存储芯片,中国什么时候能成?
其中,由于读写速度更快,易失性存储器通常被用以辅助CPU工作,即“内存”;非易失性存储器则为“外存”,主要用于存储大量的数据文件。在内存这个类别中,最重要的是DRAM(动态随机存取存储器),因为其常年占据全球存储类芯片市场半壁江山。综合来看,DRAM结构简单,能够拥有非常高的密度,单位体积的容量较高,成本较低。再...
工信部标准院:哪些智能传感器我国尚无能力制造?
加速度计按照自由度分为单轴、双轴、三轴加速度计,其中三轴加速度计市场占有率最高,加速度计和陀螺仪、磁力计多组合应用(加速度计与陀螺仪组合构成惯性测量单元,加速度计、陀螺仪和磁力计组合构成电子罗盘),以达到集成化、多功能的运动检测。加速度计的主要类型有MEMS加速度计、石英挠性加速度计、压电加速度计...
存储行业市场迎来反转,国产赛道竞争激烈
RAM可分为静态随机存储器(简称SRAM)和动态随机存储器(简称DRAM)两类,SRAM不需要周期性地刷新,速度比较快,但成本也较高,是利基存储;DRAM需要周期性地刷新,速度较慢,但成本较低,是大宗存储。ROM主要包括掩膜型只读存储器、可编程只读存储器、快闪存储器(简称Flash)。快闪存储器的主流产品为NORFlash和NANDFlas...
美国商务部新数据治理工作组启动工作
据IEEESpectrum网1月22日消息,中国清华大学刘静教授团队开发出液态电阻式柔性随机存取存储器(FlexRAM),可用于柔性电路。研究人员使用镓基液态金属实现FlexRAM的数据写入和读取过程,镓基液态金属液滴通过氧化和还原机制模拟神经元超极化和去极化的溶液环境变化过程。在目前的原型中,8个FlexRAM单元的阵列可以存储一个字节...
内存的未来,在哪里?
??MRAM是最被看好的新兴存储技术,具备多种类型和路线,速度快且有望取代高速SRAM。??PCM作为一种相变存储器技术,已经有较长的研发历史,具备可嵌入功能强、可反复擦写特性等优点。??ReRAM使用可变电阻来指示存储器位的状态,具备低能耗、多种电阻状态等特点。
铁电随机存取存储器 (FeRAM / FRAM) 技术
铁电存储器(FeRAM)铁电存储器(FRAM),也称为F-RAM或FeRAM,是一种读写速度快的随机存取存储器,结合了断电后数据保留的能力(如只读存储器和闪存),是个人电脑最常用的类型记忆(www.e993.com)2024年7月30日。由于它不像动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)那样密集,也就是说,它无法在相同的空间中存储尽可能多的数...
ReRAM新型存储器如何影响未来存储格局?
第一类易失性存储器是以动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)代表的易失性存储器,二者均具备高读写速度。其中SRAM速度高于DRAM,但密度低于DRAM,这是因为一个DRAM存储单元仅需一个晶体管和一个小电容,而每个SRAM单元需要四到六个晶体管。其共同的缺点是容量较低且成本高,一般分别用作主存和缓存。
存储器行业之DRAM专题研究:供需分析、市场主线、公司分析
DDRSDRAMDDR是使用最广、最为常见的DRAM,其主要应用领域在于服务器和PC市场。DDR1-DDR5是由固态技术协会制定的产品标准,从产品标准的更新时间来看,DDR的产品标准更新进程较慢,大约每4~5年才会更新一代;具体而言,从DDR1到DDR5,DDR的能耗越来越低,传输速度越来越快、存储容量也越来越大;从...
什么是FRAM?
存储器分类中的FRAM*非易失性:即使没有上电,也可以保存所存储的信息。优势与传统存储器相比,FRAM具有下列优势:非易失性●即使没有上电,也可以保存所存储的信息。●与SRAM相比,无需后备电池(环保产品)更高速度写入●像SRAM一样,可覆盖写入...
UFS 3.1到底是什么?听专业产品经理给您一次讲明白
慧荣科技产品企划部协理谢逸群先生表示,UFS3.1是3.0的优化版,最直观的速度方面是达到了UFS2.1的两倍,而且相比较主要改善效能存取与省电性能。UFS3.1与3.0版本不同的部分包括:写入增强器(WriteBooster)技术:在符合UFS3.1标准的设备上,引入一个SLC非易失性缓存,从而进一步提高写入速度。