彻底弄清MOS管 (NMOS为例

好,到我们敲黑板知识点:PMOS的全称叫P沟道MOS管,容易想出沟道是什么类型取决于S和D端掺杂的是什么类型,立即推:S和D端区域写了N,管子就是NMOS;S和D端区域写了P,管子就是PMOS。好,继续敲黑板知识点:MOS管的标准符号中,衬底的箭头方向指的是衬底中“电子”的移动方向,上述的NMOS管中衬底里的电子被栅极高电压...

上海华力微申请改善 FDSOI 外延生长的方法及 FDSOI 器件制造方法...

并在PMOS区域中的周边区域生长一层第一掺杂的外延层;在第一掺杂的外延层表面生长第二层侧壁;将NMOS区域中的周边区域覆盖的第一层侧壁去除,并在NMOS区域中的周边区域生长一层第二掺杂的外延层;在所述第二掺杂的外延层表面生长一层牺牲层;将所述第二...

吃透MOS管,看这篇就够了

而且,栅极可以加高过电源的电压,意味着可以用5v信号管理3v电源的开关,这个原理也用于电平转换。2:nmos管应用一般用于管理某电路是否接地,属于无触点开关,栅极高电平就导通导致接地,低电平截止。当然栅极也可以用负电压截止,但这个好处没什么意义。其高电平可以高过被控制部分的电源,因为栅极是隔离的。因此可以用5v...

多图解读诞生 50 年的革命性8008微处理器

8008芯片的特写照片,展示了金属层、多晶硅和掺杂硅。芯片的基础是硅晶圆,在照片中呈现为紫灰色。纯硅本质上是一种绝缘体,其区域通过掺杂杂质来创造半导体硅。由于位于底部,硅层很难区分,但可以看到掺杂硅和未掺杂硅之间的边界上有黑线。在照片中可以看到几条垂直的硅「线」。晶体管是芯片的关键组件,当一个多...

一颗改变了世界的芯片

芯片的基础是硅片,照片中硅片呈紫灰色。纯硅实际上是一种绝缘体。它的某些区域被“掺杂”了杂质以形成半导体硅。硅层位于底部,很难区分,但可以看到掺杂硅和未掺杂硅之间的边界上有黑线。照片中可以看到一些垂直的硅“线”。晶体管是芯片的关键部件,多晶硅线与掺杂硅交叉的地方形成晶体管。在照片中,多晶硅在形成晶...

从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。

什么是MOS管MOS管即金属氧化物半导体型场效应管,属于场效应管中的绝缘栅型,因此,MOS管有时被称为绝缘栅场效应管,在一般电子电路中,MOS管通常被用于放大电路或开关电路(www.e993.com)2024年11月9日。1、MOS管的构造在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上,用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区,并用金属铝引出两个电极,分别...

全球首颗忆阻器芯片,清华团队突破了什么?

可以看出,即使是最基本的一个bit的存储,基于CMOS晶体管的元器件架构也不简单(C是Complementary互补,指PMOS和NMOS配合)。它需要接上电源才能保持存储,读写有一些特性,各类存储的读写速度差异很大。实际应用,需要冯·诺依曼体系架构,即程序指令和数据一起存储在CPU之外的内存里,经总线调入CPU中执行。

不惧卡脖子,清华大学取得重大成果:全球首枚忆阻器存算一体芯片

可以看出,即使是最基本的一个bit的存储,基于CMOS晶体管的元器件架构也不简单(C是Complementary互补,指PMOS和NMOS配合)。它需要接上电源才能保持存储,读写有一些特性,各类存储的读写速度差异很大。实际应用,需要冯·诺依曼体系架构,即程序指令和数据一起存储在CPU之外的内存里,经总线调入CPU中执行。

晶体管的发展史:技术如何逼近极限?

NMOS晶体管形成在p型硅基板(也称为主体)上。在器件的顶部中央部分,形成了一个低电阻率的电极,该电极通过绝缘体与主体隔开。通常,具有n型或p型重掺杂的多晶硅被用作栅极材料。在此,二氧化硅(SiO2或简单地为氧化物)用作绝缘体。通过将施主杂质注入衬底的两侧,形成源极和漏极。在图1中,这些区域用n+表示,...

“芯”路历程 45nm时代还能维持多久?

超低介电常数(Ultralow-k)电介质或气隙(airgap)技术,以及新一代的铜阻障技术都是有必要的。将「K」值近一步由2.6降低到2.2,也是降低偶合电容所必须。还需要多孔碳掺杂氧化材料(Porouscarbon-dopedoxidematerials)。9.NMOS与PMOS的超浅接面(ultrashallowjunctions)...