十大变革科技 | 第四代半导体材料:新一轮科技竞赛
当前,半导体已发展至第四代超宽禁带半导体,代表性的材料包括氮化铝、氧化镓、金刚石、氮化硼等。这些材料在信息与能源技术领域具有极为广阔的应用前景,也因此受到了世界各国的重视,并在全球范围内引发了新一轮科技竞赛。我国在“十四五”发展规划中已将第四代半导体技术列入重点研发计划,在国家的大力推动与支持下,国内...
楚江新材董秘回复:子公司顶立科技在第三代半导体用关键材料与装备...
子公司顶立科技在第三代半导体用关键材料与装备方面围绕“四高两涂一装备”的技术和产品布局,即高纯碳粉、高纯碳化硅粉、高纯碳纤维隔热材料、高纯石墨、碳化硅涂层石墨基座/盘、碳化钽涂层石墨构件和超高温石墨提纯装备。目前公司碳化钽产业化项目已建成投产,高纯碳粉已实现小批量生产,有关进展情况请关注公司在指定信息披露...
完全自主产权 中国第四代半导体新突破!6英寸氧化镓单晶实现产业化
据介绍,氧化镓因其优异的性能和低成本的制造,成为目前最受关注的超宽禁带半导体材料之一,被称为第四代半导体材料。该材料主要用于制备功率器件、射频器件及探测器件,在轨道交通、智能电网、新能源汽车、光伏发电、5G移动通信、国防军工等领域,均具有广阔应用前景。6英寸非故意掺杂(上)与导电型(下)氧化镓单晶该...
疆亘观察|跨越时代——第四代半导体潜力无限
摘要第一代半导体材料以硅(Si)和锗(Ge)材料为代表,第二代半导体材料砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为代表,第三代半导体材料指宽禁带半导体材料,是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等为代表。芯片对运算、功耗、环境的极限需求,对半导体材料的性能提出新的挑战,第四代半导体——超宽禁带半导体:以氮化铝(AIN...
...今日预热!50+问题,深度剖析行业!第四届碳基半导体论坛,明天见!
甬城相约,“碳”芯之行!4月24-26日,第四届碳基半导体材料与器件产业发展论坛(CarbonSemi2024)将于宁波召开。感谢一路有您的支持与陪伴!今日,论坛正式报道,伴随着匆匆的脚步,春日阳光
2023年半导体材料行业研究报告
第一代半导体材料:主要包括硅(Si)和锗(Ge)材料,广泛应用于集成电路制造,以及手机、电脑、平板、可穿戴设备、电视、航空航天、新能源汽车和光伏产业等(www.e993.com)2024年9月7日。第二代半导体材料:主要包括化合物半导体如砷化镓(GaAs)和锑化铟(InSb),三元化合物半导体如GaAsAl和GaAsP,固溶体半导体如Ge-Si和GaAs-GaP,非晶态半导体如非晶硅...
氧化镓会取代碳化硅吗?一文看懂氧化镓 | 金刚石大会 | 碳材料展
第一代半导体指硅(Si)、锗(Ge)等元素半导体材料;第二代半导体指砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等具有较高迁移率的半导体材料;第三代半导体指碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料;第四代半导体指氧化镓(Ga2O3)、金刚石(C)、氮化铝(AlN)等超宽禁带半导体材料,以及锑化镓(GaSb)、锑化铟(InSb)等超窄禁带半...
全球首个石墨烯半导体,预示电子新时代的到来
一是石墨烯是优异的导体,导电性能优于银,因此在半导体领域可以取代铜线。其中,无需光刻机只通过分子热处理就可以制备5至1纳米的线路。同时运行速度可以高达到1000GHz(=1THz)。将其与碳纳米管并用,可以制备单电子晶体管和柔性晶体管。二是载流子迁移率高,是硅的100百倍。三是可以制备CMOS构造的半导体元件。四...
楚江新材董秘回复:子公司顶立科技在第三代半导体用关键材料与装备...
楚江新材董秘:尊敬的投资者,您好!子公司顶立科技在第三代半导体用关键材料与装备方面围绕“四高两涂一装备”的技术和产品布局,即高纯碳粉、高纯碳化硅粉、高纯碳纤维隔热材料、高纯石墨、碳化硅涂层石墨基座/盘、碳化钽涂层石墨构件和超高温石墨提纯装备。应客户商业保密要求,不便披露具体名单。感谢您的关注!
董事长论坛!CSEAC 2024 半导体制造与材料董事长论坛议程公布
导读:第12届中国电子专用设备工业协会半导体设备年会及多场相关活动将于9月25-27日在无锡举行,涵盖展览、论坛、新品发布等,聚焦半导体设备及核心部件行业。半导体制造与材料董事长论坛议程现公布。第12届中国电子专用设备工业协会半导体设备年会、第12届半导体设备与核心部件展示会??将于9月25日-27日在无锡太湖国际...