《麻省理工科技评论》新一届“35岁以下科技创新35人”中国区入选...
他创新性地提出介观对称性设计方案,实现工业尺寸单晶硅片最小弯曲半径约4毫米,单片电池最大弯曲角度超过360度。单晶硅太阳电池的缺点是在力学上表现出脆性易碎,刘文柱率先成功研制工业尺寸高效柔性单晶硅太阳电池,1000次“边对边”折叠后,电池效率仍保持不变,实现了力学韧性和抗震性的跨越式提升。该技术推动...
...器的晶体管结构及其制造方法专利,降低了有源区原始掺杂的浓度...
长鑫存储取得半导体储存器的晶体管结构及其制造方法专利,降低了有源区原始掺杂的浓度,减缓了电场强度并改善了漏电金融界2024年3月27日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体储存器的晶体管结构及其制造方法“,授权公告号CN110299324B,申请日期为2018年3月。专利摘要显示,本发明提出一种...
GaN应用市场扩展还需克服哪些挑战?
硅晶体管依赖于p型和n型材料的掺杂。当在栅极施加电压时,它会创建一个通道,让电流从源极流到漏极。相比之下,宽带隙晶体管是通过分层不同材料的薄膜而构建的,这些材料的带隙能量不同。在栅极施加电压可实现两种材料之间的电子交换,从而驱动这些电子沿着源极和漏极之间的通道流动。图2:e-modeGaNHEMT器件的横...
科学家打造碳纳米管晶体管,解决碳纳米管均匀可控掺杂难题
其一,局部掺杂技术的可行性:实现准确的局部掺杂是一项具有挑战性的任务。对碳纳米管进行精确的局部掺杂,可以实现电学性质的调整,期间涉及到选择适当的掺杂剂、掺杂浓度和掺杂位置。同时,确保这些过程对于纳米管整体结构和性能的影响最小化,也是一个复杂的问题。其二,掺杂一致性:在制造过程中,确保在不同器件之间...
全球芯片关键技术研究最新进展
复旦大学高分子科学系、聚合物分子工程国家重点实验室魏大程团队设计了一种新型半导体性光刻胶,利用光刻技术在全画幅尺寸芯片上集成了2700万个有机晶体管并实现了互连,在聚合物半导体芯片的集成度上实现新突破,集成度达到特大规模集成度水平。据团队介绍,芯片集成度可以分为小规模集成度(SSI)、中规模集成度(MSI)、...
院士增选、退出等制度再次修订,中国工程院可根据国家需要设置特别...
光晶格中的超冷原子具有系统纯净,以及原子间相互作用强度、隧穿速率和掺杂浓度可精确调控等诸多优势,是最有希望构建专用量子模拟机以求解费米子哈伯德模型的体系之一(www.e993.com)2024年8月17日。其中,构建量子模拟器验证包括掺杂条件下的反铁磁相变,是实现能够求解费米子哈伯德模型的专用量子模拟机的第一步,也是获得该模型低温相图的重要基础。然...
Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势
其自发存在的电子浓度是半导体材料中可达到的最高之一。除此之外,它还可提供两倍于最先进的硅基或碳化硅晶体管的电子迁移率—高达2000cm2/V??s。因此,二维电子气有着非常可观的低电阻—电容品质因数(lowresistance-versus-capacitancefigureofmerit)及创纪录的高效率。
如何建一个200亿美元的晶圆厂?
在半导体制造中,允许的公差几乎被削减到零。制造几纳米尺寸的晶体管需要比传统制造精确数十万倍的工艺。最微小的流氓粒子(rogueparticle)就能使连接短路并毁坏整个芯片。一些原子位于错误的位置可能会导致工艺步骤失败。难以察觉的少量杂质可能会对材料造成不可挽回的损坏。
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性
晶体管内的漂移电流由内部电场决定,随着晶体管尺寸的减小,它们的电场迅速增加。事实证明,对于短沟道晶体管,在晶体管内可以实现少数载流子的最大速度。这被称为饱和速度。这限制了某些器件的VGS和VDS电流的增加,因为最终它们的驱动电流达到最大值。此外,随着电场的继续增加,这些载流子的迁移率降低,导致这些极高电压下...
【产业研究】高压快充趋势及产业链降本,加速碳化硅产业进展——新...
晶体管方面:SiCMOSFET结构与硅基MOSFET产品类似,主要分为平面型和沟槽型两类,并拥有高耐压、开关损耗低、导通损耗低、体二极管续流特性好、温度稳定性高等特点,其高电压下依然能保持高速度、高效率的特点使其向原有耐压较高,但频率特性较差的Si-IGBT产品发起竞争,并在未来有望对SiIGBT形成全面替代。目...