【解密】泰科天润 新型SIC沟槽型JFET;弗拉克托斯 vs vivo侵害发明...

单极型晶体管包括JFET和MOSFET。MOSFET存在着沟道迁移率低和栅氧化物可靠性差的问题。与之相比,JFET不需要栅氧化物,也不存在沟道迁移率降低的问题。泰科天润早在13年5月20日就申请了一项名为“一种碳化硅沟槽型JFET的制作方法”的发明专利(申请号:20131018777.1),申请人为泰科天润半导体科技(北京)有限公司。根据...

写给小白的芯片半导体科普

半导体包括:集成电路+分立器件+光电子器件+传感器。集成电路和另外三个的主要区别,在于集成度。集成电路的晶体管数量,远远大于分立器件、光电子器件和传感器。另外,衬底材料一般也不一样。目前,光电子器件,分立器件和传感器的市场规模加在一起,也仅占到全部半导体市场规模的10%左右。所以,我们可以说:集成电路是半...

中国科大在功率电子器件领域取得重要进展

相较于传统平面型GaN-on-Si器件,垂直型GaN-on-GaN器件能够拓展其电压和功率等级,并具有优异的动态性能。在功率变换器开关等过程中,功率二极管通常需要承受较大浪涌电流。对于Si和SiC双极型器件,电导调制对提升浪涌能力具有积极作用。而不同于Si或SiC器件,GaN为直接带隙半导体,电子和空穴可通过辐射复合发出光子,本征少...

告诉你什么是功率半导体士兰微到底强在哪里?

1.双极型器件,例如电力二极管、晶闸管、GTO、GTR;2.单极型器件,例如PowerMOSFET、SIT、肖特基势垒二极管;3.复合型器件,例如MCT(MOS控制晶闸管)、IGBT、SITH和IGCT。器件优缺点电力二极管:结构和原理简单,工作可靠;晶闸管:承受电压和电流容量在所有器件中最高IGBT:开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能...

半导体芯片,到底是如何工作的?

矿石检波器是人类最早的半导体器件。它的出现,是半导体材料的一次“小试牛刀”。尽管它存在一些缺陷(品控差,工作不稳定,因为矿石纯度不高),但有力推动了电子技术的发展。当时,基于矿石检波器的无线电接收机,促进了广播和无线电报的普及。能带理论的问世...

详解第三代半导体材料:碳化硅和氮化镓

第三代半导体材料是指具有宽带隙(Eg≥2.3eV)的材料,代表包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石和氮化铝(AlN)(www.e993.com)2024年11月14日。这些材料在半导体照明、电力电子、激光器和探测器等领域有着广泛的应用,每个领域都有不同的产业成熟度。第三代半导体材料以其宽带隙特性,在高温、高频、高效率和高功率电子器件中展现出巨...

存储芯片巨头,秀肌肉!|闪存|美光|海力士|nand_网易订阅

据介绍,为了解决氧化物半导体固有的空穴短缺问题,三星他们反转了栅极堆栈,并在栅极上放置了一个空穴供应器。此外,团队还开发了一种新颖的操作方法,该方法在编程和擦除操作中都采用单极正脉冲来防止通道浮动。采用独特策略的OSCTF存储器在4.9V的存储器窗口下表现出完整的编程/擦除操作。这项工作开启了氧化物半...

英国纽卡斯尔大学工程学院高级研究员新著!《碳化硅器件工艺核心...

《碳化硅器件工艺核心技术》共9章,以碳化硅(SiC)器件工艺为核心,重点介绍了SiC材料生长、表面清洗、欧姆接触、肖特基接触、离子注入、干法刻蚀、电解质制备等关键工艺技术,以及高功率SiC单极和双极开关器件、SiC纳米结构的制造和器件集成等,每一部分都涵盖了上百篇相关文献,以反映这些方面的最新成果和发展趋势。

揭示光电器件的物理机制

刘飞龙课题组使用三维动力学蒙特卡罗模拟,系统研究了惰性材料稀释对单极三明治型无序有机半导体器件中电流密度的影响。与传统半导体物理理论不同,将无序有机材料掺杂惰性材料进行稀释后,由于“陷阱稀释”效应,其电流电压特性得到增强。仿真结果显示了陷阱稀释引起的电流密度增加何时会超过稀释引起的迁移率下降的负面效应。

芯片,到底是如何工作的?-虎嗅网

矿石检波器是人类最早的半导体器件。它的出现,是半导体材料的一次“小试牛刀”。尽管它存在一些缺陷(品控差,工作不稳定,因为矿石纯度不高),但有力推动了电子技术的发展。当时,基于矿石检波器的无线电接收机,促进了广播和无线电报的普及。能带理论的问世...