英伟达40系显卡发布会重播观看地址 和4080完整参数性能对比
来自可靠爆料者Greymon55的早期谣言暗示AD102芯片具有450瓦、650瓦和850瓦三种不同的功耗水平,后来Greymon55猜测很可能是600瓦,并且怀疑这是RTX4090的功耗数字。据称Moore'sLawisDead新报告证实了Nvidia的旗舰RTX4090显卡的总板功率(TBP)为600瓦的消息,这是PCIe5.016针电源线可以提供的最大功率...
...China,以创新科技赋能中国可持续发展;苹果分享自研芯片成功秘诀
鸿海集团表示,将于SC2024展示最新AI基础设施创新成果,其中,最受瞩目的是专为万亿级参数大型语言模型(LLM)训练,及即时推论所设计的新一代液冷AI机柜系统,采用领先业界的多芯片互连技术。鸿海强调,现阶段AI产品展望比8月法说会时能见度更佳,2025年是鸿海的“AI人工智能年”,AI将是2025年集团最重要增长动能,GB20...
RTX 4090是几纳米工艺 有哪些接口?
1.RTX4090是用NVIDIAAdaLovelace架构,提供出色的游戏和创作、专业图形、人工智能和计算性能。为光线追踪和基于AI的神经图形提供革命性的性能。它提供了显着更高的GPU性能基线,并标志着光线追踪和神经图形的临界点。2.NVIDIA张量核心支持并加速变革性AI技术,包括NVIDIADLSS和新的帧速率倍增NVIDIADLSS...
英伟达下一代GPU,真实性能发布
英伟达表示,在MLPerfTraining4.1行业基准测试中,NVIDIABlackwell平台在所有测试的工作负载上都取得了令人印象深刻的成绩,在LLM基准测试中,每块GPU的性能提高了2.2倍,包括Llama270B微调和GPT-3175B预训练。此外,NVIDIA在NVIDIAHopper平台上的提交继续在所有基准测试中保持大规模记录,包括...
一文回顾GTC亮点:英伟达发布最新芯片技术、Omniverse“牵手”苹果...
最新芯片架构Blackwell发布在演讲中,黄仁勋宣布英伟达将推出用于万亿参数级生成式AI的NVIDIABlackwell架构。搭载Blackwell技术,还将推出B200和GB200系列芯片。据介绍,B200拥有2080亿个晶体管,而H100/H200有800亿个晶体管,采用台积电4NP工艺制程,可以支持多达10万亿个参数的AI大模型。GB200将两个B200BlackwellGPU与一...
从游戏GPU巨头到AI芯片霸主,英伟达的成功秘诀是什么?|钛度图闻
从1990年的GPUGeforce256，到首个通用GPU计算架构Tesla，再到Maxwell、Pascal、Volta、Ampere、Hopper架构，以及如今的Blackwell架构，英伟达芯片性能持续提升(www.e993.com)2024年11月22日。例如，相比Hopper架构，最新Blackwell架构的GPU单芯片训练性能（FP8）提升2.5倍，推理性能（FP4）提升5倍。AI方面，人工智能的发展为GPU带来更大增长空间，...
...AI 芯片架构:英伟达 Blackwell GPU 究竟牛在哪?现场对话技术高管
1、摩尔定律带动性能提升越来越捉襟见肘，单die面积和晶体管快到极限，后续芯片迭代必须包括高带宽内存、Chiplet先进封装、片内互联等技术的创新组合。再加上片外互连等高性能通信的优化，共同构成了英伟达打造出专为万亿参数级生成式AI设计的系统的基础。2、未来，数据中心将被视为AI工厂，在整个生命周期...
详解AI芯片参数,英伟达凭啥不能被替代?
当然,对于英伟达来说,CUDA也只是护城河的一部分,其他的技术如NVLink也至关重要。作为大模型训练的GPU,没有哪家企业会单独使用一张GPU,每次都会使用至少几百张卡,甚至上万张卡一起建立计算集群。NVLink是一种链接技术,可以实现GPU之间的高速、低延迟的互联。如果没有这种技术,整个芯片算力的集群就无法实现1+1>3的...
英伟达GB200芯片带火“铜背板连接”概念 多家A股产业链公司回应...
有业内人士推测,长电科技提到的“国际客户4nm节点多芯片系统集成封装产品”,大概率是指英伟达的NVIDIAGH100CPU+GPU模块。为了解长电科技的最新封测产品技术进展及营收的情况,《科创板日报》记者以投资人身份致电长电科技。其证代办人士表示,目前该公司推出的XDFOI技术平台产品,可应用于2.5D、3D等先进封装领域,满足...
英伟达公布更多 Blackwell 细节及未来产品路线图:单价 3~4 万美元...
英伟达称,Blackwell拥有6项革命性技术,可支持多达10万亿参数的模型进行AI训练和实时大语言模型(LLM)推理。1.全球最强大的芯片:Blackwell架构GPU拥有2080亿个晶体管,确保了芯片具有极高的计算能力和复杂性;采用台积电4纳米工艺制造,提高了芯片的集成度,降低了功耗和发热量;配备192GB的HBM3E...