MOS管常见的几种应用电路
MOS管在这里实现的仍是开关的功能,但是避免IC1和IC2的端口直接相连造成信息干扰,同时芯片控制端电压比较低,可以驱动较大的负载。由于IC1和IC2任何一个输出高电平时,都会导通一个MOS管,从而让LED可以点亮。常见的简单电源切换电路如图1所示,但这个电路应用条件是有限制和缺陷的,比如电池电压VBAT不能大于外部电压VI...
8种开关电源MOS管的工作损耗计算
因漏感等因素,MOSFET在关断完成后之VDS(off_beginning)往往都有一个很大的电压尖峰Vspike叠加其上,此值可大致按经验估算。5、驱动损耗Pgs驱动损耗,指栅极接受驱动电源进行驱动造成之损耗驱动损耗的计算:确定驱动电源电压Vgs后,可通过如下公式进行计算:Pgs=Vgs×Qg×fs说明:Qg为总驱...
吃透MOS管,看这篇就够了
做镜像电流源、运放、反馈控制等,都是利用mos管工作在放大区,由于mos管的特性,当沟道处于似通非通时,栅极电压直接影响沟道的导电能力,呈现一定的线性关系。由于栅极与源漏隔离,因此其输入阻抗可视为无穷大,当然,随频率增加阻抗就越来越小,一定频率时,就变得不可忽视。这个高阻抗特点被广泛用于运放,运放分析的虚连、...
MOS管开关电路设计,用三极管控制会容易烧坏?
但是这个电路的缺点也是显而易见,由于MOS管有一个寄生的二极管,如果CD5V的滤波电容过大,或者后端有别的电压串进来,会把前端给烧坏!电流路径如下:后端电流路径如何改善这个问题呢?有两个方式,一种是在后端串联二极管。防止后端电压电流串扰的电路优点,电路简单,BOM成本低!缺点,二极管动态负载电阻大,特别不...
防堵高压电源EMI/相位故障 预稳压器提升三相电源效能
由于开关频率低和零电压开关,预稳压器具有接近90%的效能,而主电源和输出功率变化较小,整体测试使用典型宽范围的12V、10W开关电源和提供以下结果的前端稳压器完成。如果这些结果类似于带高压功率MOS管或共源共栅方案,利用上述200V稳压电源优势重新设计返驰转换器,应可提升5%效能,及降低额外成本。
MOS管烧了,可能是这些原因
当底部器件的漏极电压由于顶部MOS管的导通而迅速上升时,就会出现潜在问题(www.e993.com)2024年9月20日。这种高电压上升率通过米勒电容电容耦合到MOS管的栅极,会导致底部MOS管的栅极电压上升,从而导致MOS管也开启,就会存在击穿情况,即使不是立即发生,也可以肯定MOS管故障。米勒效应可以通过使用低阻抗栅极驱动器来最小化,该驱动器在关闭状态时将栅...
【干货】使用 MOS管构建双向逻辑电平转换器
MOS管在低压侧被下拉至低电压电平,直到Vgs跨越阈值点。低压段和高压段母线在相同电压水平下均变低。3、转换器的开关速度设计逻辑电平转换器时要考虑的另一个参数是转换速度。由于大多数逻辑转换器将在USART、I2C等通信总线之间使用,因此逻辑转换器切换得足够快(转换速度)以与通信线路的波特率相匹配非常重要。
EMC案例:AC电源输入传导辐射低频段超标原因分析及整改方案!
分析一下,从上图可以看到,1MHz以内的传导辐射超标比较严重。较低频率的电源线传导辐射并不罕见,通常是由差模电压噪声引起的。这是由电流通过初级大量去耦电容和开关电路所呈现的阻抗所产生的。电源控制器的开关频率通常在30kHz到250kHz的范围内,将其(及其谐波)置于这个较低频率(<1MHz)范围内进行测试。
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。
Mos管发热,主要原因之一是寄生电容在频繁开启关闭时,显现交流特性而具有阻抗,形成电流,有电流就有发热,并非电场型的就没有电流。另一个原因是当栅极电压爬升缓慢时,导通状态要路过一个由关闭到导通的临界点,这时,导通电阻很大,发热比较厉害。第三个原因是导通后,沟道有电阻,过主电流,形成发热。
电压调节器-IC电子元器件
3、晶体管/MOS管损坏:晶体管/MOS管损坏可能是由于过大的负载电流、过大的输入电压、过高的环境温度等原因导致的。预防措施包括选择适当的晶体管/MOS管、加入过流保护电路、限制输入电压和负载电流等。4、PCB布局不合理:PCB布局不合理可能会导致电路干扰、电磁辐射等问题。预防措施包括合理布局、分层设计、加入滤波电...