...薄膜沉积设备,由于涉及到高温制程,采用的陶瓷材料主要为氮化铝...

公司将进一步完善陶瓷加热器、8寸静电卡盘产品,并重点研发突破12寸静电卡盘、超高纯碳化硅套件,并加速推动市场化应用。问:静电卡盘和陶瓷加热器的区别是什么?答:根据半导体行业内通常的认识,陶瓷加热器主要应用于薄膜沉积设备,由于涉及到高温制程,采用的陶瓷材料主要为氮化铝;静电卡盘主要应用于刻蚀设备,采用的陶瓷材料...

炬光科技(688167.SH):新一代预制金锡薄膜氮化铝衬底材料已完成...

格隆汇5月6日丨炬光科技(688167.SH)投资者关系活动记录表显示,公司原有半导体激光原材料业务中预制金锡薄膜氮化铝衬底材料目前仍在销售,但受光纤激光器市场竞争加剧的影响,由于个别客户的价格过低,公司选择性放弃,因此今年第一季度销量较去年同期显著下降。新一代预制金锡薄膜氮化铝衬底材料已完成研发,正处于客户导入阶段。

抓住风口!这两家企业入驻闵行

下一步计划推出基于MEMS工艺加工的氮化铝(AIN)压电薄膜超声传感器“传感创芯,堇无止境”是团队坚守不渝的创业追求,更是推动公司持续稳健发展的核心动力源泉。未来,上海润堇科技有限公司将深耕莘庄工业区,拓展超声波传感器和力矩传感器业务,设立石墨烯研发中心,加速与园区汽车零部件、生物医药、商业航天产业链融合,挖掘更...

北京理工大学团队在杂化范德华外延生长研究方向取得重要突破

图1:不同生长模式为揭开这一神秘的生长机制,研究团队以氮化铝薄膜生长在石墨烯上为例,利用多尺度的理论计算和连续介质模型推导,系统研究了氮化铝薄膜在平面内(图2)和垂直于平面方向(图3)生长动力学过程。有趣的是,他们发现氮化铝与石墨烯的界面存在一种新型的成键方式,即杂化范德华相互作用。这样一种独特的成...

国产半导体设备实现关键突破!

公开资料显示,氮化硅、氮化铝陶瓷作为半导体行业中不可或缺的关键材料,广泛应用于晶圆的氧化、刻蚀、离子注入等多种工艺制程中。然而,由于其极高的制造门槛和复杂的结构特性,这些材料的超精密制造一直是制约我国半导体产业发展的关键技术难题之一。传统加工方法往往难以在保证加工精度的同时,有效控制材料损伤,从而影响精密...

脉冲激光沉积: 从实验室到生产|光子|超导|激光器|准分子_网易订阅

基于压电氮化铝(AlN)薄膜的射频(RF)滤波器广泛用于移动通信基础设施(www.e993.com)2024年11月10日。5G和新一代Wi-Fi标准依赖具有精确掺杂浓度的更薄、更具压电活性的结晶薄膜。PLD方法可生产出优质的RF薄膜,同时,成本比传统溅射沉积工艺更低。它生产出了具有均匀RF特性的高度有序的薄膜,为5G和6G时代做好准备。

北京大学采用化合积电高质量氮化铝薄膜破解GaN-on-Si制备难题

其中，硅基氮化铝XRC＜0.8°，表面粗糙度Ra＜1.5nm，助力氮化镓实现高质量外延生长。值得一提的是，采用PVD法生长硅基氮化铝，成本更低，利于规模化量产。化合积电基于氮化铝薄膜多年工艺技术积累，未来将在BAW滤波器、传感器等应用领域发挥更大的作用。硅基氮化铝·表征检测结果硅基氮化铝·产品参数...

氮化铝表面分层电镀制备金锡共晶薄膜工艺

相关文献指出，在扫描电镜照片(图6)中显示的金锡共晶合金膜表面的白色部分以Au5Sn相为主，灰色部分以AuSn相为主。在图9所示的截面形貌中，白色部分便是金锡共晶合金层，其右侧紧连的灰色部分是溅射铜层，最右面的黑色部分是氮化铝基板。截面的能谱线扫描结果显示金锡共晶合金膜层的厚度约5μm。4...

旭光电子:氮化铝是一种综合性能优良的先进陶瓷材料

氮化铝结构件方面:公司所生产的氮化铝大尺寸结构件,已应用于半导体产业及泛半导体产业(含光伏产业)的光刻工艺、刻蚀工艺、薄膜工艺、离子注入等工艺中,目前已通过国内多家半导体(含光伏)设备企业的认证及实现供货销售。发射管作为大功率射频电源的核心器件,具有负载能力强、工作频率高的特点。公司作为国际先进的大功率...

在纳米级薄膜上,飞秒激光实现全彩色无油墨打印

同时,该团队用激光在陶瓷薄膜上进行“雕刻”:将激光投在薄膜上后,通过控制入射激光的能量或扫描速度,便可同时改变氧化膜(氧化铝)和氮化铝钛膜的厚度;在厚度改变后,入射的自然光将通过3层膜结构之间的复杂干涉效应,形成特定的反射颜色,丰富多彩的颜色就此成型。