全碳化硅(SiC)高功率密度、高频率前瞻性充电桩电源参考设计方案

现有设计为2个板卡设计,功率:20kW,体积:2Ux5Ux9U,功率密度:2.5W/mm3。新设计目标:减少或消除内部总线电容,单板结构,降低无源元件和组装成本,利用SiCMOSFET,在不牺牲效率的情况下增加频率,只需使用两电平拓扑。3.种主流拓扑结构拓扑结构1:ViennaPFC+三电平移相全桥,三电平PFC实现了卓越的效率,但...

...碳化硅控制器相较于目前的硅基IGBT控制器具有功率密度高的...

答:碳化硅控制器相较于目前的硅基IGBT控制器具有功率密度高的特性,比如每公斤输出功率高。所以在能够提供同意功率输出的情况下,控制器体积可以做的更小,或者说在和IGBT控制器同样体积下,可以输出更高的功率。问:公司2023年都有哪些乘用车项目答:2023年批量生产的主要项目有小鹏汽车纯电动车型,一汽的纯电动和混动...

市场|碳化硅模组封装,我们还能聊什么?

在800V电压平台下,PM6功率模块最大可支持300kW的峰值功率输出,并且体积仅为60%,有效提升了电机控制器体积密度。根据披露数据,该款模组最优值通流可达100A/25mm??左右,可以说是全球最先进的半桥模块。去年10月25日,联合汽车电子在行业展会上展示了公司的第二代碳化硅电桥,其中就采用了BOSCH全新一代PM6功率模...

碳化硅集成光子学研究进展及其应用

其三，碳化硅具有较大的二阶非线性系数（30pm/V）［24］，这使得在碳化硅平台上实现高效的频率转换和低损耗的电光调制成为可能，另外碳化硅大的三阶非线性系数（10~18m2/W）也为片上光学频率梳的产生提供了基础。其四，碳化硅材料的微结构加工工艺可以与CMOS技术兼容，在降低加工成本的同时可以提升器件加工...

价格战将加速碳化硅在车载OBC的渗透

4)碳化硅器件具有3倍于硅基器件的热导率，散热性能更好，能够支持高功率密度并降低散热要求，使得器件体积可缩小至硅基器件的1/10，更轻量化。具体到新能源汽车的应用中，碳化硅相比硅基IGBT功率转换效率更高(ST测算为3.4%，小鹏测算为3-4%)，电动汽车续航距离可延长5-10%;按照蔚来工程师提供的数据，ET7...

第三代半导体碳化硅衬底分类、技术指标、生长工艺、产业链、下游...

①耐高压:击穿电场强度大,是硅的10倍,用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度,并大大降低器件的导通损耗(www.e993.com)2024年11月9日。②耐高温:半导体器件在较高的温度下,会产生载流子的本征激发现象,造成器件失效。禁带宽度越大,器件的极限工作温度越高。碳化硅的禁带接近硅的3倍,可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可...

单管20元,碳化硅在车载OBC普及还有多远?

浙江大学王正仕:我认为还是如前文所说的,一是电磁兼容,提高碳化硅OBC频率需要大幅修改原有OBC方案,带来的成本会比较高;二是高频损耗。采用碳化硅后,车厂关心的还是怎么把体积做小,功率密度提高,这就需要提频,碳化硅器件提高到200kHz左右没有问题,但磁性元件的高频损耗导致的发热问题会比较难处理,因为磁性元件从结构而...

【产业研究】高压快充趋势及产业链降本,加速碳化硅产业进展——新...

4)更小的面积,更小的能量损耗,实现高功率。碳化硅器件具备更小的能量损耗,能够提供较高的电流密度。在相同功率等级下,碳化硅功率模块的体积显著小于硅基模块,有助于提升系统的功率密度。2.碳化硅产业链包括上游衬底和外延、中游器件、下游应用以碳化硅材料为衬底的产业链主要包括碳化硅衬底材料的制备、外延层的生...

AI热潮背后暗藏的能源危机,GaN和SiC打开电源进化突破口

AI数据中心耗电量的持续增长,要求使用CRPS或OCP这种固定标准外形电源具备更高的功率密度。采用CRPS和OCP固定标准外形的服务器电源目前,硅还是电源里主要的半导体材料,但下一代AI所需电源的性能和效率要求正逐步超出硅的性能极限。因此,电源行业将目光逐渐转到宽禁带材料上:如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),以尽可能有效地...

未来国防拼什么?6大前沿新材料关键技术纺织不缺席

氧化铝因其成本低而在防弹上得到更广泛的应用,但其防弹等级最低、密度也最大;碳化硼防弹性能最好、密度最小,但其价格最为昂贵,20世纪60年代就最先用来作为设计防弹背心的材料;碳化硅陶瓷材料在成本、防弹性能和密度指标方面均介于二者之间。因而最有可能成为氧化铝防弹陶瓷的升级换代产品。