【开源北交所】光刻胶+原材料壁垒突破,“专精特新”企业助力国产...

光刻胶曝光波长越短,则加工分辨率越高,能够形成更小尺寸和更精细的图案,目前最先进的光刻胶曝光波长已经达到了极紫外光波长范围为EUV光刻胶。半导体光刻胶技术壁垒主要集中于1)原材料端:光刻胶的原材料包括树脂、光酸、添加剂和溶剂,我国原材料自给率总体较低,特别树脂原材料,成本占比接近50%,且高端树脂国产化...

中国光刻机突破之后,光刻胶方向机会突显,几家光刻胶公司对比

二、光刻胶方面的公司主要有南大光电、彤程新材、晶瑞电材、华懋科技、容大感光、飞凯材料、上海新阳等导体光刻胶按曝光波长可分为g线、i线到KrF、ArF、EUV光刻胶，波长越短加工的分辨率就越高，难度就越大。随着芯片制程越来越小，芯片线宽也变得更小，KrF和ArF越来越成为主流。但目前从市场占有率来说，国内...

我国光刻胶处于由中低端向中高端过渡阶段 国产化有很大提升空间

按曝光光源波长划分，可分为g线光刻胶（436nm）、i线光刻胶（365nm）、KrF光刻胶（248nm）、ArF光刻胶（193nm）和EUV光刻胶（13.5nm）。按照下游应用领域，可分为IC光刻胶、PCB光刻胶、LCD光刻胶。二、行业市场发展情况根据观研报告网发布的《中国光刻胶行业发展深度研究与未来投资预测...

光刻胶最核心龙头,供货华为、比亚迪,芯片中的“长江电力”!

半导体光刻胶按曝光波长可分为g线、i线到KrF、ArF、EUV光刻胶,波长越短加工的分辨率就越高,难度就越大。随着芯片制程越来越小,芯片线宽也变得更小,KrF和ArF越来越成为主流。但目前从市场占有率来说,国内大部分市场份额被东京应化、住友化学等日本厂商所占据。尤其是在高端光刻胶方面,KrF国产化率只有10%,A...

光刻胶的主要技术参数

3)敏感度(Sensitivity)。光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长光的最小能量值(或最小曝光量)。单位:毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光(DUV)、极深紫外光(EUV)等尤为重要。4)粘滞性/黏度(Viscosity)。衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加;...

意义重大!我国光刻胶迎新突破,为EUV光刻胶铺路

光刻胶曝光波长越短,则加工分辨率越高,能够形成更小尺寸和更精细的图案(www.e993.com)2024年11月4日。随着集成电路制造技术的不断进步和器件特征尺寸的不断缩小,目前最先进的光刻胶曝光波长已经达到了极紫外光波长范围,也就是我们所说的EUV,曝光波长为13.5nm,而上一代ArF光刻胶为193nm,光是从数字上看,就能明白到底有多难。

【科普】芯片制造工艺:光刻(中)--新曝光方式之电子束、X射线...

1.使用更长的波长(例如1nm)来减少光电子横向扩散。2.更长的波长也意味着更薄的金吸收体,可以精确地图案化。(厚金可能没有垂直侧壁,导致边缘模糊。)3.使用更小的间隙和更薄的光刻胶。较薄的光刻胶有利于具有较小穿透深度(更多吸收)的较长波长。

疆亘观察|半导体国产替代的重要一环:光刻胶

化学放大型:光致产酸剂PAG吸收光生成酸，催化成膜树脂发生脱保护反应，实现树脂由不溶于显影液向溶于显影液的转变，即通过曝光与烘烤改变光刻胶显影液中的溶解速度。酸作为催化剂不会被消耗，从而将光信号放大为化学信号。光刻胶性能的评估主要集中在三大核心性能上：分辨率、粗糙度与灵敏度。这三者间存在着微妙的...

合洁科技电子洁净工程:光刻生产为什么要使用黄光洁净厂房?

1、避免光刻胶的意外曝光:光刻胶的感光范围通常涵盖紫外线、紫光和蓝光波段(大约在200nm至500nm之间)。这些波长的光线能够引发光刻胶的化学反应,导致其在非预期区域曝光。因此,在光刻过程中,必须严格避免这些波长的光线进入无尘车间。黄光(波长较长,主要在570nm至590nm之间)不在光刻胶的感光范围内,因此使用黄光...

光刻工艺技术专题(三):低成本光刻技术之激光直写光刻

标准激光直写光刻的分辨率由阿贝-瑞利极限x=k1*λ/NA决定,取决于曝光波长λ和投影物镜的数值孔径NA。工艺因子k1取决于光束形状、光刻胶和其他工艺条件。激光直写光刻的k1常见值约为1.0.大多数激光直写光刻系统的波长在350~450nm,数值孔径可达0.85。因此激光直写光刻的分辨率极限为300~500nm。