世铨传感器SQB-1T:什么是SOI高温压力传感器 技术原理是
当力作用于硅晶体上时,晶格发生形变,进而导致载流子的迁移率发生变化,从而改变硅晶体的电阻率。通过在SOI顶层器件层特定方向上刻蚀出4个压敏电阻,构成惠斯通电桥;在SOI的衬底层上刻蚀出压力背腔,形成压力敏感结构。SOI高温压力传感器的制备工艺涉及多道MEMS工艺,主要包括压敏电阻制备、金属引线制备、压力敏感膜制备以及压...
一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻
2.化学刻蚀(ChemicalEtching):化学刻蚀通过化学反应去除材料,形成易于移除的产物。方法:干法刻蚀(DryEtching):在干法刻蚀中,使用等离子体产生的活性离子和自由基与材料发生反应,生成挥发性产物,常用于精确的图案转移。湿法刻蚀(WetEtching):使用液态化学试剂与材料发生反应,形成可溶解的产物,然后通过溶液移除,这...
Semicon半导体工艺:干法刻蚀与湿法刻蚀的区别和特点
半导体制造工艺中的刻蚀是利用物理和(/或)化学方法有选择性地从晶圆表面去除不必要材料的过程。刻蚀工艺通常位于光刻工艺之后,利用刻蚀工艺对定义图形的光阻层侵蚀少而对目标材料侵蚀大的特点,从而完成图形转移的工艺步骤。刻蚀工艺主要分为干法和湿法两种。1、干法刻蚀①定义干法刻蚀是在真空环境(稀薄气体)下,将相...
【技术沙龙】光谱共焦应用之晶圆几何参数测量
定义:通过扫描模式或一系列点测量过程中遇到的最大厚度值与最小厚度值之间的差值。上图显示了放置在两个非接触式测量探针之间的晶圆。通过监测上部探针面与上部晶圆表面(A)以及下部探针面与下部晶圆表面(B)之间的变化,可以计算出厚度。首先,必须使用已知厚度(Tw)的晶圆校准系统。将已知厚度的区域放置...
超长续航超1000公里!正力新能发布国内乘用车最大电量电池系统
极能盖技术:正力新能将传统的氟橡胶密封圈设计升级为刻蚀纳米注塑技术,相较于传统的顶盖集成技术,该技术可降低10%成本;PPS与顶盖、极柱表面形成纳米级的锚栓结构和化学键结合,氦检气密性提升两个数量级,是传统密封圈水平的100倍,从而提高了电芯单体空间利用率及全生命周期可靠性。
不只光刻,一文读懂芯片前端制造工艺
首先,它可以充当绝缘层的角色,可以有效地隔离不同的电路,防止电流的泄漏(www.e993.com)2024年10月19日。其次,氧化层作为保护膜可以防止后续的离子注入和刻蚀过程对硅晶圆造成损伤,从而保护了芯片的完整性。此外,氧化层还可以作为掩膜层,用来定义电路图案,确保电路的准确布局。氧化工艺的方式有多种,可分为热氧化法(ThermalOxidation)、等离子...
这种化学品,缺料危机至今无解
众所周知,半导体制造中涉及大量化学品,比如光刻胶、刻蚀剂。对它们来说,有一种原料使用量很大,即全氟烷基和多氟烷基物质(Per-andpolyfluoroalkylsubstances,PFAS)。但PFAS是一种臭名昭著的有毒物质,被称为“永不分解的化学物质”。在影片《黑水》(DarkWaters)中,牲畜大量死亡、农场变成动物坟墓,工厂员工身...
非晶碳层的刻蚀特性研究
然而,氧等离子体中的氧自由基和被SiON掩模散射的氧离子倾向于增强顶部接触区域附近的侧壁蚀刻,导致通过ACL的各向同性蚀刻的弓形和锥形无定形碳孔蚀刻轮廓,其随着蚀刻深度的增加而减小。并且,如图2所示。1(b)随着蚀刻时间增加到(b)50%过蚀刻和(c)100%过蚀刻,其中过蚀刻百分比定义为总蚀刻时间/刚好蚀刻...
刷爆你朋友圈的5nm刻蚀机台,有啥用?
两者的区别就是定向刻蚀是能够指明方向的。比如上面的例子中,我只是把Poly和SiO2定向“切掉”,但是没有损害,光阻下面的Poly/SiO2.非定向刻蚀就是不能控制方向,这在集成电路制造中也是有很大作用的,比如晶圆用酸槽清洗等等。我们今天在这里就不再做过多介绍了。这就是刻蚀机台的作用,他不能定义这是多少纳米的...
选择性刻蚀技术演进,如何制造下一代高性能芯片
“选择性刻蚀是指在大于1000:1的极端选择性下去除材料的过程,且材料损耗小于2埃或一个单层原子。为了说明这一点,通常刻蚀选择性在20:1的范围内,”泛林集团产品市场总监IanLatchford表示。尽管如此,越来越多的应用都需要高选择性刻蚀。所有这些都需要具有复杂化学成分且专用昂贵的选择性刻蚀工具。