科学家打造碳纳米管晶体管,解决碳纳米管均匀可控掺杂难题
其一,局部掺杂技术的可行性:实现准确的局部掺杂是一项具有挑战性的任务。对碳纳米管进行精确的局部掺杂,可以实现电学性质的调整,期间涉及到选择适当的掺杂剂、掺杂浓度和掺杂位置。同时,确保这些过程对于纳米管整体结构和性能的影响最小化,也是一个复杂的问题。其二,掺杂一致性:在制造过程中,确保在不同器件之间...
科学家打造碳纳米管晶体管,兼容已有半导体制程工艺,解决碳纳米管...
对碳纳米管进行精确的局部掺杂,可以实现电学性质的调整,期间涉及到选择适当的掺杂剂、掺杂浓度和掺杂位置。同时,确保这些过程对于纳米管整体结构和性能的影响最小化,也是一个复杂的问题。其二,掺杂一致性:在制造过程中,确保在不同器件之间和同一器件内部实现一致的掺杂水平是至关重要的。器件一致性的差异可能导致性能...
这些问题你有答案吗?4月25-26日,甬城之约,碳“芯”之行,2024(第四...
15、石墨烯是零带隙材料,作为沟道的晶体管很难被关断,目前有没有比较好的办法,使其产生禁带来实现高的开关比?今年年初的首个石墨烯半导体的制备方法是否有普遍适用性,发展前景?16、国际上的科研界和产业界,对于发展碳基半导体的看法,或者是否有大的发展规划在支持?17、主流制备方法得到的大面积石墨烯单晶中的...
如何建一个200亿美元的晶圆厂?
制造几纳米尺寸的晶体管需要比传统制造精确数十万倍的工艺。最微小的流氓粒子(rogueparticle)就能使连接短路并毁坏整个芯片。一些原子位于错误的位置可能会导致工艺步骤失败。难以察觉的少量杂质可能会对材料造成不可挽回的损坏。半导体制造的历史就是一部针对这些微小影响及其灾难性影响的无休止战争的编年史。即使要让半...
薛其坤:披荆斩棘叱咤量子竞技场
进入信息时代,芯片已然成为处理信息的“大脑”。在指甲盖大小的芯片里封装数十亿个晶体管,堪称人类最复杂的壮举之一。可是,当数据量指数性爆发,仅凭集成更多晶体管不再“一招鲜”,元器件的发热问题成为限制算力提升的瓶颈。而量子反常霍尔效应,则提供了实现超高性能电子器件的可能性。
晶体管的发展史:技术如何逼近极限?
由于电流从漏极流到源极所需的时间更少,因此沟道长度的减小可加快开关操作的速度(www.e993.com)2024年9月11日。换句话说,较小的晶体管导致较小的电容。这导致晶体管延迟的减小。由于动态功率与电容成正比,因此功耗也降低了。晶体管尺寸的这种减小称为缩放。每次缩放晶体管时,我们都会说一个新技术节点被引入。例如,10nm、7nm和5nm等。随着每...
电力MOS场效应晶体管基础知识解析
图Z0122为N沟道结型场效应管结构示意图和它的图形、符号。它是在同一块N型硅片的两侧分别制作掺杂浓度较高的P型区(用P表示),形成两个对称的PN结,将两个P区的引出线连在一起作为一个电极,称为栅极(g),在N型硅片两端各引出一个电极,分别称为源极(s)和漏极(d)。在形成PN结过程中,由于P区是重掺杂区...
双极晶体管基础知识解析
起源于1948年发明的点接触晶体三极管,50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构:PNP型和NPN型。在这3层半导体中,中间一层称基区,外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时,在发射区和集电区之间就会形成较大的电流,这就是晶体管的放大效应。
《麻省理工科技评论》新一届“35岁以下科技创新35人”中国区入选...
现如今,在量子、半导体和人工智能三大领域的国际竞争日趋激烈。就量子领域而言,融合当前最尖端的量子计算技术和半导体集成电路技术的硅基量子计算技术,在近十年来获得快速发展,并有望成为量子计算的最佳解决方案。实现分布式可集成量子计算,即构建多个小规模计算模块,并使模块间进行量子通信,同时与经典控制电路进行集成,...
「硬见小百科」一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系
此外,为了提升IGBT耐压,减小拖尾电流,在N–漂移区、背面工艺(减薄和注入)上下了不少功夫。N-区下的功夫包含以下几种:1、PT:以高浓度的P+直拉单晶硅为起始材料,先生长一层掺杂浓度较高的N型缓冲层(N+buffer层),然后再继续淀积轻掺杂的N-型外延层作为IGBT的漂移区,之后再在N-型外延层的表面形成P-base、...