集成电路技术与产业发展

1.1集成电路与集成电路产业,IntegratedCircuit(IC)1.1.1集成电路的概念集成电路(IntegratedCircuit,IC)是指通过一系列特定的加工工艺,将晶体管、二极管等有源器件和电阻器、电容器等无源元件,按照一定的电路互连,“集成”在半导体(如硅或砷化镓等化合物)晶片上,封装在一个外壳内,执行特定功能的电路或系统。1.1....

盛美上海2024年半年度董事会经营评述

背面清洗/刻蚀设备可用于介质层清洗和刻蚀、以及常规硅刻蚀工艺。背洗和背刻设备可通过手臂翻转或者单独的翻转单元进行翻转,腔体使用伯努利原理通过氮气支撑Wafer进行工艺,在完美保护Wafer正面不受影响的情况下进行背面清洗和刻蚀工艺。12、键合胶清洗设备键合胶清洗设备主要用于2.5D/3D工艺中键合胶的去除,涉及到Wafer边...

证券时报电子报实时通过手机APP、网站免费阅读重大财经新闻资讯及...

等离子体刻蚀设备的分类与刻蚀工艺密切相关,其原理是利用等离子体放电产生的带化学活性的粒子,在离子的轰击下,与表面的材料发生化学反应,产生可挥发的气体,从而在表面的材料上加工出微观结构。根据产生等离子体方法的不同,干法刻蚀主要分为电容性等离子体刻蚀和电感性等离子体刻蚀;根据被刻蚀材料类型的不同,干法刻蚀主要...

中微半导体设备(上海)股份有限公司 2023年年度报告摘要

等离子体刻蚀设备的分类与刻蚀工艺密切相关,其原理是利用等离子体放电产生的带化学活性的粒子,在离子的轰击下,与表面的材料发生化学反应,产生可挥发的气体,从而在表面的材料上加工出微观结构。根据产生等离子体方法的不同,干法刻蚀主要分为电容性等离子体刻蚀和电感性等离子体刻蚀;根据被刻蚀材料类型的不同,干法刻蚀主要...

《炬丰科技-半导体工艺》ICP刻蚀氮化镓基LED结构的研究

氮化镓作为一种宽带隙半导体，已被用于制造发光二极管和激光二极管等光电器件。在光电子器件的制造过程中，蚀刻是图案化所需的技术。由于氮化镓的化学惰性和高热稳定性，没有辅助的湿法刻蚀方法是不合适的。最近已经开发了几种不同的GaN基材料干法刻蚀技术，包括反应离子刻蚀(RIE)、电子回旋共振(ECR)刻蚀和电感耦合等离子...

南通华林科纳---ZnO上 ZnCdO 的选择性湿法刻蚀

南通华林科纳---ZnO上ZnCdO的选择性湿法刻蚀1.5:1保持不变,仅使用Cd细胞温度来控制生长过程中的组成(www.e993.com)2024年11月19日。生长后,对样品进行室温CL测量,以确定ZnCdO的近班德奇发射峰的光谱位置。通过后向散射和校准的x射线光电子光谱XPS测量结果验证了Cd的组成,确定为4.8±0.3%。我们的ZnCdO的实验带隙是在25°C下阴极发光CL的...

迫使美国取消出口管制,他是中国半导体刻蚀设备之王

芯片工艺制程进入纳米尺寸后,湿法刻蚀逐渐被淘汰,工艺升级为干法刻蚀,即用电场加速等离子体,高能等离子体轰击晶圆表面,如同剃刀一般将晶圆上不需要的部分轰击掉,形成规整的沟槽图案。这种刻蚀设备也被称作等离子体刻蚀机。图:干法刻蚀各种结构的显微镜放大图

华林科纳---侧壁取向在GaN基紫外发光二极管湿法化学蚀刻中的作用

TMAH选择性蚀刻暴露的氮化镓m面侧壁,在侧壁形成三棱镜。通过改变芯片侧壁的取向,可以改变暴露的晶面,因此,可以调整由TMAH蚀刻产生的纹理化侧壁。对于我们在实验中研究的长方体形状的发光二极管芯片,具有较大m面侧壁的发光二极管芯片在TMAH蚀刻后给出了最佳的光输出功率。我们的工作揭示了湿法化学刻蚀发光二极管中侧壁...

半导体风向标中微公司“小步快跑”:晶圆扩产潮下的刻蚀机国产化之路

其中刻蚀是将晶圆表面不需要的材料逐渐去除,常用设备有刻蚀机等。按工艺刻蚀分为湿法刻蚀和干法刻蚀,集成电路中需要多种类型的干法刻蚀工艺,应用硅片上各种材料。根据刻蚀的材料,干法刻蚀又分为介质刻蚀、硅刻蚀和金属刻蚀三大类。从下游半导体行业刻蚀的应用来看,业内认为介质刻蚀、硅刻蚀都是市场主要需求点,拥有47%...

朱刚毅:悬空车轮形氮化镓发光二极管

朱刚毅:悬空车轮形氮化镓发光二极管原创长光所Light中心中国光学编者按近日,南京邮电大学的朱刚毅副教授在《发光学报》发表了题为"FloatingenhancedGaNMicroWheelLEDsfor3dBcommunication"的论文。该工作采用标准半导体工艺在硅衬底上制备了氮化镓(GaN)基车轮形发光器件。采用各向同性湿法刻蚀工艺将器件悬空,...