图说光刻机的4大核心技术

3.EUV光刻机和ArFi光刻机的区别说明:而第五代叫做ArFi,前面三个字母相同,因为采用的也是193nm光源,但这种又与ArF不一样,之前所有的光刻机其介质采用的是空气,但到了ArFi时,采用的是水。I就是浸没式的意思,Immersion的缩写。光线在经过水时,会有折射,所以虽然ArFi光刻机采用193nm波长光源,等经水折射时,等...

一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻

有机材料刻蚀:在制造OLED和光刻胶去除中,化学刻蚀用于选择性去除有机材料。4.优势与局限性:优势:高选择性,适用于多种材料;工艺温和,对基材损伤小。局限性:各向同性,难以形成垂直侧壁;对反应气体依赖性强。4.1.3、物理化学结合刻蚀物理化学结合刻蚀(Physical-ChemicalEtching)结合了物理刻蚀和化学刻蚀的优...

【光电集成】芯片制造工艺流程.图文详解.一文通

光刻胶有两种类型:负胶和正胶。正胶:暴露于光下可以分解复杂的分子结构,使其易于溶解。负胶:曝光使分子结构变得更复杂,更难以溶解。每个光刻步骤所涉及的步骤如下??清洁晶圆片??沉积屏障层SiO2,Si3N4,金属??涂上光刻胶??软烤??对齐蒙版??图形曝光??显影??烘焙??蚀刻...

晶圆级封装(WLP),五项基本工艺

光刻胶去胶工艺是一种湿法工艺,采用一种被称为剥离液(Stripper)的化学溶液,通过水坑式、浸没式,或喷淋式等方法来实现。通过电镀工艺形成金属引线或凸点后,需清除因溅射形成的金属薄膜。这是非常必要的一个步骤,因为如果不去除金属薄膜,整个晶圆都将被电气连接从而导致短路。可采用湿刻蚀(WetEtching)工艺去除金属薄膜...

这一高端材料需求将快速攀升!

凭借其优异性能及出色的加工性能,PI成为了唯一具有广泛应用领域且在每一个应用领域都显示出突出性能的聚合物,可分别以薄膜、纤维、光敏材料、泡沫和复合材料五大形式应用于柔性屏幕、轨道交通、航空航天、防火材料、光刻胶、电子封装、风机叶片、汽车等多个领域。

投资者提问:请问贵司krF光刻胶产品与ArF光刻胶用途和技术含量有何...

董秘回答(晶瑞股份(11.270,-0.45,-3.84%)SZ300655):您好!krF光刻胶与ArF光刻胶主要用于半导体领域,二者曝光波长不同,其中krF波长248nm,ArF波长193nm,ArF的分辨率更好,技术含量更高(www.e993.com)2024年11月22日。公司产品的行业竞争格局可查看公司定期报告。感谢您对公司的关注与支持!

光刻胶的主要技术参数

1)分辨率(resolution)。区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸(CD,CriticalDimension)来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小,光刻胶的分辨率越好。2)对比度(Contrast)。指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比度越好,形成图形的侧壁越陡峭,分辨率越好。

世人皆言光刻胶难,可到底难在哪里

按下游应用领域不同,可分为PCB光刻胶,面板(LCD)光刻胶、半导体光刻胶以及其它光刻胶。正性光刻胶与负性光刻胶这一分类主要依据的是光照后显影时与显影液产生的化学反应,最终形成的图形与掩模版图形的对应关系。正性光刻胶的曝光部分溶于显影剂,在蚀刻过程中光照到的区域会被等离子化气体蚀刻去除,最终...

光刻胶,为何成为“卡脖子”难题?

ArF光刻胶根据光刻机使用的工艺不同,可分为ArF光刻胶(干法)和ArF光刻胶(浸没式),它们的区别在于镜头与光刻胶之间的介质是空气还是液体。来源:果壳光刻胶市场概况光刻胶属于微电子化学品,是一种交叉行业,涉及电子行业与化工行业,均是技术密集型行业,具有技术要求高、生产工艺复杂、产品更新快、功能性强等...

光刻胶行业专题研究熬过:破壁引光,小流成海

影响掩模版误差因子的条件有很多,包括照明条件、光刻胶性能、光刻机透镜像差、后烘温度等。对于远大于曝光波长的图形,即处于线性范围的情况下,掩模版误差因子通常非常接近1。除开个别特殊情况,掩模版误差因子一般不会小于1。线宽均匀性:晶圆制造中的线宽均匀性一般分为:芯片区域内(withinchip)、曝光区域内(within...