科普| 什么是TOPCon电池?一文带你全面了解!(建议收藏)
目的:刻蚀的主要作用为去除BSG和背结。扩散过程会在硅片表面及周边均形成扩散层,周边扩散层容易形成短路,表面扩散层影响后续钝化,因此需要去除。目前刻蚀主要采用湿法,先在链式设备中去除背面与周边扩散层,之后处理正面。5.制备隧穿氧化层与多晶硅层目的:背面沉积1-2nm隧穿氧化层,之后沉积60-100nm多晶硅...
一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻
刻蚀的主要目的是在半导体器件的制造过程中,根据设计要求精确地去除或调整材料层,以形成电路的结构或图案。其作用包括但不限于以下几个方面:定义精确的电路图案:在光刻和显影步骤后,刻蚀步骤可以将设计好的图案转移到晶圆表面,用于制造导线、晶体管和其他电子元件的结构。刻蚀精度直接影响到电路的线宽和间距,这对器件...
并购政策暖风吹拂 上市公司设立产业基金热情高涨
在9月以来拟新设立的产业基金中,除了未明确表示投资目的的基金外,其他基金都不约而同将目光投向新能源、新材料、数字化等新兴产业。而选择设立产业基金的上市公司,也大多集中于相关行业。数字化服务商赛意信息公告称,拟通过参与投资产业基金,投资在人工智能及数字要素等领域具有增长潜力或盈利能力的标的。官网信息显示...
等离子体刻蚀在半导体图案化中工艺流程
刻蚀速率是指刻蚀薄膜一分钟希望达到的刻蚀深度。那么,单个晶圆上各个部分的刻蚀速率互不相同又意味着什么呢?这意味着晶圆上各个部分的刻蚀深度各不相同。出于这个原因,通过考虑平均刻蚀速率和刻蚀深度来设定应该停止刻蚀的终点(EOP)非常重要。即使设置了EOP,仍有一些区域的刻蚀深度比原计划深(过度刻蚀)或浅(刻蚀不足...
半导体制造技术之刻蚀工艺
刻蚀常见异常刻蚀常见异常:片盒卡片,叠片、错槽、片盒变形、机台故障均可能导致片盒卡片;表面划伤,和光刻工艺类似,由设备机械故障、操作不当、工具夹异常等造成,目检下为长条状线条,镜检下为图形异常;表面色差、发雾,在目检时能看到晶圆表面不规则颜色发白现象,显微镜下为密集黑点气泡等;膜厚异常,需要确定膜厚偏...
芯片是怎么做的?被卡脖子的是哪些部分?
关于”卡脖子“的新闻是怎么回事;上面我讲了芯片的制造还没开始呢就遇到了瓶颈,比如:芯片的设计软件,晶圆打磨的技术和设备,光刻机的设备去哪弄,刻蚀机的设备咱们有吗,用了什么工艺才能帮助手机公司造成来更尖端的手机,就说在制造的这个大流程中就有至少300个以上流程需要去做,每个流程都需要不同的技术,...
上海至纯洁净系统科技股份有限公司关于修订相关公司治理制度的公告
五、本次交易的目的和对公司的影响本次转让威顿晶磷的部分股份,有利于公司聚焦主营业务,提高运营效率,进一步优化资产负债结构,集中资源发展具有竞争优势的领域,符合公司发展战略和长远利益。本次交易对公司财务业绩表现具有正面影响,公司将根据《企业会计准则》等有关规定进行会计处理,具体以会计师年度审计确认后的结果...
北理王博/王璐,最新JACS!|乙酸|固体|催化剂|中国体育联赛|中国...
然而,在乙酸水溶液中,ZIF-8颗粒只有表面被均匀刻蚀,固体结构得到了很好的保持[图1g-i,简称E-ZIF-8-HAc(aq)]。虽然E-ZIF-8和E-ZIF-8-HAc(aq)的形貌有很大不同,但都保留了ZIF-8的晶体结构和孔隙度。图2乙酸蒸气刻蚀通过TEM和SEM系统地研究和观察了乙酸蒸气刻蚀的演变过程(图2)。开始时,蚀刻从颗粒...
中微半导体设备(上海)股份有限公司
晶圆制造设备可以分为刻蚀、薄膜沉积、光刻、检测、离子掺杂等品类,其中刻蚀设备、薄膜沉积、光刻设备设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备。根据Gartner历年统计,全球刻蚀设备、薄膜沉积设备分别占晶圆制造设备价值量约22%和23%。随着集成电路芯片制造工艺的进步,线宽关键尺寸不断缩小、芯片结构3D化,晶圆制造向...
国产率只有20%,我国战略气体也被“卡脖子”?院士解读如何走出困境
气体是怎么在刻蚀环节中起作用的?目前主流的刻蚀方法是干法刻蚀,它包括化学刻蚀和物理刻蚀,其中的化学刻蚀用到的是含氟气体,基本原理是利用等离子体发生装置把含氟气体电离成氟的自由基,由氟的自由基与硅结合起来生成气态的四氟化硅,而四氟化硅容易被抽走不会残留,这样就可以在硅片上雕刻出一道道特定结构的沟槽。