一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻
刻蚀是一种重要的半导体制造工艺,其基本原理是通过化学或物理手段,将晶圆表面上的特定材料层部分性地去除,从而形成所需的器件结构或图案。刻蚀技术广泛应用于半导体工业中,包括集成电路制造、传感器制造、MEMS(微电子机械系统)制造等领域。3.1、刻蚀的概念和作用刻蚀的主要目的是在半导体器件的制造过程中,根据设计要求...
科普| 什么是TOPCon电池?一文带你全面了解!(建议收藏)
目的:刻蚀的主要作用为去除BSG和背结。扩散过程会在硅片表面及周边均形成扩散层,周边扩散层容易形成短路,表面扩散层影响后续钝化,因此需要去除。目前刻蚀主要采用湿法,先在链式设备中去除背面与周边扩散层,之后处理正面。5.制备隧穿氧化层与多晶硅层目的:背面沉积1-2nm隧穿氧化层,之后沉积60-100nm多晶硅...
刻蚀工艺面试小结
刻蚀工艺的基本原理:刻蚀是通过物理、化学或物理化学的方法去除材料的一部分,通常是在曝光、显影之后,将掩膜图形转移到基底材料上的过程。刻蚀可以分为干法刻蚀和湿法刻蚀。干法刻蚀通过等离子体或离子束去除材料,而湿法刻蚀使用化学溶液进行材料的选择性去除。在半导体制造中的重要性:刻蚀工艺是集成电路制造的关键步骤之...
MEMS的原理、分类、常见工艺及工具概述
这种方法可以实现非常垂直和平滑的侧壁,是制造微流体设备和三维微结构的理想选择。在实际操作中,DRIE需要精确的过程控制来达到所需的刻蚀深度和侧壁质量。工程师必须考虑诸如气体流率、功率、压力和刻蚀时间等多种参数,以优化刻蚀过程。光刻(Lithography)光刻技术是MEMS制造中的核心工艺之一,用于在硅片或其他基底上...
半导体工艺中气体处理的原理奥秘与应用-「苏州韵蓝环保」
那么,半导体工艺气体处理的原理是什么呢?简单来说,就是通过物理或化学方法去除气体中的杂质和有害物质,以满足半导体工艺的要求。具体来说,气体处理可以分为三个阶段:预处理、主体处理和后处理。预处理阶段主要是通过过滤、冷却等方法去除气体中的固体颗粒和水分。这一步骤的目的是保护后续设备的正常运行,避免因杂质导...
半导体制造技术之刻蚀工艺
刻蚀常见异常刻蚀常见异常:片盒卡片,叠片、错槽、片盒变形、机台故障均可能导致片盒卡片;表面划伤,和光刻工艺类似,由设备机械故障、操作不当、工具夹异常等造成,目检下为长条状线条,镜检下为图形异常;表面色差、发雾,在目检时能看到晶圆表面不规则颜色发白现象,显微镜下为密集黑点气泡等;膜厚异常,需要确定膜厚偏...
集成电路刻蚀(etch)工艺开发学习笔记
一、刻蚀工艺的基本原理刻蚀工艺是通过化学反应和物理反应去除材料的一种技术,通常用于半导体制造中的图案转移。刻蚀工艺主要分为干法刻蚀和湿法刻蚀两大类。1.干法刻蚀干法刻蚀通常在真空环境中进行,利用等离子体产生的活性离子和中性粒子进行刻蚀。常见的干法刻蚀技术包括反应离子刻蚀(RIE)、等离子体增强化学气相沉积...
2.14亿元!厦门大学公布近期仪器采购意向
导读:近日,厦门大学发布多批政府采购意向,仪器信息网特对其中的仪器设备品目进行梳理,统计出69项仪器设备采购意向,预算总额达2.14亿元。近日,厦门大学围绕大科学装置发布多批政府采购意向,仪器信息网特对其进行梳理,统计出69项仪器设备采购意向,预算总额达2.14亿元,涉及流式细胞仪、等离子体增强化学气相沉积系统、小动物...
综述:锑化物超晶格红外探测器研究进展与发展趋势
像元台面刻蚀与侧壁钝化是超晶格焦平面制备研究的一个重要内容。在台面侧壁,由于半导体周期性晶格结构的突然中断,会引起能带在表面的弯曲,从而使得接近表面的半导体层内形成电荷累积,甚至引起表面反型,这会导致在表面形成导电通道。另外,在刻蚀等工艺过程中产生的损伤、沾污或者氧化物等也可能引起表面势能的变化,在带隙...
高精度MEMS陀螺仪专题分析:原理、工艺与产业链
MEMS陀螺主要有线振动型陀螺和谐振环型陀螺,前者工艺简单,利于大批量、低成本生产;后者具有更高的理论精度但结构及原理更为复杂。MEMS陀螺仪的工作模态分为驱动模态与检测模态,两种模态的工作状态、稳定控制及后续信号处理都需要通过外围电路来实现,静电驱动是目前大部分MEMS陀螺仪采用的驱动方法,静电驱动...