高速高容量铁电存储器有望诞生

江安全介绍,铁电存储器最大的优点在于读写速度快.目前,在使用电脑读取硬盘时,无法实现较快速度的原因不在于CPU的技术,而是因为大量的时间耗费在数据交换上.相比现在使用广泛的闪存硬盘以毫秒为单位的运转速度,铁电存储器可以达到几十纳秒,快了106倍,可广泛应用于高性能移动数字设备和电脑中,大...

江波龙获4家机构调研:公司SSD产品主要是面向服务器市场及PC市场...

答:在核心技术方面,公司拓展了SLCNANDFlash等小容量存储芯片设计能力,并推进相较于典型存储器/模组企业,公司研发布局突破藩篱进入到集成电路设计领域,实质性构建了自研SLCNANDFlash存储芯片设计业务,产品获得客户认可实现量产销售,代表着公司具备了从存储晶圆设计、生产端深入理解各类存储晶圆特性的能力。另一方面,公司已经推...

存储芯片,中国什么时候能成?

NANDFlash属于数据型闪存芯片,可以实现大容量存储、高写入和擦除速度,多应用于大容量数据存储。拥有SLC、MLC、TLC、QLC四种不同存储技术,依次代表每个存储单元存储的数据分别为1位、2位、3位与4位。其中SLC和MLC/TLC/QLC形成了截然不同两个赛道,因为SLC技术较老但寿命、可靠性最优的。从SLC到QLC,存储密度逐步提...

佰维存储2023年年度董事会经营评述

公司主要从事半导体存储器的研发设计、封装测试、生产和销售,主要产品为半导体存储器,主要服务为先进封测服务,其中半导体存储器按照应用领域不同又分为嵌入式存储、PC存储、工车规存储、企业级存储和移动存储等。公司积极响应国家战略新兴产业导向,紧密结合新质生产力要求,强化研发封测一体化布局,涉及存储解决方案研发、主控...

公司代码:688766 公司简称:普冉股份

EEPROM是一类通用型的非易失性存储器芯片,在断电情况下仍能保留所存储的数据信息,可以在计算机或专用设备上擦除已有信息重新编程,可擦写次数至少100万次,数据保存时间超过100年。该类产品相较于NORFlash的容量更小、擦写次数高,因此适用于各类电子设备的小容量数据存储和反复擦写的需求,广泛应用于智能手机摄像头、工业...

上海复旦微电子集团股份有限公司 2023年年度报告摘要

EEPROM、NORFlash、NANDFlash虽然都属于非挥发存储器,但是三类存储器在不同容量区间具有差异化的成本优势,形成了各自相对稳定的应用领域和细分市场(www.e993.com)2024年11月18日。工艺制程是存储器技术迭代的基础,利基非挥发存储器一般采用相对成熟的工艺制程,向大容量、高性能、低功耗、高可靠性发展。随着下游应用领域技术的升级,终端产品对存储器...

长春市光通信设备产业园项目

WDM-PON芯片主要包括复用器/解复用器、光放大器、波长选择开关等器件。复用器/解复用器用于将多个不同波长的光信号合并成一路信号或将一路信号分成多个不同波长的信号。光放大器用于放大光信号以提高传输距离和容量。波长选择开关用于选择特定波长的信号进行传输或接收。

“大芯片”的挑战、模式和架构

其中,CA指计算能力,BWoff-chip指芯片外带宽,BWintra-chip指芯片间或内核间带宽。其中,αoff-chip和αintra-chip是归一化的数据移动量,分别表示每次计算(以B/op为单位)从片外存储器和芯片(或内核)之间移动的数据量。现在,我们需要弄清楚CA、BWs和A之间的关系。随着系统规模的扩大,采用特定设计的大芯片的...

DRAM内存技术的基本原理是什么?

DRAM的基本原理常见的信息存储单位有Byte和bit(比特)两种,1Byte=8bit。比特是最小的信息单位,也就是‘0’和‘1’两种可能性二选一。在DRAM中,每一个比特需要一个存储单元来存储。您的8GB手机中,有640亿个DRAM存储单元。这个存储单元是由一个电容器和一个晶体管组成,信息以电荷的形式存储在电容器上。

存储器基本概念及分类介绍

存储器(Memory)是计算机系统中的记忆设备,用来存放程序和数据。计算机中的全部信息,包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。二、存储器的构成构成存储器的存储介质,目前主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位就是一个双...