Die Bonding 芯片键合的主要方法和工艺

DieBound芯片键合,是在封装基板上安装芯片的工艺方法。本文详细介绍一下几种主要的芯片键合的方法和工艺。什么是芯片键合在半导体工艺中,“键合”是指将晶圆芯片连接到基板上。连接可分为两种类型,即传统方法和先进方法。传统的方法包括晶片连接(或晶片连接)和电线连接,而先进的方法包括IBM在60年代末开发的倒装芯片...

...理工大学团队开发具有原位自增密效果的陶瓷基复合材料快速制备...

其中,基础通用标准主要规范光伏领域的基础性、通用性、指导性标准;光伏设备标准主要规范光伏硅材料、电池、组件等环节生产制造及测试设备的技术要求;光伏材料标准主要规范电池和组件生产制造过程中晶体硅材料、薄膜半导体材料等上游原材料及辅助材料的技术要求;光伏电池和组件标准主要规范光伏器件测量方法以及电池和组件的技术...

扬杰科技申请半桥整流芯片及其制备方法专利,有效降低封装工艺步骤...

金融界2024年9月4日消息,天眼查知识产权信息显示,扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“半桥整流芯片及其制备方法“,公开号CN202410623601.1,申请日期为2024年5月。专利摘要显示,半桥整流芯片及其制备方法,涉及半导体技术领域。传统半桥器件需要将两个二极管芯片反向并联封装,封装工艺流程复杂,封装...

一万五千字详解什么是芯片流片

芯片流片是半导体制造中的关键环节,指将设计好的芯片图案从计算机数据转化为实际硅片上的物理结构的过程。这个过程包含光刻、刻蚀、离子注入、金属沉积等精密工艺,确保在硅片上精确构建设计的集成电路。芯片流片不仅是连接设计与生产的桥梁,还需要严格的质量控制,以保证最终产品的性能和可靠性。任何工艺失误可能导致芯片失...

颀中科技获12家机构调研:公司于2015年将业务拓展至非显示类芯片...

问:公司显示业务的主要工艺流程答:主要可分为前段的金凸块制造(GoldBumping)、晶圆测试(CP)以及后段的玻璃覆晶封装(COG)、薄膜覆晶封装(COF)等制程。问:公司高端测试机的扩产计划?主要从哪里进机答:目前公司的高阶测试机仍在持续进机中;进机台的速度和数量则会根据目前订单的掌握情况并兼顾设备供应商的交期...

晶圆级封装(WLP),五项基本工艺

随后去除光刻胶,并利用化学刻蚀(ChemicalEtching)工艺去除多余的薄金属膜,然后在晶圆表面制备绝缘层(DielectricLayer),并利用光刻工艺去除锡球(SolderBall)放置区域的绝缘层(www.e993.com)2024年11月17日。因此,绝缘层也被称为“阻焊层”(SolderResist),它是晶圆级芯片封装中的钝化层(PassivationLayer),即最后的保护层,用于区分锡球放置区域。

芯片上的实验室:微流控芯片

在这样的背景下,微纳加工学科(micromachining)应运而生,即利用类似集成电路和计算机芯片的工艺,将大型芯片逐渐变小,这个学科所用到的一些底层的技术和原理与集成电路和计算机的芯片是非常相似的,都是把大型芯片逐渐变小的一种工艺。在这个工艺背后形成的各种各样的物理、化学、材料、生物等方面的知识统筹在一块儿...

一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻

2.多层工艺中的关键步骤:在现代半导体制造过程中,一个芯片通常需要经历数十甚至上百个工艺步骤。刻蚀工艺在这些步骤中反复出现,每一层的图形转移和结构形成都依赖于刻蚀工艺。多层结构中的每一层都需要经过光刻和刻蚀,确保不同层之间的精确对准和材料去除,以实现复杂的三维结构和功能。

一万八干字详解半导体刻蚀工艺_腾讯新闻

2.多层工艺中的关键步骤:在现代半导体制造过程中,一个芯片通常需要经历数十甚至上百个工艺步骤。刻蚀工艺在这些步骤中反复出现,每一层的图形转移和结构形成都依赖于刻蚀工艺。多层结构中的每一层都需要经过光刻和刻蚀,确保不同层之间的精确对准和材料去除,以实现复杂的三维结构和功能。

源达研究报告:芯片高性能趋势演进下,玻璃基板有望崭露头角

下图为采用上述TGV填孔方案的工艺流程,包括:玻璃盲孔制备,TGV铜填实,铜覆盖层去除过程,顶部重布线层(RDL)(TR1)过程,临时键合,研磨减薄露铜,底部RDL(BR1)制备,解键合等工艺过程。三、行业公司1.长电科技公司是全球领先的集成电路封装企业,在先进封装领域布局深远。公司可提供一站式的芯片成品制造服务,包括系统...