终于看到了,这是我见过写传感器产业链最细致的文章!(强推)

充油是在传感器内部注入油液,以保护压力芯片和提高灵敏度;密封是在传感器外部加上保护罩或胶水,以防止外界环境对传感器造成干扰;压力冲击是对传感器施加高低交变压力,以消除残余应力;老化是对传感器进行长时间稳定工作,以消除初始漂移;补偿测试是对传感器进行温度、线性、灵敏度等方面的测试,以确定其性能参数;调阻是对...

动图看PN结的形成原理

N型半导体电子多,电子容易逃跑且原子核电荷太多,会形成正电荷。2.PN结P(Positive)型半导体和N(Negative)型半导体构成PN结以后,会扩散出一个内电场,也叫PN结、阻挡层、耗尽层、空间电荷区。电子受到电场力作用会漂移向N级,但N级电子太多,还是会向P级扩散。两种运动形成了动态平衡,当然,不一定会像下面这个动画...

??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管

补偿电容:用在补偿电路中的电容器称为补偿电容,在卡座的低音补偿电路中,使用这种低频补偿电容电路,以提升放音信号中的低频信号,此外,还有高频补偿电容电路。分频电容:在分频电路中的电容器称为分频电容,在音箱的扬声器分频电路中,使用分频电容电路,以使高频扬声器工作在高频段,中频扬声器工作在中频段,低频扬声器工作在...

激光雷达历史、发展梳理

当扩散运动和漂移运动所迁移的载流子数目相同时,达到动态平衡,就形成一个PN结。PN结中载流子数量非常少的一个高电阻区域称为耗尽区。如果给PN结施加一个正向电压(P型区接正极,N型区接负极),正向电压的电场与PN结的自建电场方向相反,它削弱了自建电场对扩散运动的阻碍作用。在外电场作用下,大量电子将被推向N区,其中...

二极管的PN结介绍

由此可见,漂移运动的作用是使空间电荷区变窄,与扩散运动的作用正好相反。在无外加电场和其他激发作用下,参与扩散运动的多子数目与参与漂移运动的少子数目相等时,达到动态平衡,这是交界面两侧形成的一定厚度的空间电荷区,称为PN结。这个空间电荷区阻碍多子的扩散,因此也称阻挡层;又由于其中几乎没有载流子,因此又称耗尽...

pn结的特性,PN结的击穿特性,PN结的电容特性

当反向电压增大到一定值时,PN结的反向电流将随反向电压的增加而急剧增加,这种现象称为PN结的击穿,反向电流急剧增加时所对应的电压称为反向击穿电压,如上图所示,PN结的反向击穿有雪崩击穿和齐纳击穿两种(www.e993.com)2024年11月19日。1、雪崩击穿:阻挡层中的载流子漂移速度随内部电场的增强而相应加快到一定程度时,其动能足以把束缚在共价键中...

把“硅”变成“太阳能电池”,究竟用了什么魔法?

PN结形成后,其两端显不同的电性,进而形成一个从N指向P的电场。这个电场是自发形成的,我们可以叫它自建电场。这时候我们来看看少子的情况,少子和多子的电性是相反的,既然自建电场阻碍了多子的扩散,反而就促进少子运动到对面去了,这个过程叫少子的漂移。多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡的时候,这时候PN结就稳定形...

「硬见小百科」一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系

集电结的正偏电压阻碍基区少子向集电极漂移,正偏越厉害,少子向集电极运动越困难,即Ic越小,因此饱和状态下的Ic是小于放大状态下的βIb的,此时,管子呈现出很小的结电阻,即所谓的饱和导通。(三)MOS管MOS管结构原理:以N-MOS为例,a:P型半导体做衬底;b:上边扩散两个N型区,c:覆盖SiO2绝缘层;在N区上腐蚀两个...

二极管的正向偏置反向偏置图解

内电场的削弱使多数载流子的扩散运动得以增强,形成较大的扩散电流(扩散电流由多子的定向移动形成,通常简称为电流)。在一定范围内,外电场愈强,正向电流愈大,PN结对正向电流呈低电阻状态,这种情况在电子技术中称为PN结的正向导通。半导体在无外加电压的情况下,扩散运动和漂移运动处于动态平衡,动态平衡状态下通过PN结的...

原来如此!揭开半导体制冷技术的面纱

3.PN结在一块本征半导体的两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:因浓度差↓多子的扩散运动??由杂质离子形成空间电荷区↓空间电荷区形成形成内电场↓↓内电场促使少子漂移内电场阻止多子扩散...