上海新微半导体申请多沟道HEMT器件及其制作方法专利,有效提高器件...

金融界2024年11月4日消息，国家知识产权局信息显示，上海新微半导体有限公司申请一项名为“一种多沟道HEMT器件及其制作方法”的专利，公开号CN118888580A，申请日期为2024年7月。专利摘要显示，本发明提供一种多沟道HEMT器件及其制作方法，该器件包括半导体基底、源极区及漏极区，其中，半导体基底包括多个层叠且形成有...

长鑫存储新专利:创新半导体结构制作方法引入智能化设计

长鑫存储的这一专利主要涉及半导体结构的制作,方法包括几个关键步骤:首先提供衬底,接着在衬底上形成多个沿第一和第二方向间隔排布的位线接触结构。随后,将电容接触结构放置在衬底上并与位线接触结构相间隔,最后形成沿第二方向延伸的位线结构,该结构与前述位线接触结构相连接,同时与电容接触结构保持间隔。这一创新方法...

福建省晋华集成电路申请半导体器件及其制作方法专利,提升位线结构...

金融界2024年10月25日消息,国家知识产权局信息显示,福建省晋华集成电路有限公司申请一项名为“半导体器件及其制作方法”的专利,公开号CN118804592A,申请日期为2024年8月。专利摘要显示,本申请公开了半导体器件及其制作方法,包括衬底,浅沟槽隔离,和多个位线结构。衬底包括多个有源区。浅沟槽隔离设置在衬底中,包括高...

【投产】八成设备已投入生产,中科九微半导体智能制造项目预计6...

近日,中科九微半导体设备智能制造项目传来新进展。图片来源:南充新闻网中科九微半导体智能制造项目总投资28亿元,占地约290亩,将生产全磁悬浮洁净获得设备、半导体芯片生长室、洁净获得设备、半导体系统集成模块等用于半导体加工制作过程中的设备及核心部件。2018年9月3日,项目签约,同年12月24日进场施工。今年1月初,...

如果说7nm是制程工艺物理极限 那么1nm是什么概念?

所谓的XXnm其实指的是,CPU上形成的互补氧化物金属半导体场效应晶体管栅极的宽度,也被称为栅长。栅长越短,则可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶体管——Intel曾经宣称将栅长从130nm减小到90nm时,晶体管所占面积将减小一半;在芯片晶体管集成度相当的情况下,使用更先进的制造工艺,芯片的面积和功耗就越小,成本...

晶圆的定义是什么?它在半导体制造中有何重要性?

在半导体制造的广袤领域中,晶圆是一个至关重要的元素(www.e993.com)2024年11月9日。那么,究竟什么是晶圆呢?晶圆,简单来说,是指制作硅半导体电路所用的硅晶片。它通常是由高纯度的硅材料制成,具有极高的平整度和纯净度。晶圆的尺寸规格多种多样,常见的有4英寸、6英寸、8英寸和12英寸等。不同尺寸的晶圆在生产效率和成本方面存在差...

三环集团:从小作坊到国产电子陶瓷龙头,这家企业经历了什么?

三星电机的产品广泛应用于电信、电视、半导体、计算机等领域,主要产品类别包括但不限于多层陶瓷贴片电容(MLCC)、印刷电路板(PCB)、半导体封装基板、电源模组等。公司正在转型,未来计划将重点放在车载等成长型业务上。1.海外友商运营模式均趋向重资产运营模式

半导体制造技术突破,首批氢离子注入性能优化芯片产品完成交付

晶圆代工是半导体价值链核心环节，根据Chipinsights数据，2023年全球专属晶圆代工市场规模达7430亿元。东方财富证券指出，受益于IC本土替代，中国大陆的晶圆代工厂原厂产能复苏进度较快，尤其成熟制程需求较大，部分制程的产能已经无法满足客户需求，呈满载情况。另一方面，因下半年进入了传统备货旺季，产能的紧缺可能延续至年底...

长鑫存储申请半导体结构制作方法专利,降低半导体结构的漏电

结构的制作方法及其结构,其中,半导体结构的制作方法包括:提供衬底,衬底包括PMOS区;形成沟道层,沟道层位于PMOS区的衬底的表面;形成栅极结构和保护层,栅极结构位于沟道层的表面,保护层覆盖栅极结构的表面以及沟道层的部分表面;在形成栅极结构及保护层之后,采用氢离子铸合工艺对沟道层的表面进行钝化处理可以降低半导体结构的...

把两块芯片压成一块:EUV以来半导体制造的最大创新

英特尔的YiShi在ECTC大会上报告说，由于半导体技术的新进展，所有这些连接都是必需的。摩尔定律现在受一个称为系统技术协同优化（STCO）的概念支配，即芯片的功能（例如缓存、输入/输出和逻辑）分别使用最先进工艺制程制造。然后可以使用混合键合和其他先进封装技术来组装这些子系统，以便让它们像单个硅片一样...