晶体管家族增添新成员 我国科学家发明新型“热发射极”晶体管
近日,中国科学院金属研究所通过使用石墨烯等材料,发明了一种“受激发射”新型热载流子生成机制,并构建了“热发射极”晶体管,得到了一种既可以降低功耗又具有“负电阻”功能的晶体管,有望用于设计集成度更高、功能更丰富的集成电路,研究成果8月15日在国际学术期刊《自然》上发表。该工作开辟了晶体管器件研究的新领...
基于运算放大器和晶体管的模拟方波发生器设计
当这个电路启动时,一个晶体管,假设Q2,将进入“截止”区域,在那里它不导电。这将导致集电极节点(Q2顶部)充电至VDD。同时,Q1将饱和并因此导通电流。这将导致连接到Q2基极的C1节点通过R3充电,直到Q2达到饱和。当被推到饱和状态时,C2右侧的急剧电压降会在Q1的基极产生强烈的负响应,将其推向截止状态。这种推挽行为...
开关功率晶体管的选择和正确操作
当晶体管从OFF切换到ON或从ON切换到OFF时,晶体管将跨越其线性区域。由于MOSFET和JFET的跨导非常高,漏极和栅极之间的电容将成倍增加。因此,驱动器在跨越线性区域时将承受严重负载,这会导致栅极电压保持在稳定状态。因此,除非驱动器可以提供几安培的电流,否则开关速度将大大减慢。如此强大的输出级需要...
双极性结型晶体管的开关损耗
在导通状态下,负载电流从BJT的集电极流到其发射极。还需要基极到发射极电流以使集电极到发射极导通成为可能。这两条电流路径的总功耗称为传导损耗(PC)。我们可以使用以下公式进行计算:VBE是基极-发射极结两端的电压VCE是集电极-发射极结两端的电压IB是基本电流IC是集电极电流。在导通过程中,VBE通常在700mV左...
基础知识之晶体管
作为开关使用的晶体管下面通过发射极接地时的开关工作来介绍起到开关作用的晶体管。当晶体管的基极引脚被施加电压(约0.7V以上)并流过微小电流时,晶体管会导通,电流会在集电极和发射极之间流动。反之,当施加到基极引脚的电压较低(约0.7V以下)时,集电极和发射极处于关断状态,电流不流动。
三极管的奥秘:如何用小电流控制大电流
当基极-发射极没有正向偏置,也就是是截止的时候,集电极和发射极之间没有电流流动,三极管处于截止状态:工作区工作区定义根据发射结和集电结的偏置状态,可以定义三极管的几个不同的工作区(www.e993.com)2024年8月16日。截止区:当发射结电压小于导通电压(约0.6-0.7V),发射结没有导通,集电结处于反向偏置,三极管没有电流放大作用,相当于一个...
半导体芯片,到底是如何工作的?
栅极上很小的电流变化,能引起阳极很大的电流变化。而且,变化波形与栅极电流完全一致。所以,三极管有信号放大的作用。一开始的三极管是单栅,后来变成了两块板子夹在一起的双栅,再后来,干脆变成了整个包起来的围栅。围栅真空三极管的诞生,是电子工业领域的里程碑事件。
芯片,到底是如何工作的?-虎嗅网
栅极上很小的电流变化,能引起阳极很大的电流变化。而且,变化波形与栅极电流完全一致。所以,三极管有信号放大的作用。一开始的三极管是单栅,后来变成了两块板子夹在一起的双栅,再后来,干脆变成了整个包起来的围栅。围栅真空三极管的诞生,是电子工业领域的里程碑事件。
基础知识之运算放大器
关于以下第2项,放大了的输入电压AvVi被运算放大器的输出电阻Ro和负载电阻RL分压输出。此时,当Ro远远小于RL(Ro=0)时,第2项可近似于1,信号可在不衰减的状态下输出。这样的运算放大器被称为理想运算放大器。一般希望运算放大器具有高输入电阻、低输出电阻,尽量设计为接近理想运算放大器的电路结构。
一文读懂晶闸管工作原理
(α1+α2)很小,故晶闸管的阳极电流Ia≈ICO,晶闸管处于正向阻断状态;当晶闸管在正向门极电压下,从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结,从而提高放大系数α2,产生足够大的集电极电流IC2流过PNP管的发射结,并提高了PNP管的电流放大系数α1,产生更大的集电极电流IC1流经NPN管的发射结,这样强烈的正...