华鑫证券:给予北方华创买入评级

铝垫层(AlPad)、金属硬掩膜(MetalHardMask)、金属栅(MetalGate)、硅化物(Silicide)等工艺设备在客户端实现稳定量产,成为多家客户的基线设备,并广泛应用在逻辑、存储等主流产线,同时也成功实现功率半导体、三维集成和先进封装、新型显示、化合物半导体等多个领域的量产应用。

高端半导体设备领军者中微公司深度解析

该设备不仅能够用于多种导体刻蚀工艺,比如浅沟槽隔离刻蚀(STI)、多晶硅栅极刻蚀;同时可用于介质刻蚀,如间隙壁刻蚀(SpacerEtch)、掩模刻蚀(MaskEtch)、回刻蚀(EtchBack)等,具有业界领先的生产率和卓越的晶圆内加工性能。

稳步前行中的国产半导体设备企业

b.hardmaskPVD:公司的产品可以保证薄膜中心到边缘的microstructure一致,使得在做CMP时,中心到边缘磨的速率一致,效果非常好,是28nm生产的baseline机台;c.ALD/CVDW:film的resistivity比别家要低;这类设备一方面用于填高深宽比的via或者trench,另一方面用于PowerIC;d.PVDforLED:在LED照明中,公司研发了氮化...

日本半导体禁令限制了啥?

(2)用于半导体前段制程,带有为净化晶圆表面而设计的腔体的设备。(3)外延生长的工作温度在685度以下的设备。8.可利用等离子技术,形成厚度超过100纳米、而且应力低于450MPa的碳硬掩膜(CarbonHardMask)的设备。9.可利用原子层沉积法或者化学气相法,形成钨(W)膜(仅限每立方厘米内氟原子数量低于1019个)的设备。

薄膜沉积设备行业深度报告:工艺升级提升需求,加速国产化进程

硬掩膜(Hardmask):使用SiO2、Si3N4、TiN、非晶碳(ACHM)等,主要用于多重曝光工艺等。在制程进步到90nm以下时,光刻尺寸越来越小,需要在晶圆表面形成硬掩膜层配合光刻胶形成掩膜图形,之后通过刻蚀将其去除。传统的硬掩膜层为SiO2、Si3N4等,硬度比较有限,逐渐被金属硬掩膜例如TiN、掺杂碳的非晶硅(ACHM...

半导体光刻工艺及光刻机全解析

光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一(www.e993.com)2024年11月15日。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上,为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的1/3,耗费时间约占整个硅片工艺的40～60%。光刻机是生产线上最贵的机台,5～15百万美元/台。主要是贵在成像系统(由15～20个直径为200～...

关于黄光及其100个疑问,这篇文章已全面解答……

答:OPC(OpticalProximityCorrection)为了增加曝光图案的真实性,做了一些修正的光罩,例如,0.18微米以下的Poly,Metallayer就是OPC光罩。28、何为PSM光罩?答:PSM(PhaseShiftMask)不同于Crmask,利用相位干涉原理成象,目前大都应用在contactlayer以及较小CD的Criticallayer(如AA,POLY,METAL1)以增加图形...