上海华力取得 SRAM 的存储单元结构及阵列结构专利

金融界2024年10月31日消息,国家知识产权局信息显示,上海华力集成电路制造有限公司取得一项名为“SRAM的存储单元结构及阵列结构”的专利,授权公告号CN112201288B,申请日期为2020年10月。本文源自:金融界

兆易创新申请 NOR 型存储阵列专利,提高存储阵列集成密度且结构简单

该NOR型存储阵列包括:在水平面上排列成n行与m列的多个竖直存储组,其中,一个竖直存储组包括至少h个竖直堆叠的存储晶体管,其中,n、m和h均为大于1的自然数,其中,一个竖直存储组中的存储晶体管共用一个竖直延伸的柱状栅极结构,同一行的各个竖直存储组的柱状栅极结构中的部分或全部连接同一字线...

新忆科技申请一种差分阵列结构及寻址方法专利,提高存储信息的可靠性

第二存储器阵列上包含多个第二存储单元,第一存储器阵列和第二存储器阵列为对称结构;第一存储器阵列和第二存储器阵列构成多个差分单元组,每个差分单元组包括1个第一存储单元和1个第二存储单元;差分单元组通过读出放大器进行输出,每个差分单元组的最终输出为一个比特本申请提出的差分阵列...

网络存储是什么

网络存储是什么?NAS(NetworkAttachedStorage-网络附着存储)即将存储设备通过标准的网络拓扑结构(例如以太网)连接到一群计算机上。NAS是部件级的存储方法,它的重点在于帮助解决迅速增加存储容量的需求。IPVS网络存储为最近兴起的基于互联网IP地址访问的存储方式。简单工作原理为:IPVS网络视频存储设备经过互联网络,对终端设...

长鑫存储申请半导体结构以及存储器专利,有利于降低半导体结构的...

金融界2024年10月18日消息,国家知识产权局信息显示,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构以及存储器”的专利,公开号CN118782117A,申请日期为2023年3月。专利摘要显示,本公开实施例涉及半导体技术领域,提供一种半导体结构以及存储器,半导体结构包括:存储阵列,存储阵列沿第一方向上具有相对的第一侧和第二侧;...

长江存储申请半导体结构及其制作方法等专利,提高半导体性能

第二堆叠结构中设置有存储单元阵列;形成贯穿第二堆叠结构的第三接触和第四接触;第四接触与存储单元阵列连接;第三接触位于第四接触远离存储单元阵列的一侧;将第一堆叠结构与第二堆叠结构沿第一方向堆叠并键合,形成叠层结构;第一接触与第三接触键合连接形成第一互连结构;第二接触与第四接触键合连接形成第二互连结构(www.e993.com)2024年11月3日。

美光科技取得存储器阵列及用于形成存储器阵列的方法专利

美光科技取得存储器阵列及用于形成存储器阵列的方法专利金融界2024年10月31日消息,国家知识产权局信息显示,美光科技公司取得一项名为“存储器阵列及用于形成存储器阵列的方法”的专利,授权公告号CN112216700B,申请日期为2020年6月。本文源自:金融界作者:情报员...

固态硬盘是什么

固态硬盘(SolidStateDrive、IDEFLASHDISK)是由控制单元和存储单元(FLASH芯片)组成,简单的说就是用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘,固态硬盘的接口规范和定义、功能及使用方法上与普通硬盘的相同,在产品外形和尺寸上也与普通硬盘一致。其芯片的工作温度范围很宽(-40~85℃)。目前广泛应用于军事、车载、工控、视...

北京大学申请半导体存储单元及其阵列结构专利,有效降低存储单元...

金融界2024年2月27日消息,据国家知识产权局公告,北京大学申请一项名为“一种半导体存储单元及其阵列结构“,公开号CN117615580A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示,本发明一种半导体

话题:长鑫存储取得晶体管结构、存储单元阵列及其制备方法专利...

金融界2024年4月1日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“晶体管结构、存储单元阵列及其制备方法“,授权公告号CN108063140B,申请日期为2017年11月。专利摘要显示,本发明提供一种晶体管结构、存