AI大模型需要新型存储器!北京大学唐克超老师谈FeRAM铁电存储器...

FeRAM铁电存储器FeRAM铁电存储器是一种随机存取存储器技术,是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器,具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点。随着人工智能和大数据技术的飞速发展,对算力和存储的需求日益增长。传统的计算架构逐渐显露出局限性,这促使学术界和产业界开始探索新的计算架构和信息器件。02铁电...

存储芯片,中国什么时候能成?

与DRAM相对的是SRAM(静态随机存取存储器),两者的存储原理、结构不同,特性完全相反。除了能够应用在缓存中,SRAM一般还会用在FPGA内,不过SRAM价格昂贵,全球市场规模占比也始终较小。在过去几十年内,易失性存储器没有特别大的变化,DRAM和SRAM各有专长,可以适用不同应用场景。在非易失性存储器领域,持续涌现新技术,目...

【对话前沿专家】基于铁电晶体管科研,共探集成电路的创新之路

FeRAM,即基于电容型的铁电存储器,因其与现有DRAM结构的相似性而最接近产业化应用。它旨在提供非易失性存储解决方案,以结合DRAM的快速访问和低功耗特性,特别适合需要频繁刷新的场景。FeFET,即基于晶体管型的铁电存储器,是我们团队的研究重点。这种存储器以其高集成密度、快速操作和低功耗而受到关注。FeFET的优势在于...

新书上架《半导体存储器件与电路》

半导体存储器是集成电路的重要组成部分,其中SRAM一般包含在逻辑工艺和逻辑处理芯片设计中,而DRAM和NANDFlash通常需要独立的工艺技术,此外多种新型存储器工艺技术也在快速发展当中。在过去几十年里,半导体存储器制造逐渐在向亚洲转移,国内的相关从业人员越来越多。然而,国内一直缺乏一本系统梳理各种半导体存储器技术的教材,...

新兴存储,冰火两重天

目前业界主要聚焦的新兴存储器主要包括四种:铁电存储器(FeRAM/FRAM)、阻变存储器(ReRAM/RRAM)、磁性存储器(MRAM)和相变存储器(PCM),这些新兴存储技术旨在集成SRAM的开关速度和DRAM的高密度特性,并具有Flash的非易失特性。面对新旧技术冲突,当前DRAM和NAND的行业统治趋势能否持续下去?还是FeRAM、ReRAM、MRAM或PCM等...

国芯思辰拍字节新型3D铁电存储器(VFRAM)弥补两大主流存储器鸿沟

的新型内存(www.e993.com)2024年11月17日。同EEPROM、FLASH等非易失性存储器相比，具有优越的耐高温、高速写入、高读写、耐久性和低功耗的优点，在所有存储器中，性能是数一数二的。而传统的铁电存储器存在强污染性，产量难提升，仅应用于2D架构，存储密度很难提升等弊端。据拍字节介绍，公司研发的新型3D铁电存储器在材料上创新性使用无污染...

NOR Flash也要创新了

最初,旺宏是在一个8层结构上开发的,已经完成了34层堆栈的工作,这似乎是可行的。旺宏认为,在70层以上时,该公司提出的3DNORFlash将挑战20nm半间距的两层交叉点相变存储器。进一步的改进可能来自铁电存储器晶体管,它允许更低的电压操作和更快的写入速度。

新型存储RRAM是什么?为何国际大厂都在布局?

目前,业界新型存储器主要有4种,相变存储器(PCM)、阻变存储器(ReRAM)、铁电存储器(FeRAM)、磁性存储器(MRAM)。从当前各类存储技术的发展水平和特点,RRAM有望成为闪存的替代品。谈及RRAM的优势,有业界人士认为,RRAM可以将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身,因此其拥有了擦写速度高、耐久性强、单个存储...

关于半导体存储的最强入门科普

ROM只读存储器:很好理解,可以读取,不可以写入。RAM随机存取存储器:指的是它可以“随机地从存储器的任意存储单元读取或写入数据”,这是相对传统磁存储必须“顺序存取(SequentialAccess)”而言的。有些人认为,易失性存储器就是RAM,非易失性存储器就是ROM。其实,这是不严谨的,原因待会会讲。

存储技术的前世今生(下)

ROM只读存储器:很好理解,可以读取,不可以写入。RAM随机存取存储器:指的是它可以“随机地从存储器的任意存储单元读取或写入数据”,这是相对传统磁存储必须“顺序存取(SequentialAccess)”而言的。有些人认为,易失性存储器就是RAM,非易失性存储器就是ROM。其实,这是不严谨的,原因待会会讲。