什么是哈特利振荡器?案例+公式

晶体管发射极由于电源两端的去耦电容(未显示,因为它们将在电源中),以及发射极电阻两端的C3。共射极放大器中的基极也与集电极波形反相,从而通过C2产生正反馈。再次使用自动C类偏置,但在该电路中,发射极去耦电容C3的值将很关键,并且比普通A类放大器中的要小。它只会部分解耦R3,R3/C3的时间常数...

集成电路技术的根本——晶体管的故事

当晶体管的发射结加下合适的正向偏置电压、集电结加上反向偏置电压时,晶体管导通,其内阻变小,各电极均有工作电流产生(IE=IB+IC)。适当增大其发射结的正向偏置电压、使基极电流IB增大时,集电极电流IC和发射极电流IE也会随之增大。当晶体管发射结的正向偏置电压增大至一定值(硅管等于或略高于0.7V,锗管等于或略...

电力晶体管基础知识解析

GTR通常工作在正偏(Ib>0)时大电流导通;反偏(Ib<0=时处于截止状态。因此,给GTR的基极施加幅度足够大的脉冲驱动信号,它将工作于导通和截止的开关状态。电力晶体管特点l输出电压可以采用脉宽调制方式,故输出电压为幅值等于直流电压的强脉冲序列。2载波频率由于电力晶体管的开通和关断时间较长,故允许的载波...

绝缘栅双极晶体管(IGBT)

可能出现擎住效应的第三个情况是:在关断过程中,MOSFET的关断十分迅速,MOSFET关断后图1(b)中三极管T2的J2结反偏电压UBA增大,MOSFET关断得越快,集电极电流ic减小得越快,则UCA=Es-R

电力双极型晶体管

固定反偏互补驱动电路是由具有正、负双电源供电的互补输出电路构成的,当电路输出为正时,GTR导通;当电路输出为负时,发射结反偏,基区中的过剩载流子被迅速抽出,管子迅速关断。比例驱动电路是使GTR的基极电流正比于集电极电流的变化,保证在不同负载情况下,器件的饱和深度基本相同。集成化驱动电路克服了上述电路元件多、...

双极晶体管基础知识解析

这是共发射极组态的击穿电压,即基极开路时、集电极与发射极之间的击穿电压(www.e993.com)2024年11月4日。由于在基极开路时,集电结是反偏、发射结是正偏的,即BJT处于放大状态。温度对的影响:是集电结加反向电压时平衡少子的漂移运动形成的,当温度升高时,热运动加剧,更多的价电子有足够的能量挣脱共价键的束缚,从而使少子的浓度明显增大,增...

干货|设计一个电源,如何考虑选择拓扑?

导通时首先驱动功率MOSFET,这时BJT工作在共基极组态,发射极输入电流,或因MOSFET导通漏极电压下降,BJT发射结正偏,产生基极电流,导致集电极电流,通过比例驱动电路形成正反馈,使得BJT饱和导通。当关断时,首先关断MOSFET,发射结反偏,使得BJT迅速关断。共基极频率特性是共射极的β倍。提高了关断速度。低压MOSFET导通电阻只有...

「硬见小百科」一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系

三极管放大导通条件是《发射结正偏,集电结反偏》就非常容易理解了,上一张三极管的特性曲线。这里涉及了饱和区的问题,三极管工作在饱和区时Vce很小,有人说饱和区条件是发射结正偏,集电结也正偏,这很容易让人误解;发射结正偏导通没问题,但集电结并没有达到正偏导通,若集电结正偏导通,就跟两个二极管放一起...

模拟电子疑难问题解惑系列(一):半导体、放大器 (1)

答:发射结正偏;集电结反偏。18、三极管输入输出特性曲线一般分为几个什么区域?答:一般分为放大区、饱和区和截止区。19、放大电路的基本组态有几种?它们分别是什么?答:三种,分别是共发射极、共基极和共集电极。20、在共发射极放大电路中,一般有那几种偏置电路?

这篇把三极管工作原理分析透彻了!

4、集电极电流Ic的形成发射结加上正偏电压导通后,在外加电压的作用下,发射区的多数载流子——电子就会很容易地被大量发射进入基区。这些载流子一旦进入基区,它们在基区(P区)的性质仍然属于少数载流子的性质。如前所述,少数载流子很容易反向穿过处于反偏状态的PN结,所以,这些载流子——电子就会很容易向上穿过...