多团队联合攻关设计量子效应掺杂范式,研发p型场效应晶体管,突破...
其中,垂直堆叠式互补场效应晶体管结构的PMOS(n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管,positivechannelMetalOxideSemiconductor)和NMOS(N型金属-氧化物-半导体,N-Metal-Oxide-Semiconductor)器件在垂直空间上堆叠,由位于NMOS与PMOS之间的公共栅极调控。从最初的平面场效应晶体管,到鳍式场效...
复旦团队开发光增强化学晶体管传感器,实现中性小分子的高灵敏检测
与上述传统的检测技术相比,场效应晶体管(field-effecttransistors,FET)这种传感器平台则具有诸多优点,如灵敏度高、响应速度快、即时检测等。在该平台中,石墨烯作为导电通道,当其与小分子相互作用时,和电荷转移相关的化学掺杂效应会改变它的电势,导致石墨烯FET通道的电导发生实时变化。其中,必须说明的是,小分子的...
中国科大研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管
此外,通过调节N离子注入浓度,器件的击穿电压可达到534V,为目前电流阻挡层型氧化镓MOSFET器件最高值,功率品质因数超过了硅单极器件的理论极限。两项工作为氧化镓晶体管找到了新的技术路线和结构方案。图1(a)氧化镓垂直槽栅场效应晶体管结构示意图;(b)器件工作原理示意图;(c)N离子注入晶体管的输出曲线;(d)与已...
常关的n-ZnOp金刚石异质结场效应晶体管,具有凹栅和电流分布层
此外,通过改变CDL的厚度(TCDL)和掺杂浓度(CCDL),实现了Ron的优化。图1采用不同栅极设计的器件结构示意图进行仿真。(a)为参考平面晶体管,(b)为凹槽栅晶体管,(c)为带电流分布层的凹槽栅晶体管。(d)为硼掺杂浓度分别为5×1015cm??3、1×1016cm??3、5×1016cm??3、1×1017cm??3...
中国科大在功率电子器件领域取得重要进展
图4.(a)设计的β-Ga2O3MJTE-SBD器件结构示意图,(b)制备器件的扫描电子显微镜图像,(c)器件击穿特性统计分布结果,(d)该工作器件与国际已报道器件的性能对比。4.低栅漏电氧化镓pn结-异质结场效应晶体管基于p-NiO的β-Ga2O3异质结场效应晶体管在高功率和高频开关应用中显示出巨大潜力。然而在先前的研究中,基...
中微半导体设备(上海)股份有限公司
随着工艺的提升,先进芯片从平面结构过渡到复杂的三维架构(www.e993.com)2024年7月7日。随着晶体管结构的复杂度不断提升,各种半导体设备技术的创新和突破起到决定性作用,对于刻蚀和薄膜沉积技术提出了更高的要求。■FinFET技术路线图(来源:三星电子)1、等离子体刻蚀技术刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀各向异性较差,侧壁容易产生横向...
90后教授博导,全职回国任教,刚加盟电子科技大学,就发Nature,一作...
图2原子和电子结构为评估Te-TeOx半导体在电子器件中的应用潜力,研究者制作了采用镍电极和100纳米SiO??介电层的底栅顶接触薄膜晶体管(TFT)。Te-TeOxTFT展现出典型的p型沟道特性,平均空穴迁移率为4.2cm??/Vs,开/关比约为10??,起始电压正向偏移,指示较高的沟道空穴浓度。掺硒后,TFT性能提升,起始电压和...
罕见,院士独立作者发ACS Nano!
图2.5nm碳纳米管晶体管的结构与性能:(a)栅极长度为5nm的普通pd接触碳纳米管的TEM图像;(b)石墨烯接触碳纳米管晶体管结构示意图;(c)三种典型石墨烯接触碳纳米管的转移特性,Lg=10nm,典型亚阈值(SS)为60mV/10年,(d),Lg=5nm,典型SS为73mV/10年,Vds=??0.1V。
【综述】硅终端金刚石半导体与场效应管器件研究进展
尽管在材料制备、器件研制与性能方面取得了一定进展,但半导体掺杂技术至今没有很好解决。氢终端金刚石由于具有典型的二维空穴气被广泛应用于微波功率器件的研究,但其存在稳定性不佳、界面态浓度较高等问题。相比而言,近年来出现的硅终端(C–Si)金刚石具有比氢终端(C–H)金刚石更低的界面态密度、更高的阈值电压、...
苹果公布多模态大模型MM1,具备300亿参数
奥地利维也纳工业大学开发出新型可重构晶体管据IEEESpectrum网3月19日消息,奥地利维也纳工业大学研究人员开发出新型可重构晶体管,采用静电掺杂技术,可以在硬件层面动态地重新配置以执行不同的任务,从而消除了传统晶体管固定功能的限制。这些晶体管可以通过重新配置部件转换成不同的电路,用于制造通用电路,并在制造后定义它...