27亿一台!台积电大手笔购买最先进光刻机,目标直指1nm芯片!

而这台光刻机呢，它的精度和性能都达到了前所未有的高度。它能够制造出1纳米级别的芯片，这是目前世界上最先进的芯片工艺之一。想象一下，1纳米是多小啊！咱们平时用的头发丝直径都有好几十纳米呢！这光刻机得有多精密，才能制造出这么细小的芯片啊！四、台积电为啥剑指1nm芯片？再来说说台积电为啥剑指1nm芯片。

国产光刻机官宣突破,美荷却沉默了,究竟为啥?

以前,我们的技术一直卡在90nm,和阿斯麦这些公司的国际一流水平相差甚远,所以过去很多年,我们在芯片行业一直追着人家跑,有时候花钱买东西甚至还要看别人的脸色。但是现在,我们的技术突破了65nm,已经成功迈入了初级DUV光刻机的大门,这意味着中国芯片技术距离世界一流水平只差最后的百米冲刺。看到这一幕,就连韩国网友都...

不正常!国产光刻机官宣后国外网友沸腾,美荷却罕见沉默了?

因为中国在光刻机领域突破美国的技术封锁,也就意味着有人冲出了第1步,对全球科学技术发展而言,中国的突破将会让除了美国联盟之外的国家获益。各国网友的点评说明了一个问题,中国实现了技术封锁的突破,这个时候最应该急眼的就是美国和荷兰。毕竟中国拥有庞大的光刻机市场,一旦实现了自给自足,也就意味着不再需要从...

国产光刻机“套刻≤8nm”意味着什么

CD代表线宽,即芯片可实现的最小特征尺寸;λ代表光刻机使用光源的波长,NA指的是光刻机物镜的数值孔径,也就是镜头收集光的角度范围;k1是一个系数,取决于芯片制造工艺有关的众多因素。根据这个公式,如果要制造更小线宽的芯片,即CD值越小,可使用波长更短的光源、更大数值孔径的物镜和降低k1值这些办法。比如荷兰...

台积电或2030年才采用High-NA EUV光刻机,用于制造1nm芯片

英特尔打算在Intel18A制程节点引入High-NAEUV光刻技术,这意味着大概在2026年至2027年之间开始启用新设备。事实上,台积电(TSMC)和三星都已表示会采购High-NAEUV光刻机,用于研发未来新的半导体工艺,不过没有设定任何的时间表。据DigiTimes报道,来自于晶圆厂工具制造商的消息证实,台积电要等到1nm制程节点才会使用High...

工信部公开推广两款国产DUV光刻机!最小套刻≤8nm!

而指导目录中更为先进的氟化氩光刻机,其照明波长为193mm,分辨率≤65nm;套刻≤8nm(www.e993.com)2024年11月28日。这一数据与ASML旗下TWINSCANXT:1460K最为接近。该型号照明波长为193mm,分辨率≤65nm。此外,该系统可以在偏振照明下实现低至57nm的生产分辨率。相比之下,ASML浸润式光刻机TWINSCANNXT1980Fi分辨率≤38nm。据民生证券研报,该...

支持2nm量产!阿斯麦最新光刻机有多厉害?

更高的NA值,意味着更复杂的光学路径设计,和更大的光学元件,也就是反射镜。但反射镜大了,光线入射穿透的掩膜版的尺寸也要增大。这对于下游厂商来说,无疑会带来更加复杂的工艺问题。因此,专门设计EUV光刻机镜头的蔡司,决定另辟蹊径。下游厂商可以不用动,我这边来解决。

台积电被放弃,ASML向英特尔运送首台2nm光刻机,工艺之争重来?

缩短光的波长,意味着要找到新的光源替代极紫外光,目前来看有点不太现实。目前,光刻工艺因子已突破其理论极限0.25,继续减小也不现实。只剩下增大数值孔径一条路了。根据瑞利公式,将数值孔径从0.33增加到0.55,那么光刻机的分辨率就会从13nm提升至8nm,对2nm及1nm芯片工艺提供支持。

关于国家工信部突然官宣的“国产光刻机”,你需要知道的10件事

这两行,是什么意思?是连一个形容词都没有,就突然静悄悄地官宣了中国自己的新光刻机吗?下面那款光刻机的介绍里,怎么还有一个“≤8nm”?天哪,那不就是突破了卡脖子的“7nm”?很快,有人说:太好了。轻舟已过万重山,实锤了。中国终于有了自己的7nm光刻机,可以造出自己的7nm芯片,不怕再被卡脖子了。

分辨率≤65nm,国产光刻机迎来里程碑突破

套刻精度≤8nm,意味着什么IT之家的家友们可能对于“套刻精度≤8nm”这个参数有所疑问,这里我们就要从多重曝光工艺聊起。ASML浸润式DUV光刻机的分辨率为≤38nm,但是却可以支撑台积电N7工艺的生产,靠的就是多重曝光技术。常见的多重曝光技术有LELE、LFLE和SADP三种。