什么是哈特利振荡器?案例+公式
当电路发生振荡时,X点(集电极)处的电压相对于Y点(发射极)与Z点(基极)处的电压相对于Y点的异相180°。在振荡频率下,集电极负载的阻抗是电阻性的,基极电压的增加会导致集电极电压的降低。因此,基极和集电极之间的电压存在180°的相位变化,这与反馈回路中的原始180°相移一起为要维持的振荡提供了正反馈...
什么是共射放大器?手把手教你设计共射放大器
在一般的电压放大场合,这种放大效果来自于使用电阻将电流转换为电压。在小信号模型中,基极电流的来源是输入电压与基极-发射极动态电阻(Rbe)的比值,通常为kΩ,所以基极电流很小,可能只有零点几毫安。通过晶体管的放大,在集电极和发射极之间产生β倍的基极电流。这篇介绍晶体管在共射极放大电路中的工作原理。下图...
吃透MOS管,看这篇就够了
栅极电压越低,则p型源、漏极的正离子就越靠近中间,n衬底的负离子就越远离栅极,栅极电压达到一个值,叫阀值或坎压时,由p型游离出来的正离子连在一起,形成通道,就是图示效果。因此,容易理解,栅极电压必须低到一定程度才能导通,电压越低,通道越厚,导通电阻越小。由于电场的强度与距离平方成正比,因此,电场强到一定...
半导体芯片,到底是如何工作的?
弗莱明的二极管,结构其实非常简单,就是真空玻璃灯泡里,塞了两个极:一个阴极(Cathode),加热后可以发射电子(阴极射线);一个阳极(Anode),可以接收电子。旁热式二极管玻璃管里之所以要抽成真空,是为了防止发生气体电离,对正常的电子流动造成影响,破坏特性曲线。(抽成真空,还可以有效降低灯丝的氧化损耗。)三极管二极...
还不会设计晶体管施密特触发器?不要错过
假设输入电压Vi接近于0,T1没有基极电流,所以T1处于关闭状态。T2通过R1和RA汲取基极电流,因此T2处于开启状态(并且根据设计,T2是饱和的-集电极-发射极电压Vce接近于零),因此Vo位于由下式形成的分压器的中点R2&RE,介于+V和地之间。
一文搞懂IGBT
IGBT的输出特性通常表示的是以栅极-发射极电压VGE为参变量时,漏极电流IC和集电极-发射极电压VCE之间的关系曲线(www.e993.com)2024年8月16日。由于IGBT可等效理解为MOSFET和PNP的复合结构,它的输出特性曲线与MOSFET强相关,因此这里我们依旧以MOSFET为例来讲解其输出特性。其中当VDS>0且较小时,ID随着VDS的增大而增大,这部分区域在MOSFET中称为可...
基础知识之晶体管
下面通过发射极接地时的开关工作来介绍起到开关作用的晶体管。当晶体管的基极引脚被施加电压(约0.7V以上)并流过微小电流时,晶体管会导通,电流会在集电极和发射极之间流动。反之,当施加到基极引脚的电压较低(约0.7V以下)时,集电极和发射极处于关断状态,电流不流动。
碳化硅(SiC)MOS与超结(SJ)MOS和IGBT的性能及应用和器件选型方法
1、集电极-发射极额定电压UCES是IGBT在截止状态下集电极与发射极之间能够承受的最大电压,一般UCES小于或等于器件的雪崩击穿电压。2、栅极-发射极额定电压UGE是IGBT栅极与发射极之间允许施加的最大电压,通常为20V。栅极的电压信号控制IGBT的导通和关断,其电压不可超过UGE。
必看!IGBT基础知识汇总!
IGBT的输出特性通常表示的是以栅极-发射极电压VGE为参变量时,漏极电流IC和集电极-发射极电压VCE之间的关系曲线。由于IGBT可等效理解为MOSFET和PNP的复合结构,它的输出特性曲线与MOSFET强相关,因此这里我们依旧以MOSFET为例来讲解其输出特性。其中当VDS>0且较小时,ID随着VDS的增大而增大,这部分区域在MOSFET中称为可...
??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管
上拉是对器件输入电流,下拉是输出电流;强弱只是上拉电阻的阻值不同,没有什么严格区分;对于非集电极(或漏极)开路输出型电路(如普通门电路)提升电流和电压的能力是有限的,上拉电阻的功能主要是为集电极开路输出型电路输出电流通道。????3为增强输出引脚的驱动能力,有的单片机管脚上也常使用上拉电阻。