美国制裁没用,中国芯片没崩:制造核心技术和极紫外光源双突破!
氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节,在多种多种类型半导体产品制造过程中起着关键作用,主要用于高端芯片的制备上。这一技术的突破,有利于我们的高压功率芯的国产化。功能率芯片是可以处理高电流和高电压的芯片,通用于电源管理、电机驱动和照明等,广泛应用于多个领域,包括无线通信、医学、工业自动化、...
震撼!11万亿芯片巨无霸诞生,能顶2个台积电,凭什么这么厉害?
经过4年的自主研发,国家第三代半导体技术创新中心,攻克了沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造的关键技术。这些突破表明,中国在芯片制造领域取得了关键技术的进步,并且有望在未来一年内投入应用。同时,华为也宣布全面自研芯片尘埃落定,这是中国芯片产业的一大里程碑,标志着华为在自主创新和与国内产业链深度合作方面取得了重大成果。
重大突破!我国半导体核心技术打破垄断,仅次光刻重要环节被攻克
简而言之,半导体可以看作是芯片基础元件中必不可少的材料。这也表明,半导体技术的发展程度将会直接关系到芯片的研发进程。豺狼的尖牙美国与西方国家联合施压中国芯片产业的情况由来已久,他们通过限制半导体技术来干扰我国在这一领域的发展。从实际情况来看,美国目前是全球半导体技术最为强大的国家,拥有众多知名的芯片...
韩国半年出口芯片658亿美元,再看看中国芯片出口,真是差距悬殊
在存储芯片领域,中国技术已经逐渐超越韩国,即使是在韩国引以为傲的DRAM领域,也以实现赶超。同时,在芯片制造的关键机器光刻机的研发上面,中国也有所突破。结语今年中国半导体在重重打压下,依旧创下来7个月6409.1亿元的出口额,超过汽车、手机、家电等传统出口项目,仅次于船舶,是国内第二大出口产业。虽然目前再高端...
我国半导体制造核心技术突破 仅次于光刻的重要环节打破国外垄断
据国家电投介绍,氢离子注入是半导体晶圆制造中仅次于光刻的重要环节,在集成电路、功率半导体、第三代半导体等多种类型半导体产品制造过程中起着关键作用,该领域核心技术及装备工艺的缺失严重制约了我国半导体产业的高端化发展,特别是600V以上高压功率芯片长期依赖进口。核力创芯的技术突破,打破了国外垄断。
国产半导体设备实现关键突破!
其中,微波等离子体喷枪主要用于离子注入静电中和,相对于传统的灯丝型等离子体喷枪,可有效降低金属污染,从而提升芯片制造的良品率(www.e993.com)2024年9月18日。这一零部件是满足以AI、HBM、传感器为代表的新质生产力芯片严苛制造要求的关键。经过系列科技攻关与研发创新,凯世通已实现关键技术突破,产品测试性能表现优异,维护成本低,并已交付给客户进行...
光刻技术的过去、现在与未来
光刻技术在半导体制造中的关键性在半导体工业中,光刻技术是制造芯片的基石。通过将设计好的微细图案精确地转移到硅片或其他半导体材料表面,光刻技术决定着芯片的结构和性能。它使得我们能够在微米甚至纳米级别上制造电路结构,成为各种电子设备的核心组成部分。每一代芯片制造都依赖于光刻技术的创新,因为其决定着芯片功...
3D芯片,续写摩尔定律
键合是3DIC的另一大关键技术,奠定多芯片稳定连接之基。多个晶圆/芯片形成垂直堆叠,晶圆/芯片之间的连接固定即为键合过程。键合工艺是通过化学和物理作用将两块已抛光的晶圆紧密地结合起来,进而提升器件性能和功能,降低系统功耗、尺寸与制造成本。一般来说,在WireBonding的互连形式中,晶圆之间用固晶胶/固晶膜进行粘接...
比纳米还小的原子级制造技术是什么?离我们有多远?
宋凤麒认为,原子级制造面对的挑战中,最关键的还是基础设施与装备部分。目前大部分核心设备仍掌握在发达国家手中,国内研究设备依赖进口。我国需要发展自主知识产权保护的核心技术装备,以及支撑原子级制造发展的特色核心技术装备。例如,在传统制造过程中,制造的精度、范围和效率是互为矛盾的三角,而对原子级制造而言,三者矛...
盘古信息携手晶捷电子,开启数字化生产管理新纪元
西安晶捷电子技术有限公司(以下简称“晶捷电子”)是一家成立于2006年的高新技术企业,致力于为客户提供全方位的高可靠电子产品研发、设计、元器件配套、组装生产、产品测试服务。目前已获得电子制造领域国家专利30多项。数字化转型晶捷电子迈向新征程为了进一步提升企业的市场竞争力,晶捷电子积极响应数字化转型的浪潮,与...