中国极紫外光刻实现重要技术飞跃

例如,荷兰半导体设备企业ASML制造的最尖端DUV曝光设备的分辨率不到38纳米,覆盖准确度为1.3纳米,远远领先于中国产品。使用更短波长的极紫外线(EUV)曝光设备已经在13.5纳米波长下启动,已经商用化。光刻技术是利用光在半导体基板(硅晶片)上刻上复杂电路模式的核心工程,是制造尖端半导体所必需的。我国以半导体自立为目...

波长光电:公司产品在半导体及泛半导体行业的应用主要包括半导体...

同花顺(300033)金融研究中心05月13日讯,有投资者向波长光电(301421)提问,你好董秘,公司是否有EUV极紫外光源系统产品或相关技术储备公司回答表示,您好!公司产品在半导体及泛半导体行业的应用主要包括半导体光刻、封测、PCB面板、显示等领域,比较有代表性的产品有皮秒、飞秒紫外远心场镜、PCB精密激光微加工镜头、平行光...

“光刻机光源” 划时代突破,背靠中科院,市占率80%,只有垄断性

随着芯片制造工艺的不断进步,对光源的要求也越来越高,极紫外光源(EUV)因其短波长、高分辨率等特性,成为生产先进制程芯片的关键技术。中国在EUV光刻机光源系统的研发上取得了重大突破。中国科学院长春光学精密机械与物理研究所成功研发出EUV光源工程化样机,这一成就不仅打破了国外技术的垄断,更为国内半导体产业的自主可...

上海微电子公开“极紫外辐射发生装置及光刻设备”的发明专利

极紫外光刻技术(EUVlithography)是一种使用波长为13.5纳米的极紫外光作为光源的下一代光刻技术,广泛应用于半导体制造中,是面向7nm及以下节点的主流光刻技术。由于极紫外光被几乎所有光学材料强烈吸收,因此EUV光刻机的光学系统必须采用全反射光学系统。此外,极紫外光刻技术的关键在于高功率激光击打金属锡,产生等离子体...

极紫外光刻技术获突破:可大幅提高能源效率,降低半导体制造成本

8月2日,冲绳科学技术大学院大学(OIST)的教授新竹俊(TsumoruShintake)提出了一种极紫外(EUV)光刻技术。基于这种设计的EUV光刻技术可以使用更小的EUV光源工作,从而降低成本,显著提高机器的可靠性和使用寿命。而在消耗电量上不到传统EUV光刻机的十分之一,有助于半导体行业变得更加环境可持续。

极紫外光刻新技术问世

据日本冲绳科学技术大学院大学(OIST)官网最新报告,该校设计了一种极紫外(EUV)光刻技术,超越了半导体制造业的标准界限(www.e993.com)2024年11月14日。基于此设计的光刻设备可采用更小的EUV光源,其功耗还不到传统EUV光刻机的十分之一,从而降低成本并大幅提高机器的可靠性和使用寿命。

光刻机的故事(上):如何用极紫外光制造电路板?

EUV光刻技术在几个重要方面与半导体行业早期使用的光刻技术有所不同,尤其是光源。EUV光刻使用高功率激光每秒焚烧50,000滴锡(每滴测量30微米,即3000万分之一米)来产生极端紫外线光。由于EUV光被空气和玻璃吸收,因此需要特殊的镜子(是有史以来生产的最完美的材料之一)来引导光通过掩模并在真空室中照...

替代EUV光刻机光源,日本方案详解

由式(4)可知,波长与电子束能量的平方成反比,Ee=γmec2。通常,磁周期为几厘米,波动参数的均方根在1左右。因此,由于电子束能量低,cERL用FEL波动器产生红外光来代替极紫外光。到目前为止,只有振荡器FEL在ERL中工作,而SASE-FEL从未在ERL布局中工作。SASE-FEL通常比振荡器FEL要求更高的峰值电流和电子束质量。如果...

极紫外光刻新技术问世,超越半导体制造业的标准界限

据科技日报报道称,日本冲绳科学技术大学院大学(OIST)官网最新报告,该校设计了一种极紫外(EUV)光刻技术,超越了半导体制造业的标准界限。基于此设计的光刻设备可采用更小的EUV光源,其功耗还不到传统EUV光刻机的十分之一,从而降低成本并大幅提高机器的可靠性和使用寿命。

图说光刻机的4大核心技术

I就是浸没式的意思,Immersion的缩写。光线在经过水时,会有折射,所以虽然ArFi光刻机采用193nm波长光源,等经水折射时,等效于134nm波长的光源,所以这种光刻机,叫做浸润式光刻机。EUV(极紫外光刻):EUV代表"ExtremeUltravioletLithography",即极紫外光刻技术。它使用波长大约为13.5纳米的极紫外光进行芯片制造过程中的...