过程,使IGBT能够方便地定制以用于广泛的应用。通用电气为消费、工业和照明行业生产的广泛产品组合为...
国内IGBT/SiC模块相关企业分布图(附名单)
它由MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)和BJT(双极型晶体管)复合而成,兼具两者优点,具有开关速度快、损耗低、可靠性高等特点。IGBT在电力电子领域应用广泛,是能量转换和传输的核心器件,被誉为电力电子器件的“CPU”。IGBT的应用领域极其广泛,包括但不限于变频器、逆变器、电力传输和分配系统、电动汽车、高速铁路、可...
一文搞懂IGBT
IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有(MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(GTR)的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;(因为Vbe=0.7V,而Ic可以很大(跟PN结材料和厚度有关))MO...
应用在隔离的IGBT模块中的光电耦合器
应用在隔离的IGBT模块中的光电耦合器IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,...
功率半导体大厂,都在走这条路
势不可挡的电动化趋势,量价齐升的需求空间,让车规功率半导体如绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和碳化硅(SiC)功率器件等产品的重要性愈发凸显(www.e993.com)2024年10月20日。不管是国内还是国外,不论是半导体厂商还是车企,皆加快了对车用功率半导体的布局。
SiC MOSFET模块的激光焊锡在新能源汽车领域的高精密应用
其中,SiCMOSFET(碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管)模块作为新一代功率半导体器件,正逐步成为新能源汽车领域的核心组件。而激光焊接技术以其高精度、高效率和非接触式等优势,在SiCMOSFET模块的封装与制造中发挥着关键作用。本文将从汽车SiCMOSFET模块的市场前景、MOS模块的应用领域以及激光焊锡对MOS管的焊接优势三...
光伏并网逆变器的分类及原理
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。
打算设计快充产品?不如先看看这些广受好评的意法半导体器件
意法半导体VIPER28是一颗开关电源主控芯片,芯片内部集成800V高压MOS管,集成高压启动和采样管,采用电流模式控制。芯片开关频率为115kHz,支持抖频提升EMI性能。该器件集成双电平OCP、输出过压、短路过压、短路和热关断等多项保护功能。故障消除后,电路会自动重新启动。
定义充电新时代:32家功率器件领军企业齐聚2024春季亚洲展
深圳市美浦森半导体有限公司2014年成立,总部位于中国改革创新前沿的深圳蛇口,是一家专业功率半导体元器件设计公司。公司产品包括中大功率场效应管(高中低压全系列产品,TrenchMOSFET/SGTMOSFET/SuperJunctionMOSFET/PlanarMOSFET),SiC二极管、SiCMOSFET等系列产品。