5G PA“记忆效应”的现象、形成与消除

半导体的陷波效应(SemiconductorTrappingEffects)是指在半导体器件中表现出来的记忆效应,此种记忆效应与半导体制造工艺相关。对于半导体陷波记忆效应,设计上可尝试的方法并不多,需要代工厂在器件上做优化和保障。设计中可以采用较为成熟的半导体工艺,确保器件侧无记忆效应问题。电热记忆效应电记忆效应是PA电路记忆效应...

我国半导体制造核心技术突破,打破国外垄断

据国家电投介绍,氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节,在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体产品制造过程中起着关键作用,该领域核心技术及装备工艺的缺失严重制约了我国半导体产业的高端化发展,特别是600V以上高压功率芯片长期依赖进口。核力创芯的技术突破,打破了国外垄断。核力创芯在遭遇...

2nm半导体大战一触即发:三星、台积电等积极布局2nm工艺制造

2nm工艺被视为下一代半导体工艺的关键技术突破，其优势在于能为芯片带来更高性能和更低功耗。据媒体报道，三星已拟定计划，预计于明年在韩国启动2nm制程技术的生产。此外，该公司还计划在2047年之前，于韩国投资500万亿韩元，兴建一座超大规模的半导体生产基地，专注于2nm制程技术的制造。而三星电子在近日的2023年四季...

【ICCAD2023】特色工艺将成未来中国半导体制造主旋律

荣芯半导体成立于2021年4月,总部位于中国浙江省宁波市,是一家立足于成熟节点上的特色工艺集成电路制造企业,主要业务涉及为CIS(CMOS图像传感器)、Driver(驱动芯片)以及电源管理等产品提供诸如BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)特色制造工艺平台等服务。“特色工艺制造专注于小众市场,在先进工艺的发展瓶颈越来越凸出的背景下,特色工...

半导体刻蚀设备行业研究:半导体制造核心设备,国产化之典范

刻蚀是半导体图案化过程的核心工艺,刻蚀机被视为半导体制造三大核心设备之一。刻蚀设备主要用于去除特定区域的材料来形成微小的结构图案,与光刻、薄膜沉积并称为半导体制造三大核心设备,重要性凸显,地位举足轻重。刻蚀设备:三大核心设备之一,市场规模可观刻蚀机作为半导体制造三大设备之一,价值量高,市场规模可观。根据Gar...

芯片代工实力超过美国?全球半导体制造排名出炉,差距还是挺大的

而技术方面，格芯因某些缘故宣布不再研究10nm及以下先进工艺，所以格芯现在的制造工艺在14nm左右，属于成熟工艺的范畴(www.e993.com)2024年11月9日。反观中芯国际，在2019年就搞定14nmFinFET晶体管技术，虽然目前没有对外公布其掌握多少纳米工艺，但从业内人士推测，至少已经掌握了7nm制造工艺。然而，我们还需注意到，美国的英特尔公司在半导体代工...

涨知识!氮化镓(GaN)器件结构与制造工艺

一、器件结构与制造工艺(一)器件结构对比GaNHEMT是基于AlGaN/GaN异质结,目前市面上还未出现GaN的MOSFET,主要是因为同质GaN成本太高,一般采用Si或者SiC作为异质衬底,异质衬底就需要在衬底上生长一层缓冲层(AlN),而缓冲层是绝缘的,因此目前的GaN器件还没有MOSFET结构。

科学家打造碳纳米管晶体管,兼容已有半导体制程工艺,解决碳纳米管...

未来,碳纳米管晶体管有望用于制造更小、更快、更节能的半导体器件,推动计算机技术的进步。此外,由于其出色的柔性和透明性,碳纳米管还可应用于柔性电子学、可穿戴设备和柔性显示屏等领域。在能源存储和转换领域,碳纳米管也被探讨用于制造高效的太阳能电池和超级电容器。总体而言,碳纳米管晶体管的潜在应用涵盖电子技术...

多位院士领衔重磅综述丨制造工艺与装备专栏(创刊70周年纪念专辑)

单晶硅、碳化硅等半导体基片是制造集成电路芯片、高功率半导体器件的基础。超精密磨削是半导体基片平整化加工和背面减薄加工的关键技术。阐述了半导体基片磨削表面材料去除机理、表面质量及控制方法、高效低损伤磨削工艺及超精密磨削装备的国内外研究现状,分析了半导体基片超精密磨削技术目前面临的难题及未来发展趋势;...

PE投资丨半导体ALD工艺原理和发展前景

半导体ALD工艺原理和发展前景PE投资半导体制造设备是半导体产业的重要支撑,是解决国内产业“卡脖子”的关键环节。中原信托作为河南省属金融机构,近年来先后成功投资了中欣晶圆、中芯越州、晶存科技等多家半导体细分领域的龙头企业。结合日常投研工作,中原信托私募股权投资团队本次分享关于半导体设备的研究成果,主题...