闪存颗粒到底是何物?浅析闪存及制程

由此,2DNAND真实的含义其实就是一种颗粒在单die内部的排列方式,是按照传统二维平面模式进行排列闪存颗粒的。相对应的,3DNAND则是在二维平面基础上,在垂直方向也进行颗粒的排列,即将原本平面的堆叠方式,进行了创新。利用新的技术(即3DNAND技术)使得颗粒能够进行立体式的堆叠,从而解决了由于晶圆物理极限而无法进一步...

原厂颗粒是什么?固态硬盘的原厂颗粒有多重要?

闪存颗粒其实就是从硅晶圆上切割下来的存储颗粒。就像CPU一样,这些闪存颗粒在制造过程中因为工艺的限制和材料的不完美,可能会有一些瑕疵。为了保证质量,晶圆厂会对这些颗粒进行严格测试,选出那些质量合格的颗粒。在这些测试通过的颗粒中,品质更高的被称为GoodDie,通常用于高要求的设备上,比如高端手机的存储、内存和...

忆联带你读懂闪存原理与颗粒类型

2DNAND的容量取决于单Die上容纳的单元数量以及每个单元可以存储的比特,其发展很容易遇到瓶颈。而相较于2DNAND的水平堆叠,3DNAND更像摩天大楼,利用纵向维度,把闪存颗粒在立体空间内进行多层垂直堆叠。从具体设计和实现上来看,3DNAND也更多地采用电荷捕获型结构(chargetrap)而不再单纯沿用浮栅设计,或将电流路径...

QLC闪存玩出新境界!江波龙全球首发用于eMMC 意义深远

这是一款2TB大容量的microSDUHS-I存储卡(蓝卡),搭载了WM5000自研主控和自研固件算法,同时应用了先进的12-Die堆叠技术,与超薄的研磨切割工艺。它克服了封装技术瓶颈,在严格遵循尺寸标准的基础上,实现更高集成度和更大容量。这是一款最高容量达到1TB的SD3.0UHS-I存储卡(银卡),同样是WM5000自研主控和自研固件...

QLC闪存擦写寿命4000次,分析长江存储在CFMS 2024上透露的信息

答案是否定的。闪存在SLC模式下写入和QLC模式写入产生的磨损是不同的，前者的寿命远高于后者，通常SSD会将闪存单元作为SLC写入和QLC写入的次数分开统计。对于QLCSSD来说，SLC缓存释放过程和TLCSSD没有什么不同，不会产生更高的写入放大。见证长江存储闪存发展：继续来看长江存储的这款X3-6070闪存芯片，它实际上是...

...存储晶圆级先进封测制造项目落地东莞松山湖,已推出 UFS 3.1 闪存

佰维存储还透露,公司已掌握16层叠Die、30~40μm超薄Die、多芯片异构集成等先进封装工艺,为NAND、DRAM芯片和SiP封装产品的创新力及大规模量产提供支持(www.e993.com)2024年11月22日。深圳佰维存储科技股份有限公司成立于2010年,专注于存储芯片研发与封测制造,是国家高新技术企业,国家级专精特新小巨人企业,并获得国家大基金战略投资。

深度揭密SSD中的原片/白片/黑片:莫贪小便宜

如上图,这就是晶圆,一般有6英寸、8英寸及12英寸规格不等,晶片就是基于这个晶圆生产出来的。晶圆上一个小块,一个小块,就是晶片晶圆体,也名Die,经过封装之后就成为一个闪存颗粒。那晶圆是怎么切割成晶片的呢?晶圆生产出来之然,首先经过切割,切割成一个一个的晶片Die,然后测试,将完好的,稳定的,足容量的Die...

企业级QLC SSD普及元年,英韧科技用前瞻性技术布局引领市场

TLC单die的容量范围是0-1Tb，QLC单die的容量则直接从1Tb起步。如果是相同容量的SSD，采用QLC颗粒的SSD在die数量方面，相较于采用TLC颗粒的SSD就会变少。因此，QLCSSD第一个要解决的性能挑战是如何提升单die的并行速度。好消息是，闪存颗粒厂商在QLC发展早期就已经获取到了这一信息，因此在die内和die间提供了多层...

巨头抢夺战,HBM被彻底引爆

存储巨头在HBM技术领域的争夺战日益激烈,从HBM1到HBM2、HBM3,再到最新的HBM3e,每一代技术的演进都标志着存储性能的显著提升和市场竞争的加剧。HBM1最早于2014年由AMD与SK海力士共同推出,作为GDDR竞品,为4层die堆叠,提供128GB/s带宽,4GB内存,显著优于同期GDDR5。

佰维存储2023年年度董事会经营评述

eMMC是当前嵌入式终端设备的主流闪存解决方案,在尺寸、成本等方面具有优势,占据较大的市场空间。UFS是eMMC的迭代产品,具有更高的存储容量和传输速率,目前已成为中高端智能手机的主流选择。eMMC、UFS广泛应用于智能手机、平板电脑、车载电子、物联网、智能穿戴、机顶盒等领域。