中国光刻胶,离日本还有多大差距?

按曝光光源和辐射源的不同就分得更细了,可分为紫外光刻胶、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻完成后的晶圆片每类都有前面说的正负性之分,品种规格很多,非常复杂,对应的配方和生产技术也简单不了,但总体上都包括三种成分:感光树脂、增感剂和溶剂。光刻胶的使用范围相当广,显示面板、...

光刻技术,有了新选择

光源的波长是影响光刻精度的主要原因，由于光源波长的限制，X射线曝光可达到50nm左右的精度，深紫外光源的曝光精度在100nm左右，而电子的波长较小，因而电子束光刻的加工精度可以达到10nm以内。电子束光刻以其分辨率高、性能稳定，成本相对较低的特点，因而成为人们最为关注的下一代光刻技术之一。电子束光刻按照曝光方式...

光刻工艺技术专题(三):低成本光刻技术之激光直写光刻

无需光刻胶的激光直写材料加工工艺(LDWP)也采用了类似的工作原理。LDWL使用标准的激光光源。LDWP的光源为高功率飞秒脉冲激光器,可以直接对材料进行加工。早期的LDWL系统主要用于制作光刻掩模,可作为电子束掩模直写设备的高性价比替代方案。激光直写系统的曝光率取决于聚焦光束的形状及其在光刻胶上的扫描/运动方式。

双光束超分辨光刻技术的发展和未来 | 科技导报

基于高数值孔径物镜聚焦的光束光刻(opticalbeamlithography,OBL)技术是三维纳米加工的一种有效途径(图1(b))。然而,光的衍射特性导致无法在光束光刻技术系统中实现亚衍射或纳米分辨率。即使是应用聚合光抑制策略,由于缺乏大的双光子吸收截面、高机械强度和足够光抑制功能的光树脂,也无法实现与电子束光刻相媲美的特征尺...

国产进入新一轮研发潮:电子束曝光机市场与企业盘点

优的国产化电子束光刻设备包括中国电子科技集团有限公司第四十八研究所在2005年通过验收的DB-8型号电子束曝光设备,对应0.13μm的半导体制程;中国科学院电工研究所2000年完成的DY-70.1μm电子束曝光系统可加工80nm的间隙,在2005年交付的基于扫描电镜改装的新型纳米级电子束曝光系统,其系统分辨率可达30nm,束斑直径6...

汉诺威团队研发投影光刻新方法,几秒甚至数百毫秒就能造出二维微纳...

模版通常需要电子束光刻等技术来制备,这会导致额外的成本投入和时间投入(www.e993.com)2024年11月25日。尽管光学投影光刻技术已被开发用于光学器件的制备。但是,这些方法目前只能实现微米级的分辨率,更高精度的光学加工依然面临挑战。在支持高精度加工的紫外投影光刻技术面世以前,人们主要通过激光直写技术来加工微纳器件。

2024,中国芯片还需要DUV光刻机吗?

由于更先进的EUV光刻设备早在2019年被禁运，此次被限制出口的2050i，2100i基本上可以视作当前最先进的一批DUV光刻机型号，广泛应用于40nm以下的制程产能中，对应28nm、14nm、10nm、7nm四个主要制程节点。作为1980di机型的升级版，2050i，2100i同属采用193nm波长光的浸润式光刻设备，借助多重曝光等技术，具备生产7nm...

谁能挑战EUV光刻“霸权”

谁能挑战EUV光刻“霸权”极紫外光(EUV)光刻技术是目前最先进的光刻技术,它可用于制造制程小于7nm的芯片,但也面临着技术难、成本高、产能低、良品率低等挑战。因此,许多研究机构和企业都在探索其他的先进制程技术,诸如纳米压印、电子束光刻等,在精度、成本与效率等方面赶超EUV光刻技术,挑战荷兰ASML公司在超精细...

UV-LED显微投影光刻

在实验室规模上,目前可通过比如双光子光刻、电子束光刻或离子束光刻等技术来制备高精度微纳米元件,但相应的加工系统通常非常昂贵且加工效率不够高。纳米压印技术能够以高产量实现高分辨率的结构。然而,这项技术需要高精度的母版,这导致额外的成本和时间投入。

极端制造 | 近零粘附使能的无损晶圆级光刻胶转印技术

为了证明这种基于光刻胶的nTP技术能够在难加工衬底上可靠原位制造高精度的跨尺度结构,作者将电子束光刻后的图案化PMMA薄膜无损转印至各种与电子束光刻不兼容的难加工衬底上,构建共形贴附的纳米掩膜,可以避免掩膜与衬底之间由于存在间隙造成的阴影效应。如图4所示,作者分别将图案化的PMMA薄膜转印至曲面衬底(凹面/凸面)、...