Nano-Micro Letters:面向存储和存算一体的新型铁电AlScN综述

为了突破这些瓶颈,近年来出现了NVIDIA的多核图形处理器(GPU)和谷歌的张量处理器(TPU),以及基于非易失性存储器(NVM)的存内计算(IMC)技术(图1b)。铁电存储器(FeM)器件由于低功耗、高运行速度和优秀的疲劳特性,在IMC应用方面具有独特优势(图1c)。图1(a)VonNeumann体系结构中的内存和CPU。(b)提高算力的技术...

周益春教授团队:深耕信息存储 矢志科技报国

铁电存储器是一种利用铁电材料的双稳态极化来进行信息存储的新型非易失性存储器。美国和日本等发达国家在上世纪末已经实现了锆钛酸铅（PZT）基铁电存储器的研制。因具有极优异的抗辐照性能、功耗低和写入速度快等优势，铁电存储器已成为战术导弹和卫星等装备信息存储的核心芯片，还广泛应用医疗电子、交通、工业控制等...

铁电薄膜的多外场调控

基于挠曲电效应对界面处势垒高度和宽度的控制，Zhang等人[38]系统地研究了探针压力对BFO薄膜极化翻转时位移电流的调控行为，发现探针压力增大一个数量级对应着位移电流2—3个数量级的提高，有利于铁电存储器的小型化。图5力场调控导电特性(a)探针压力改变p型Si(p-Si)—电极界面肖特基势垒的示意图，由φ′p降低...

新型存储之我见(科普长文)

FeRAM也就是铁电存储器,这个铁电和金属铁没有关系,是一种包含可以自发极化的铁电体晶体材料。它有两种状态,可以通过外部电场逆转。当对铁电晶体施加电场时,中心原子沿电场方向在晶体中移动。当一个原子移动时,它会穿过一个能垒,导致电荷击穿。内部电路对电荷击穿作出反应并设置存储器。去除电场后,中心原子保持极化...

ReRAM新型存储器如何影响未来存储格局?

2.铁电存储器(FRAM或FeRAM,FerroelectricRAM)FRAM并非使用铁电材料,只是由于存储机制类似铁磁存储的滞后行为,因此得名。FRAM晶体材料的电压-电流关系具有可用于存储的特征滞后回路。图5:FRAM原理(资料来源:ObjectiveAnalysis)FRAM优势在于读写速度快、寿命良好,但其存储单元基于双晶体管,双电阻器单元,单元尺寸至...

铁电随机存取存储器 (FeRAM / FRAM) 技术

铁电存储器(FRAM),也称为F-RAM或FeRAM,是一种读写速度快的随机存取存储器,结合了断电后数据保留的能力(如只读存储器和闪存),是个人电脑最常用的类型记忆(www.e993.com)2024年11月17日。由于它不像动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)那样密集,也就是说,它无法在相同的空间中存储尽可能多的数据。换句话说,它无法取...

新型存储器专题交流纪要

SRAM是静态随机存取存储器，它的速度非常快，但是需要浪费大量晶体管来存储数据，现在SRAM作为单独的芯片几乎看不到了，大多早就被整合到SoC核里，变成L2缓存了。DRAM叫“动态随机存取存储器”，也就是常说的内存条，而大家看到的DDR5内存，实际是指DDRSDRAM第5代内存技术标准。DDR只是DRAM其中的一种技术标准。国...

带存储器的晶体管:FeFET

多年来,IMEC倚靠其长期在先进3DNAND闪存技术开发中积累的经验,以及为基于PZT的铁电存储器的早期研究而开发的设备和产线,而一直专注于类3DNAND垂直FeFET的开发。自2016年以来,IMEC及其合作伙伴制定了一项垂直FeFET的工业联盟计划。在该计划的框架内,合作成员共同应对3DFeFET的工艺,特性和可靠性等主要技术挑战。